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HPGe低本底反康普顿γ谱仪 总被引:4,自引:2,他引:4
本文报道了以HPGe为主探测器的低本底反康普顿γ谱仪,该谱仪以环形和圆柱形NaI(TI)组成阱型反符合屏蔽探测器,以钢,铅及不锈钢等材料组成复合结构屏蔽室。对^40Co1332.5keVγ射线,HPGe主探测器能量分辨率为1.86keV,相对效率为38%,在阱型反符合屏蔽条件下,谱仪对^137Cs点状薄膜源测得康普顿抑制系数为4.4;峰康比为870:1;50 ̄2000keV能区内每min积分本底为 相似文献
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本文报道的低本底反康普顿HPGeγ谱仪.HPGe探测器对 ̄(60)Co的1332kevγ射线的相对探测效率为38.3%.能量分辨率为1.77keV。在阱型反符合屏蔽下.对放在探测器端面的 ̄(137)Cs点状薄膜源的峰康比可达685.8:1;测量时间100min.置信度95%时. ̄(137)Cs点源的最小判断限为1.12x1O ̄(-4)Bq。在物质屏蔽和阶型反符合屏蔽下,在50~2152.8keV能区的积分本底为0.343s ̄(-1)。与无反符合屏蔽时相比,压缩系数大于4.5.对 ̄(152)Eu体源,谱仪积分非线性为0.027%。 相似文献
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简述了低本底反康普顿HPGe(高纯锗)γ谱仪系统构成与工作原理,主要分析了影响系统能量分辨率技术指标的诸因素,提出了系统最佳配置原则,为购置、安装及调试系统提供了决策依据. 相似文献
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低本底反康普顿高纯锗γ谱仪 总被引:2,自引:1,他引:1
本文介绍的谱仪采用铅-石蜡-铅为主的复合物质屏蔽。HPGe探测器对~(60)Co的1332keV γ射线的相对效率为25%,能量分辨率好于1.75keV。在阱型反符合屏蔽下,系统对放在HPGe端面的~(137)Cs点状薄膜源的峰康比可达800:1;测量时间1000min,置信度95%时,对~(137)Cs点源探测灵敏度好于5.6mBq;谱议在100—2000keV能区内的积分本底好于8.7±0.1次/min,与无反符合屏蔽时相比,压缩倍数为6.6。 相似文献
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本文对一套低本底反康普顿HPGeγ谱仪系统的积分本底进行了实验研究,测量了谱仪系统在无屏蔽、屏蔽室以及屏蔽室加反符合三种条件下的积分本底.结果表明,谱仪系统积分本底主要来源于康普顿连续坪区和40K核素1460keVγ射线全能峰.实验确定了40K主要来自NaI (Tl)环探测器的六个光导玻璃窗及光电倍增管,两者所含40K总的放射性活度约为612Bq. 相似文献
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介绍了一套低本底反康普顿高纯锗(HPGe)γ谱仪系统的基本组成、工作原理和主要技术指标,回顾了谱仪运行十年来主要指标的变化情况,介绍了10年来基于该谱仪所开展的主要工作和取得的重要成果,展望了谱仪广阔的应用前景. 相似文献
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以对比的手法介绍了两套结构相同的低本底反康普顿高纯锗γ谱仪在技术指标,性能上的差别,并通过详实的实验数据,对谱仪处在不同工作状态时的康普顿散射抑制效果作了细致的比较,分析了影响提高峰康比的主要因素。 相似文献
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放射性核素^40K是我们已经研制成功的HPGe低本底反符合γ谱仪本底的主要来源,本文介绍确定^40K来源的方法及其结果,结果表明,^40K本底主要来自自由北京核核仪器厂的ST105型NaI(Tl)环探测器所使用的6个光导玻璃窗,其钾含量15.8%,所含^40K总的放射性活度约为910Bq,同时指出了为进一步降低仪本底所应采取的措施。 相似文献
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低水平放射性测量的重要条件,要求探测器的本底较小。在实验室里,本底来源可分为三个方面:探测器及其邻近屏蔽材料的污染;实验室周围环境的射线;宇宙射线。本底要最小,就必须尽力降低这三方面的影响。本工作除在前二者作了努力外,特别在压低宇宙射线本底方面作了细致观察和处理。结果,使得该谱仪的本底成为当前同类谱仪中最低的一个,达到8.7±0.1个/min(100-2000 keV能区)。 相似文献
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本文介绍的用于低本底γ测量的小型康普顿抑制谱仪采用并联取样反符合计数系统,同时具有简单有效的物质屏蔽和数据自动采集和分析功能,在阱型反符合屏蔽条件下,谱仪对置于NaI(Tl)主探测器上方3.5cm处的^137Cs薄膜源的探测灵敏度为74.37Pa;在50-2000KeV能区的积分本底为15min^-1,与无反符合屏蔽时相比降低了61.5%。 相似文献
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介绍了反康普顿HPGeγ谱仪系统的结构组成和井型反符合工作原理,对系统在有无反符合测量条件、源与环探测器相对距离以及源强对峰康比的影响进行了实验研究.实验结果表明,系统在反符合测量条件下,标尺相对位置为46.5cm,源强较弱的情况时,反符合测量技术对系统具有很好的抑制康普顿坪的作用,系统峰康比可达最佳值. 相似文献
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本文报道自行组建的一台Ge(Li)-NaI(Tl)反符合γ谱仪的结构和性能。主探测器是φ61.5mm×56.0mm的同轴Ge(Li)探测器(灵敏体积为150cm ̄3),由φ88.9mm×76.2mm的圆柱形NaI(Tl)晶体和外、内径×高为254mm、88.9mm×305mm的环形NaI(Tl)晶体构成井型反符合探测器,主要的物质屏蔽层是100mm铅+15mm钢+5mm铜。Ge(Li)探测器对 ̄(60)Co1333keV能量的分辨率为2.4keV,峰康比为44,相对探测效率为24%。在反符合屏蔽条件下,谱仪在康普顿坪(358—382keV)和康普顿端(460—484keV)的抑制因子分别为5.O和5.4;康普顿区积分(50—595keV)抑制因子3.6,峰康比( ̄(137)Cs点源)为494。在100—2000keV能区屏蔽室内、外的积分本底比为1:131。加反符合和不加反符合条件下的积分本底抑制因子为3.5,加反符合后的积分本底为17.2cpm。当测量时间1000min、置信度95%时, ̄(137)Cs的最低可探测活度(判断限)为5.8mBq.24小时内, ̄(241)Am、 ̄(137)Cs和 ̄(60)Co 相似文献
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地下铁室铅室组合屏蔽低本底HPGeγ谱测量系统及其应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍一地下室铁室组合屏蔽低本底HPGeγ谱测量系统。该系统由地下铁室和在其内的铅室组成物质屏蔽;在100-2000keV能区,相对效率为38.4%的HPGe探测器积分本底计数率为0.7/s,本底效率比为1.82/s;谱数据收集时间为1000min时对^137Cs点源的探测下限为3.4mBq,作为举例,还介绍了用该系统分析测量反应堆退役清洗去污后的不锈钢管道样品中^137Cs和^80Co含量及分 相似文献
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用反符合和热中子屏蔽降低γ谱仪本底 总被引:1,自引:0,他引:1
新建的一台反宇宙射线低本底HPGeγ谱仪,在物质屏蔽的基础上采用反符合和热中子屏蔽联合方法,实验研究次级宇宙射线μ子和中子产生的本底。结果表明,反符合屏蔽(塑料闪烁探测器)能大幅度降低μ子产生的本底,还能有效抑制快中子与锗晶体和屏蔽材料非弹性散射引起的本底,100-2000keV能区反符合积分本底抑制系数可达8倍。热中子屏蔽(镉吸收片)的加入可明显降低锗晶体和屏蔽材料热中子俘获产生的本底,使511keV正电子湮灭峰本底的抑制系数由5.8倍提高到20.7倍,100-2000keV反符合积分本底抑制系提高到13.2倍。 相似文献
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一台反康普顿HPGe γ谱仪的性能改造和应用 总被引:2,自引:0,他引:2
主要描述了一台反康普顿HPGeγ谱仪系统改造前后的结构和性能。由于原有系统的积分本底偏高.在对它进行性能测试、本底来源分析之后.采取了改造屏蔽室.更换低本底主探测器等措施。通过细致的调试.测试了主要性能指标。积分本底(能区50~2000keV)由原67min^-1(主探测器相对探测效率为40%)降至约20min^-1(主探测器相对探测效率为50%)。标定了滤材样品的探测效率曲线.计算了大气气溶胶取样样品中^140Ba核素的最低可探测浓度(MDC)。在大气中^212Pb浓度约0.3Bq/m^3时.^140Ba的MDC可达10.Bq/m^3。 相似文献
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文章介绍了高效率低本底 HPGe γ谱仪系统的结构和主要性能。用~(152)Eu,~(241)Am 和~(60)Co 标准点源做了效率刻度。该谱仪对~(60)Co γ射线的相对效率为44.6%。在50—1800keV 能量范围内,测量的不确定度为2—5%。 相似文献
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本文讨论了反康普顿γ谱仪在应用中所显示出的局限性以及这种谱仪在正常运行时做效率刻度所遇到的问题。采用具有圆锥形开口的准直器限定源的γ射线只能入射到主探测器上,从而可以刻度出实用的效率曲线。 相似文献
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通过比较低本底反康普顿HPGeγ谱仪两种操作模式(有反康和无反康)测量4种谷物样品中放射性活度的异同,讨论反康普顿抑制的优越性.结果显示,有反康时能谱中的康普顿基线本底有显著抑制,从低能区的2倍至高能区的5倍(60keV~1.46MeV)不等.但对特定核素的分析探测限不仅与康普顿本底有关,还与系统自身可能存在的特定能峰的本底净计数率有关.由于无~(137)Cs系统本底且反康抑制达4~5倍,测到4个样品中~(137)Cs比活度在0.03~0.06Bq/kg,而如没有反康则都低于探测限.由于系统中本底几乎可以忽略,~(234)Th探测限(0.2~0.4Bq/kg,对63keV)和~(228)Ac探测限(~0.1Bq/kg,对911keV)有反康时下降了20%~30%.由于测量期间的高氡环境本底,~(226)Ra(测~(214)Pb352keV峰)探测限有点高(0.7~1Bq/kg),反康未起作用.样品中的~(40)K高达22~144Bq/kg. 相似文献