共焦扫描显微成像系统的部分相干光学传递函数

共焦扫描显微成像系统（ＣＳＯＭ）是以共焦原理为基础,集扫描技术和数字图像处理技术为一体的高精度的成像系统。系统空间滤波器孔径大小和探测物体的离焦量大小都会影响系统的成像质量,这反映了系统的光学传递函数（ＯＴＦ）有着明显的变化。导出了ＣＳＯＭ系统的部分相干ＯＴＦ,并给出了不同离焦量的ＯＴＦ变化曲线。     

GaAs单刀双掷开关

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ推出了低功耗、小型ＳＯＴ塑封的ＧａＡｓ单刀双掷开关,它的工作频率覆盖了直流至３ＧＨｚ的范围。其中,ＳＷ-４３７型ＭＭＩＣ反射式开关采用超小型ＳＯＴ-３６３封装;ＳＷ-４４２型终端开关采用ＳＯＴ-２６封装。它们的共同特点是插入损耗低、隔离效果好,特别适合于便携式双波段电话使用。也可用于ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＧＳＭ以及宽带ＣＤＭＡ通信系统。GaAs单刀双掷开关     

LCOS投影技术及其市场分析

ＬＣＯＳ(ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｏｎＳｉｌｉｃｏｎ)属于新型反射式微型液晶显示 (ＬＣＤ )投影技术。它与显像管(ＣＲＴ)投影技术、高温多晶硅液晶 (Ｐｌｏｙ ＳｉＬＣＤ)穿透式投影技术和数字光学处理 (ＤＬＰ ,ｄｉｇｉｔａｌｌｉｇｈｔｐｒｏｊｅｃｔｏｒ)反射式技术相关。这 3项业已成熟的技术推动着ＬＣＯＳ使之将成为投影显示器的新主流。ＬＣＯＳ适用于 30～ 6 0英寸以上的大屏幕投影显示器 ,也可作为直观元件 ,具有乐观的潜在市场。若能提高制造过程中后道工序的良品率。提高性能价格比 ,ＬＣＯＳ必将成为显示器件市场上的佼…     

基于MCNSDOCSIS的电缆调制解调器

ＤＯＣＳＩＳ是ＨＦＣ网络上的高速双向数据传输协议,基于ＤＯＣＳＩＳ的ＣａｂｌｅＭｏｄｅｍ系统具有充分的互操作性。本在介绍了该系统的组成和基本原理后,详细论述了数据调制和解调、ＭＡＣ层带宽分配,ＣＭ初始化过程和数据链路中密等功能,同时介绍了ＤＯＣＳＩＳ１．１对ＱＯＳ和ＢＰＩ的改进及ＭＡＣ包分段,ＩＰ组播等新功能,最后简单介绍了一种国产ＣａｂｌｅＭｏｄｅｍ系统的研究和开发状况。     

MOEMS测辐射热仪提供了一种新的光学技术来测量气体含量

来自美国 Ｉｏｎ Ｏｐｔｉｃｓ公司的工程师们和Ｊｅｔ Ｐｒｏｐｕｌ－ｓｉｏｎ实验室(ＪＰＬ)的研究者合作开发出了一种微小光学机电系统(ＭＯＥＭＳ)装置用于ＣＯ２探测,意欲利用光学技术在性能上的优势来取代现在的电化学方法。２００１年１０月,ＳＰＩＥ主办的“精细加工和精细制     

HCMOS集成电路的接口和使用

ＨＣＭＯＳ集成电路的接口和使用沈毅使用ＨＣＭＯＳ集成电路的目的，是要充分利用它功耗低和速度高等优点．如果有可能的话，整个系统都应该全部选用ＨＣＭＯＳ器件。如果为了使系统达到最佳性能不得不刀Ｄ人一些其他器件时，即ＨＣＭＯＳ和其他系列器件的混合使用，就会...     

国外军事卫星通信发展趋向:民转军、军民结合

观念的转变２０世纪７０年代以来,西方国家和前苏联等建立了一系列的军事卫星通信系统,如美国的ＦＥＥＴＳＡＴＣＯＭ、ＤＳＣＳ、ＭＩＬＳＴＡＲ,英国的ＳＫＹＮＥＴ,北大西洋公约组织的ＮＡＴＯ,法国的ＳＹＲＡＣＵＳＥ,前苏联的ＣＯＳＭＯＳ、ＭＯＬＮＩＡ等,它...     

HICOM程控交换机软件AMOCOSSU分析

较详细分析了ＨＩＣＯＭ系统ＡＭＯＣＯＳＳＵ的服务范围、命令格式、各参数意义，和ＡＭＯＣＯＳＳＵ的使用举例，并给出了各命令的错误信息和建议。     

中兴ZXG10-OMC操作维护中心

中兴ＺＸＧ１０－ＯＭＣ操作维护中心黄永康,傅范丰中兴ＺＸＧ１０—ＯＭＣ操作维护中心对ＧＳＭ数字移动通信系统和网络进行管理。ＧＳＭ系统由ＢＳＣ、ＢＴＳ、ＭＳＣ／ＶＬＲ、ＥＩＲ、ＨＬＲ／ＡＵＣ一系列网络单元构成,它们都是ＯＭＣ的管理对象。操作维护的功能基...     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极的速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主。因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ技术显得愈发相似。本文例举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点，ＢｉＣＭＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍有增加，但其性能提高一倍。     

MCBiCMOS门阵列的母片设计

本文介绍ＭＣＢｉＣＭＯＳ门阵列的母片设计技术。由于采用了先进的ＭＣＢｉＣＭＯＳ工艺和设计技术，ＭＣＢｉＣＭＯＳ更适合地制作高性能，大规模的专用集成电路。在２μｍＣＭＯＳ和３μｍ双极相结合的设计规则基础上，我们设计了ＭＣＢｉＣＭＯＳ２０００门门阵列母片，并利用ＭＣＢｉＣＭＯＳ宏单元库，成功地完成了ＣＧＢ２００３     

CMOS线性敏感器阵列

ＴＡＯＳ公司的ＣＭＯＳ线性敏感器阵列除可敏感光强信号外 ,还可以给出空间信息。该线性阵列器件有２００、３００和４００ＤＰＩ(每英寸的点数 )三大类共９种产品 ,像素数可从６４到１２８０点。表１是这类器件的几种基本参数。这些ＣＭＯＳ线性敏感器件内含线性光电二极管阵列 ,每个光电二极管均可检测入射光强度 ,并可输出与积分时间和入射光强成正比的模拟或数字电压信号。利用ＣＭＯＳ线性阵列可以进行高精度位置检测、边沿检测、光学线性循环编码、标记探测以及光学字符识别等 ,并可广泛地应用于纸张处理、工业自动化、医疗诊断和电…     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本文列举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点。ＢｉＣＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍高但其性能提高一倍。     

与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺

介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术,采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合,解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺,并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。     

硅基波导、光探测器和CMOS电路的集成

对于集成光学器件和微电子电路制作，应用了驻波监控指示技术（ＳＷＡＭＩ）、局部氧化技术（ＬＯＣＯＳ）、光波导和探测器的平接、漏波，以及镜耦合技术。文章介绍了硅基光波导、光探测器和ＣＭＯＳ电路的单片集成技术。讨论了集成工艺以及静态和动态测量结果     

采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路

本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构，预计ＢｉＣＭＯＳ可以获得更好的结果     

HCMOS集成电路的特性

ＨＣＭＯＳ集成电路的特性曾庆贵本文介绍ＨＣＭＯＳ集成电路的直流特性＄ｉｆ交流特性，并且和ＣＭＯＳ、ＬＳＴＴＬ等电路进行比较。一、功耗ＣＭＯＳ集成随路的最大优点是低功耗。ＨＣＭＯＳ保留了这个特点．它的功耗包括协态功耗和动态功耗。ＨＣＭＯＳ电路的静态功耗...     

对光控响应的CMOS开关

东京Ｋ．Ｓｈｉｍｏｍｕｒａ和他的索非亚大学同事已发展一种由光学方法控制的互补金属－氧化物－半导体（ＣＭＯＳ）电压开关。他们对以前所做的工作作了详细说明并用新的ＣＭＯＳ结构开发了以光学方法控制的金属－氧化物－半导体（ＭＯＳ）场效应晶体管（ＦＥＴ）。普通金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳ－ＦＥＴ）是通过改变栅极上的电压来控制源极和漏极之间电流的。ＭＯＳＥＦＴ有两类：即ｐ型和ｎ型。通过制作一系列由两类场效应晶体管组成的电路并将这些晶体管连接到不同电源上,栅极极性便变成互补。当ｐ型或ｎ型半导体的栅…     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

与CMOS—SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺

介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术。采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合,解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺,并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。