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碲镉汞单晶片的多晶化与形变织构 总被引:1,自引:1,他引:0
本文重点介绍采用X射线衍射分析法对碲镉汞单晶片在经受研磨和抛光过程中所进行的跟踪分析,只经研磨的晶片的X射线衍射图上2θ从20°到90°的范围内,有(111)、(220)、(311)、(420)……等晶面的衍射峰出现,实属多晶衍射谱,将晶片抛光后,其衍射峰数目急剧下降。一般只剩下一个衍射峰,有的为(111),有的为(220),或(420)等不一。表明经抛光后的晶片为单晶片。对一定数量的晶片反复经研磨—衍射分析—抛光—衍射分析,其衍射谱也就多峰-单峰交替出现。实验过程中还发现大部分晶片在经受研磨后的衍射谱中,(110)面的二级衍射,即(220)峰出现强化的几率最大。此现象表明研磨能导致择优取向,出现形变织构。本文从X射线衍射原理和晶体范性形变的X射线研究出发,结合碲镉汞晶体的结构特征和所具有的滑移特点,对晶体的多晶化和形变织构的形成机理进行了初步探讨。 相似文献
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用X射线双晶衍射法测量了x=0.273、晶向为[110]的碲镉汞晶体在切、磨过程中引入的加工损伤,测出了在切割、M5金刚砂研磨过程中产生的损伤层厚度分别为4μm~7#m、12μm~20μm,并测出在碲锅汞晶体中存在大量取向差为90"~810"之间的亚晶块. 相似文献
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杨静韩焕鹏杨洪星王雄龙张伟才 《微纳电子技术》2018,(9):694-699
对圆片级封装用玻璃通孔(TGV)晶片的减薄加工工艺进行了研究并最终确定出工艺路线。该减薄加工工艺主要包括机械研磨及化学机械抛光(CMP)过程。通过机械研磨,玻璃通孔晶片的残余玻璃层及硅层得到有效去除,整个晶片的平整度显著提高,用平面度测量仪测试该晶片研磨后的翘曲度与总厚度变化(TTV)值分别为7.149μm与3.706μm。CMP过程使得TGV晶片的表面粗糙度大幅度降低,经白光干涉仪测试抛光后TGV晶片的表面粗糙度为4.275 nm。通过该减薄工艺加工的TGV晶片能够较好满足圆片级封装时的气密性要求。 相似文献
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《半导体技术》1978,(4)
硅衬底片背部的机械加工损伤除在外延及其后的热处理过程中会向晶片完整区域传播引起位错的增殖,产生一种二次缺陷外,还会对晶片完整区域产生一附加的应力,有人称其为“宏观内应力”。例如:抛光后的晶片,一旦从抛光托上取下来后,仔细观察就会发现它具有不同程度的弯曲现象。我们用X-射线衍射法测量表明。其内部晶格面确实是弯曲的。说明晶片内确实受到一种应力的作用。这种应力的产生,是由于晶片背部存在的损伤层造成的,目前对于加工损伤层的结构较可靠的认识如图1所示:其中无定形层完全失去了原来的晶体结构。镶嵌层是方位,粒度不同的微粒层,越向下微粒方位分布越接近,粒度越大,裂缝层具有微细角度的裂缝,可见裂缝层以上的损伤层体积 相似文献
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本文重点介绍采用X射线衍射仪对碲镉汞单晶片在经受研磨和抛光过程中所进行的跟踪分析。在只经研磨的晶片的X射线衍射图谱上,2θ角在20°~90°的范围内有(111),(220),(311),(331),(420),(422)等品面的衍射峰出现,属多晶衍射谱。将此晶片仔细抛光后,其衍射峰数目急剧下降。通常只有一个峰,有的为(111),有的为(220)或(420)等。 相似文献
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以4H-SiC(0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法。先在复合铜、锡盘上对2英寸(1英寸=2.54 cm)的SiC晶片进行机械抛光,去除研磨造成的损伤层和划痕,最后用特殊的抛光液进行化学机械抛光。用微分干涉显微镜和原子力显微镜观察晶片表面形貌的变化,观察结果显示,经3 h抛光后晶片的表面粗糙度状况得到了明显的改善,表面没有观察到划痕,表面粗糙度值达到了0.1 nm以下,并且出现规则排列的原子台阶构型,达到了原子级平整。实验研究了抛光液组成对抛光效果的影响,在最优的条件下,化学机械抛光的去除速率约为387 nm/h。 相似文献
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X射线回摆曲线定量检测SI—GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度 总被引:3,自引:0,他引:3
本通过测量SI-GaAs抛光晶片及其本体(腐蚀了晶片的亚表面损伤层)的X射线回摆曲线FWHM,与抛光晶片的TEM观测相结合,作出晶片回擂曲线FWHM的比率R与TEM观测的晶片亚表面损伤层厚度D的关系曲线,建立了一种定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术,中将对这种技术进行描述并作讨论。 相似文献
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在半导体制造工艺中,首先要获得一个平滑、光亮、无损伤层的表面.半导体晶片的抛光,国际上主要采用化学机械混合同时抛光.该种方法抛光的晶片,表面平整度、光洁度好,机械损伤小.据报道,目前用于砷化镓材料的抛光液配方已有一些,但都不理想.例:2Br-98CH_3OH抛光液,该抛光液存在抛光质量不稳定,有老化现象,毒性大;次氯酸 相似文献