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相似文献
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1.
陶瓷——金属对封结构   总被引:1,自引:1,他引:0  
引言近年来,对封结构(图1)之所以引起人们的注意,是因为有它可取之处。 1.零件加工简单。金属件可以冲制,陶瓷无需复杂的内外圆精磨,加工成本可以降低。  相似文献   

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一、前言近年来,对封结构(图1)之所以引起人们的注意,是因为有它可取之处。比如,零件加工简单、焊口质量容易保证、成本低,而且可以适应多种金属封接。但是,对  相似文献   

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陶瓷与金属的活性封接   总被引:2,自引:1,他引:2  
对陶瓷与金属Ti-Ag-Cu活性法出现的Ti-Ag-Cu活性合金焊料在不同金属表面的流散性进行了分析,解释了用Ti-Ag-Cu活性合金焊料焊接陶瓷和金属时不能达到真空气密的原因;同时,在实验基础上对溅射镀膜金属化焊接工艺进行了分析。  相似文献   

5.
曲文卿  齐志刚  庄鸿寿   《电子器件》2007,30(2):376-379
陶瓷与金属的连接是电子产品生产的关键环节。由于陶瓷和金属的物化、力学性能上存在巨大差异,对连接技术要求非常苛刻。通过对陶瓷与金属的常用连接方法的比较分析,提出了一种绿色活性电子器件封接技术,该技术能够在空气中不使用任何焊剂连接陶瓷与金属以及其他非金属组合,具有广泛的应用前景。通过对陶瓷与金属封接接头的力学测试和微观观察发现,接头剪切强度超过30MPa,连接界面良好;表明形成了性能和质量优良的钎焊接头。  相似文献   

6.
通过一种陶瓷和一些新合金的封接试验和测量封接过程中的应力,提出了一些降低陶瓷电子管内应力的方法。  相似文献   

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陶瓷--玻璃--金属的微波加热封接法是将玻璃封接材料膏剂和耦合添加剂混合,并施加到上述陶瓷和金属工件上,膏剂和工件此时最分离的,而微波加热的功率,时间和频率足以使膏剂液化,玻璃封接材料的化学反应不同于常规加热,因为这是由扩散形成的而不是反应物的浸润。  相似文献   

9.
铟和铝作为软金属焊料用于玻璃与玻璃之间,玻璃与陶瓷之间以及各种热膨胀系数不同的材料之间的压力焊接。由于这种金属焊料能够与基底材料形成分子之间的结合,所以焊缝的密封性能很好,并且还可以通过焊缝的金属焊料形成向真空管内部通电的电极引线。铝封接是在温度刚好低于“硬”玻璃的软化点时进行的。  相似文献   

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系统级封装用陶瓷外壳的金属盖板尺寸一般较大,在可靠性试验的过程中,应力会通过金属盖板的弹性变形传递到陶瓷外壳上,导致陶瓷外壳侧壁出现明显的应力集中现象。采用有限元方法对封盖后的陶瓷外壳的可靠性试验进行了分析,研究了金属盖板的材质及结构对陶瓷外壳可靠性的影响规律,为该类外壳的金属盖板设计提供了可靠的理论依据,避免了由于金属盖板设计不合理而导致陶瓷外壳开裂或由于金属盖板下陷导致器件失效等问题。合理的金属盖板结构对于解决可靠性试验中的失效问题及提高器件的可靠性具有重要的作用。  相似文献   

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单晶和多晶陶瓷能用几种工艺和金属可靠的接合。陶瓷金属化就是先将陶瓷和烧结金属以固溶相粘结在一起,然后再用焊料钎焊到金属零件上。活性合金法省略了中间金属化工序。这两种工艺可用化学和冶金等理论来分析。  相似文献   

13.
简要介绍了活性合金焊料箔直接封接陶瓷-金属的基本特点及用于真空开关管陶瓷-金属非匹配性一步封接所获得的较好预期结果.  相似文献   

14.
金属PTC陶瓷复合材料结构及其导电机理   总被引:2,自引:0,他引:2  
杨海  余鸿飞 《压电与声光》1997,19(3):196-200
研究了金属PTC陶瓷复合材料的电学性能和其材料组分。结果表明,掺入金属的PTC陶瓷材料经氮气中烧结,然后在空气中进行热处理,材料表面形成高势垒层,金属PTC陶瓷复合材料的室温电阻较PTC的陶瓷高。样品之中存在大量不同类型的极化,在低温时样品电阻较高,温度增加后,大量各种类型离子极化出现,在变价金属铁的变价导电作用下,削弱表面势垒,使金属PTC陶瓷复合材料电阻降低,表现出NTC现象。在电场作用下,正负电荷、晶粒畸变和空位缺陷等产生空间电荷极化使金属PTC陶瓷复合材料有较高介电常数。介电损耗(tgδ)频谱和介电δ温度谱上都出现一个介电峰,其主要原因是跃迁极化,金属阳离子由一个位置跃迁到另一个位置,在介电损耗所对应的频率和温度时出现跃迁极化率最大  相似文献   

15.
宽带高功率矩形陶瓷密封窗封接结构及工艺   总被引:1,自引:0,他引:1  
推荐了几种氧化铝陶瓷宽带高功率矩形密封窗的封接结构,并对其封接工艺要领进行了简要介绍。  相似文献   

16.
单腔结构压电陶瓷—金属复合体研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研制出一种单腔结构压电陶瓷-金属复合体,该复合体不仅压电常数高,而且具有压电常数的位置依赖性小、制作更为简单、便于稳定地安装使用等优点。由实验研究得出了较佳尺寸的复合体,相应的有效压电应变常数为7890pC/N,为其中PZT压电陶瓷压电应变常数的24倍。  相似文献   

17.
采用Ag-Cu-Ti活性钎料对AlN陶瓷与无氧铜进行了钎焊。通过对焊接件气密性的测试、陶瓷/金属结合界面的微观分析以及界面化学反应的热力学计算,得出以下结论:Ag-Cu-Ti2.0钎料可以实现AlN与无氧铜的气密封接,漏气速率Q<10×10-8Pa.L/s;钎料与陶瓷界面存在一定厚度的化学反应区,反应产物主要是TiN。  相似文献   

18.
简短摘要了金属与陶瓷及玻璃封接的试验。通过对金属(Pt,Fe,Ni,Cu,Al,Pb)和陶瓷或玻璃一起加压直到紧密接触,同时加热到≈0.9Tm是可以实现封接的。牢固封接所必需的压力范围由<0.1N/m~2(对Pt)直到10MN/m~2(对Al或Pb)。在金属——陶瓷界面上最初存在的气孔,在封接过程中消失。由于空隙的扩散,金属的塑性变形可以忽略。在需要很大的塑性变形的情况下,气孔主要是通过金属的蠕变而消失。封接的形成机理还不清楚。没有能发现在金属和陶瓷或玻璃间的化学作用。封接的破坏强度与金属熔点呈线性关系。  相似文献   

19.
本文着重研究了陶瓷与钢在真空扩散焊接条件下,在铜的接触表面上显微凸起的塑性变形和物理接触形成过程的动力学及其对焊接质量的影响。研究了陶瓷与饲真空扩散焊接工艺和接头的机械性能和真空性能。给出了能满足电真空器件要求的扩散焊接工艺规范。  相似文献   

20.
陶瓷微观结构对陶瓷金属封接的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   

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