ZrO／W肖特发射阴极的研制

研制成功了一种实用的低功函数肖特基发射阴极一锆/钨（ZrO/W）阴极。这种阴极是在改进的电解腐蚀法制成的W单晶尖端表面，采用特别的涂覆法或蒸镀法，形成含zrO膜层，并经特殊处理后得到的。实验测出了这种阴极在适当条件下的功函数值为2.86电子伏特左右，低于钨阴极的功函数值。     

阴极与发射的研究

从固体材料的热发射机理开始分析,引出彩色显像管中最常用的氧化物阴极和浸渍式阴极,并对它们的结构、发射机理、激活过程以及工作做了详尽的分析和对比,并对其前景作了可观的描述.     

钪型阴极表面微观发射结构的模拟计算

在阴极研究领域,钪型阴极因其大发射电流密度受到广泛关注,但其发射机制仍不明确。普遍认为表面发射层为BaxScyOz-W结构,但发射表面是动态变化的,很难确认其最佳表面发射结构。本文对钪型阴极表面BaxScyOz-W的理想发射结构进行了建模,并利用密度泛函方法对其功函数进行了计算。计算得到Ba-O-Sc-O-W表面结构的最小功函数为1.186eV。通过对计算结果的分析,讨论了不同表面原子结构对应的功函数变化。     

有害气体对氧化物阴极发射的影响

介绍了各种气体对氧化物阴极发射的影响。特别是与空气污染有紧密关系的SO_2、NO_2、和Cl_2。为了比较,也试验了Na、CO_2、H_2O、O_2、CO、H_2和Ar等大气的主要成分的毒害效应。详细的研究各种气体对氧化物阴极和氧化物材料发射的影响。沾污了的阴极的中毒状态用二次电子显微镜和俄歇谱仪进行了分析。还研究了阴极激活之前,有害气体对碳酸盐发射的影响。     

阴极光电发射受电场影响的研究

本文叙述了电场对光电发射的影响.许多阴极在外电场的作用下会降低表面功函数,光电发射的阈值波长会延伸,长波响应也会增大.高阻值碱金属化合物阴极在光电发射过程中由于内电场的形成,有可能对发射层进行"侵蚀"从而导致损坏.     

铁电阴极电子发射实验研究

为提高铁电阴极材料的电子发射电流密度及电子束品质,采用等静压成型工艺制备PZT铁电阴极样品,研究了真空度、温度、极间距、收集极和极间铜网等测试条件对其电子发射性能的影响。结果表明:利用等静压成型工艺制备样品,并进行硅橡胶绝缘层保护,在真空度高于10–3Pa,极间距为2.5mm,并在极间添加铜网,采用石墨收集极情况下进行电子发射实验,可获得铁电阴极样品测试最佳效果。     

紧凑型荧光灯阴极电子发射性能的探讨

一、前言紧凑型荧光灯阴极的构成,包括基金属和电子发射层两部份。电子层又由碱土金属碳酸盐等按一定比例涂覆在基金属上。基金属不仅是氧化物涂层的支撑体,以传导热量将涂层加热到所需温度,而且在分解激活和使用过程中,储存并不断提供激活剂,使阴极能够持续得到“超额钡”的补给。     

铁电阴极的电子发射及应用

本文介绍了铁电极极的电子发射现象以及铁电阴极的一些应用。     

阴极发射性能对荧光显示管亮度的影响

本文通过对造成荧光显示管亮度低的原因分析和荧光显示管发光特性的探讨,认为阴极发射性能差是影响荧光显示管亮度低的原因之一。通过采用高真空封接炉进行封接的办法,防止了阴极中毒现象,提高了阴极发射性能,从而使荧光显示管的亮度提高了一倍以上。     

低气压放电灯阴极发射特性的测试与研究

用射频噪声法测出了低气压放电灯(荧光灯、紧凑型节能灯、紫外杀菌灯等)阴极的零场发射电流,进而研究了阴极温度和阴极零场发射之间的变化规律,最后,得到了一种比较简单、方便、实用的测试阴极发射特性的方法。     

扩展的肖特基热发射理论研究

通过对阴极零场发射模型和肖特基热发射模型的理论分析,可以发现这两种模型都不能充分地考虑到实际阴极发射时存在高电场强度的情形,鉴于这种局限性,提出一种介于场发射和热发射之间的模型,既扩展的肖特基热发射模型,并用MATLAB软件模拟并分析了三种模型之间的连续性,重点阐述了阳极电压对阴极发射的电流密度影响,结果揭示了在高电场强度存在时扩展的肖特基热发射模型的相对合理性,从而总结了新模型的应用条件。     

场发射显示器阴极的制备方法及研究现状

目前用于场发射显示器的阴极主要有尖锥场发射阵列阴极、金刚石薄膜、类金刚石薄膜和碳纳米管场发射阴极等。本文论述了这几种场发射阴极常用的制作方法、研究现状及其以后的发展方向,并提出,用新型材料薄膜冷阴极代替传统的尖锥场发射阵列阴极,是实现FEDs大尺寸、低成本的重要途径。     

Barrier height temperature coefficient in ideal Ti/n-GaAs Schottky contacts

We have measured the I-V characteristics of Ti/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range of 60-320 K by the steps of 20 K. The SBDs have been prepared by magnetron DC sputtering. The ideality factor n of the device has remained almost unchanged between 1.02 and 1.04 from 120 to 320 K, and 1.10 at 100 K. Therefore, it has been said that the experimental I-V data are almost independent of the sample temperature and quite well obey the thermionic emission (TE) model at temperatures above 100 K. Furthermore, the barrier height (BH) Φ_b0 slightly increased with a decrease in temperature, 320-120 K. The Φ_b0 versus temperature plot from intercepts of the forward-bias ln I versus V curves has given a BH temperature coefficient of α = −0.090 meV/K. The Norde’s function has been easily carried out to determine the temperature-dependent series resistance values because the TE current dominates in the I-V characteristics. Therefore, the Φ_b0 versus temperature plot from the Norde’s function has also given a BH temperature coefficient value of α = −0.089 meV/K. Thus, the negligible temperature dependence or BH temperature coefficient close to zero has been attributed to interface defects responsible for the pinning of the Fermi level because their ionization entropy is only weakly dependent on the temperature.     

直丝氧化物阴极零场发射电流的求定

阴极的零场发射电流反映阴极的发射本领，是设计阴极的首要指标。求定荧光显示基本单元直丝氧化物阴极零场发射电流的粗略近似方法是从其伏安特性测试数据和曲线找出饱和过渡区起点和终点电流取平均值，较严格的方法是肖特基直线外延法，使用此法时，需根据显示管的结构特殊性注意处理若干相关的问题。     

新型三元混合基钡钨阴极的发射性能研究

研究了三元混合基底的制备及对钡钨阴极发射性能影响,结果表明所研究的W-Ir-Rh、W-Ir-Ru、W-Ir-Re三元混合基钡钨阴极的发射与传统的覆膜纯W基钡钨阴极的发射水平近于相当,但其制备工艺更简单,排气和激活时出气更少,能够加速管子的处理工艺.     

Ka波段冷阴极磁控管启动特性研究

冷阴极磁控管是一种性价比很高的可靠微波源,它具有瞬时启动、寿命长、可靠性高、系统容易实现小型化的优点。选用钯钡合金和难熔金属钽作为冷阴极材料,钽环作为一次发射体,由场致发射提供一次电子,钯钡合金为二次发射体,钯钡合金在一次电子的轰击下产生二次电子,两者提供磁控管阴阳极电流,实现磁控管正常振荡。从理论上详细分析了钽环厚度和钯钡合金温度对冷阴极启动特性的影响,基于理论分析结果,开展不同钽环厚度和阴极温度条件下磁控管工作性能研究,最终选用厚度为0.05 mm 的钽环作为冷阴极一次发射体,阴极工作温度在315~836 益之间,成功研制输出功率20 kW的Ka 波段冷阴极磁控管,冷启动稳定时间小于5 s,工作寿命超过500 h     

场发射显示器件阴极研究进展

介绍了场发射显示器件的基本结构和工作原理,分析了传统微尖型阴极发射阵列存在的问题,在此基础上介绍了平面型阴极的组成和工作方式以及目前MISM结构平面阴极的研究进展.     

冷冻干燥法制取扩散阴极含钪活性物质

借助液相合成法中的冷冻干燥法,制备出了高发射扩散阴极所需的含钪多元金属氧化物活性物质,其中Ba与Sc的原子比接近2∶1。应用该活性物质的浸渍阴极,取得了超过500 A/cm;的二极管脉冲发射电流密度和218.5 A/cm;的电子枪脉冲发射电流密度。在二极管直流测试条件(950°C,10 A/cm;)下,阴极的寿命测试进行了10500 h后仍未出现发射电流下降的现象;而在电子枪中的大工作比(5%)脉冲测试条件下,阴极在工作了2010 h后仍维持了超过50 A/cm;的较大发射电流密度。冷冻干燥法有效解决了传统固相合成方法在机械式破碎、研磨和混合等工序中存在的原料混合不可控、成分分布不均匀等问题,能够缩短工艺流程、节约工艺设备,有着良好的生产推广价值。