一种用于模拟电路修调的EEPROM电路

介绍了一种用在模拟电路中修调的EEPROM电路.该电路采用一种新型的单层多晶EEPROM结构,与传统的双栅EEPROM结构相比,该结构与数字CMOS工艺兼容,成本低、成品率高.使用在一个基准电压电路中时,其基准电压的调节范围达到±4.82%,调节精度达到4mV.EEPROM修调电路可广泛应用于各种高精度需求的电路中.     

一种用于模拟电路测试与修调的方法

针对模拟电路中一些基准量的测试与修调,本文提出了一种通过管脚复用技术和单多晶的EEPROM相结合的方法对模拟电路中的基准电压进行了测试与修调,然后通过仿真验证了该方法实现的电路功能。     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

单层多晶的EEPROM

针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处，介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEP-ROM，主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EEPROM(single poly EEPROM)，展示了single poly EEPROM的应用前景，同时提出了single poly EEPROM所面临的问题，并有针对性地给出了几种解决方案。     

基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析

利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单元结构进行等效模拟.通过编程模拟了单层多晶EEPROM器件性能,模拟分析得到的特性曲线与理论曲线能较好吻合,验证了等效模型方案的可行性.     

单层多晶的EEPROM

针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处,介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEPROM,主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EEPROM(single poly EEPROM),展示了single poly EEPROM的应用前景,同时提出了single poly EEPROM所面临的问题,并有针对性地给出了几种解决方案.     

单层多晶的EEPROM

针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处 ,介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEP ROM ,主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EEPROM (singlepolyEEPROM ) ,展示了singlepolyEEPROM的应用前景 ,同时提出了singlepolyEEPROM所面临的问题 ,并有针对性地给出了几种解决方案     

浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究

本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理,并提出了改进EEPROM保持特性的措施.     

双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证

介绍了EEPROM的电学模型,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系.根据模拟结果,采用0.6μm CMOS工艺,对双层多晶硅FLOTOX EEPROM进行了流片,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可行性.模拟得出的工艺参数评价为制造高性能的存储单元打下了坚实的基础.     

双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证

介绍了EEPROM的电学模型,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系.根据模拟结果,采用0 .6μm CMOS工艺,对双层多晶硅FL OTOX EEPROM进行了流片,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可行性.模拟得出的工艺参数评价为制造高性能的存储单元打下了坚实的基础     

应用于存储卡中的新型EEPROM单元结构

通常的ＥＥＰＲＯＭ单元在应用于实际的存储卡时，因为进位而导致逻辑操作复杂，文中阐述了这种复杂性以及产生这种复杂性的原因，提出了一种新型的ＥＥＰＲＯＭ单元结构，并详细分析了这种结构对逻辑操作的改善，通过该结构与常规ＥＥＰＲＯＭ单元的应用加以比较，进一步说明了其优点。     

EEPROM单元抗辐射版图设计技术

随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了达到提高存储器件抗辐射性能的目的,文章从版图设计的角度出发,首先分析了辐射对器件造成的影响,接下来分别介绍了基于FLOTOX和SONOS工艺的EEPROM器件特性,同时指出了在版图设计时需要注意的电压耦合比的问题。在设计中,利用管内隔离和管间隔离的方法,使得管内源/漏端和相邻两管源/漏端之间没有场氧介入,或是将场氧隔开,不让场区下形成漏电通道。设计出的EEPROM版图,不但满足了目前的工作需要,同时为以后抗辐射版图设计提供了有用的参考。     

适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器

针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.     

RFID中EEPROM时序及控制电路设计

RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电路,使操作变得更加便捷。该电路设计基于0.35μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,仿真结果显示,3.3V电源供电时,擦写编程电流为45μA,读数据工作电流为3μA,读数据周期为300ns,具有低功耗、高速度的特性。     

一种应用于EEPROM的片上电荷泵电路设计

设计了一种应用于EEPROM的片内电荷泵电路系统。该电路基于Dickson电荷泵结构,通过使用稳定的参考电压驱动压控振荡电路,从而产生了占空比小于50%的精确时钟,提高了电荷泵升压速度;通过使用调压电路,限制并稳定了输出电压。HSPICE仿真结果显示:在5 V电源电压下,时钟频率高达2.085 MHz。电荷泵仅需要56.256μs就可以输出15.962 V的高压。电荷泵的电压上升时间快,性能优越。     

EEPROM单元辐射机理研究

随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足太空及军事领域的需要,文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制,抗辐射性能不如SONOS单元。同时在做抗辐射加固设计时,FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题,且不利于等比例缩小。文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础。