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聚乙炔(CH)x是一种简单的共轭有机导电高分子材料。1975年日本白川首先用高浓度的Ti(OBu)_4-AlEt_3体系在-78℃下定向聚合得到了均匀的、具有高结晶度的顺式(CH)x薄膜。1977年白川与美国MacCDiarmid等合作,发现掺杂能改善(CH)x的导电性能。后来又发现掺入不同的杂质可使(CH)x显示n型或P型半导体的特性。聚乙炔薄膜具有物理上准一维金属膜型的一些特殊性质,因而引起物理学家的广泛兴趣。1980年美国Su、Schrieffer和Heeger提出了聚乙炔的孤立子(Soliton)导电模型,并用这种模型成功地阐述了一些实验现象。(CH)x的原料便宜,合成简单,具有广阔的应用前景。人们预期可以把聚乙炔应用于制备太阳能电池、蓄电池及塑料半导体器件等。 相似文献
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离子注入植物种子的生物效应研究 总被引:21,自引:0,他引:21
用35-180keV离子束对玉米、水稻、小麦、黑麦等材料种子进行了氮或磷离子注入。结果发现,在被处理的当代种子中,发芽率,生长速度,植物株型等方面均出现了变异;对染色体行为的观察发现有丝分裂基本正常,减数分裂出现异常,对注入离子在种子内的分布进行了RBS测量,并以TRIM程序进行理论估算。对离子束作为诱变源的前景及机理进行了讨论。 相似文献
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叙述了在复旦大学加速器实验室30keV同位素分离器上建立的一套离子注入装置。在该装置上已获得几十微安的Y、Ce、Ho、Sm、Nd、La、Yb等稀土离子束流。被离子注入的面积为φ20mm,表面均匀性好于3%,并对Y离子注入不锈钢以改善其抗腐蚀性能进行了初步研究。 相似文献
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介绍了中国科学院物理研究所离子束研究室的主要设备、分析方法、离子注入材料改性研究以及近年来在半导体材料、高Tc超导材料、环保等领域中的研究工作。 相似文献
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采用480keV P^+离子注入单晶硅,注入剂量为1×10^16cm^-2。采用RBS、TEM技术测试样品,发现样品经600℃退火后,距样品表面约240nm处有一条低密度缺陷带。研究表明,这一现象与P^+的剂量及退火温度有关。 相似文献
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离子束混合及离子注入陶瓷材料表面改性研究概述 总被引:11,自引:1,他引:11
对离子注入陶瓷材料引起的辐照损伤和材料力学性能、摩擦学性能的改善及陶瓷基体上金属薄膜的离子束混合增强粘着研究的进展进行了综述。 相似文献
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G. Perotto P. Mazzoldi G. Pellegrini C. Scian 《Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms》2010,268(19):3211-3214
In the present paper we combined ion implantation and nanosphere lithography to regularly dope, by a mask-assisted process, a SiO2 substrate with rare earth ions (Er) by ion implantation and to fabricate by sputtering a plasmonic 2D periodic array of Au nanostructures on the silica surface spatially coupled to the implanted Er3+ ions. The aim of this work is to study how Er3+ emission at 1.5 μm can be affected by the interaction with a plasmonic nanostructure. In particular we have found a variation of the radiative lifetime of the Er3+ emission and a change from single exponential to bi-exponential of the luminescence intensity decay. 相似文献
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利用离子注入技术在电池表面层形成密集的垂直PN结,缩短光生载流子到达PN结的距离,提高PN结的收集效率,从而研制成一种新型的抗辐照太阳电池。 相似文献