Pb（Zn1／3Nb2／3）O3基复相陶瓷的制备及其介电温度特性

采用两相混合烧结法制备Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ陶瓷。结果表明：在一定烧结温度下起始两组元可以共存形成复相结构，从而改善材料了的温度特性，成功地获得了低烧，高介，具有Ｘ７Ｓ温度特性的温度稳定型ＰＺＮ复相陶瓷。／     

B位掺杂对（Pb,Ca）（Fe1／2Nb1／2）O3陶瓷微波介电性能的影响

研究了Ｂ位分别掺杂Ｓｎ＾４＋、Ｚｒ＾４＋、Ｃｅ＾４＋对（Ｐｂ０．４５Ｃａ０．２５）（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＣＦＮ）陶瓷的烧结行为、微观结构及微波介电性能的影响。实验结果表明,掺杂样品能在相对较低的温度下烧结（１２００℃／２ｈ）,Ｂ位大半径离子的掺入使介电常数降低,适量的Ｂ位掺杂能不同程度的改进ＰＣＦＮ陶瓷的综合微波介电性能。用这种材料做成的带通滤波器在中心频率为９２８．４ＭＨｚ下,插入损耗为２．４６９ｄＢ,满足插入损耗应小于３ｄＢ的要求,在移动通信中有着实际应用前景。     

Ba（Zn1/3Nb2/3）O3陶瓷A位K^＋取代对烧结温度的影响

在Ba（Zn1/3Nb2/3）O3微波介质陶瓷的A位用K^＋取代Ba^2＋形成固溶体，研究其对于系统烧结温度的影响。研究表明A位K^＋的引入有效改善了系统的烧结特性，使烧结温度下降到1300℃以下。这是由于系统中产生了氧空位造成的，空位的生成增加了系统中的缺陷，促进了离子的相互扩散，从而降低了系统的烧结温度。     

（1-x）CaTi03-xLi1／2Sm1／2TiO3陶瓷的微波介电性能研究

采用固相法制备了（1-x）CaTi03-xLi1／2Sm1／2TiO3系列微波介质陶瓷材料,研究了该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能之间的关系．结果表明：在x=0．1—0．9tool范围内,（1-x）CaTi03-x（Li1／2Sm1／2）TiO3体系均形成了单一的斜方钙钛矿结构;x=0．1—0．5和x=0．6—0．9组分的最佳烧结温度分别为1250和1300℃;介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值、谐振频率温度系数Tf均随着x的增大而减小．当x=0．7时,1300℃下保温5h烧结得到的材料的微波介电性能为：εr=116．5,Qf=3254GHz,Tf=42．43×10^-6／℃．     

具有过量PbO的Ph（Zn_（1／3）Nb_（2／3））O_3－PbTiO_3系

合成了添加过量ＰｂＯ后的Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ）系陶瓷，并研究了其相结构及介电性能、在（１—ｘ）ＰＺＮ—ｘＰＴ（０．１＜Ｘ＜０．２）系陶瓷体中，添加过量ＰｂＯ提高了钙钛矿结构的稳定性，但过多地添加ＰｂＯ不利于提高其介电性能，当ＰＴ的摩尔浓度为１４—１９ｍｏｌ％时，这些组分最大介电常数和温度的关系与频率无关，而其介电常数的温度特性仍随频率变化而弥散     

C（0．）（Li1/2Sm1/2）0．7TiO3微波介质陶瓷的低温烧结研究

采用传统陶瓷制备工艺,制备了掺杂Na2O-CaO-B2O3（NCB）氧化物的C（0．）（Li1/2Sm1/2）0．7TiO3（CLST）陶瓷,研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系.研究结果表明：复合氧化物NCB掺杂量在1wt%～15wt%范围内没有杂相生成,晶相仍呈斜方钙钛矿结构.随着NCB添加量的增加,陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低,介电常数ε~r、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值也呈下降趋势,频率温度系数Tf向正方向增大.NCB氧化物掺杂能有效地将CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降低至900℃.添加12.5wt%NCB的CLST陶瓷在低温900℃烧结5h仍具有良好的微波介电性能：εr=73.7,Qf=1583GHz,Tf=140.1×10^-6/℃,满足高介多层微波器件的设计要求.     

La_（1－x）SrxCoO_（3－y）导电陶瓷制备工艺的研究

用固相反应法制备了Ｌａ＿（１－ｘ）Ｓｒ＿ｘＣｏＯ＿（３－ｙ）导电陶瓷材料，研究了制备工艺对烧结性能的影响。实验结果表明：烧结体的致密度取决于预烧温度、烧成温度及保温时间，此外还与成型方法等因素有关。在１０００～１３００℃保温２～１５ｈ获得了高密度、导电性良好的立方钙钛矿型Ｌａ＿（１－ｘ）Ｓｒ＿ｘＣｏＯ＿（３－ｙ）（ｘ＝０．５，０．６）陶瓷材料。用Ｘ射线分析了材料的相组成和结构。     

工艺条件对层状Li（Ni1／3Co1／3Mn1／3）O2的结构及电化学性能的影响

采用共沉淀法合成了均匀的N1/3Co1/3Mn1/3（OH）2前驱体，通过配锂煅烧制备出结晶良好的层状Li（Ni1／3Co1／3Mn1／3）O2正极材料。讨论了反应条件（如pH值、氨水浓度及烧结温度）对材料结构及性能的影响，确定了最佳的共沉淀反应合成工艺条件。应用XRD、SEM分析材料的组成及结构特点，采用电化学分析方法表征材料的性能。XRD结果表明，采用共沉淀法合成了结晶良好的层状Li（Ni1／3Co1／3Mn1／3）O2正极材料，且阳离子混排程度较小。SEM分析表明，合成的正极材料粒度均匀，形貌为球形。电化学测试结果表明，所合成的材料具有良好的电化学性能和循环性能，首次放电容量为162．32mAh／g（2.8-4.3V），循环100次后的可逆容量保持率达到90.23％。     

用甲酸盐／柠檬酸盐制备（Sr_（1－x）Ca_x）TiO_3微粉的研究

本文采用甲酸盐／柠檬酸盐溶液酒精脱水的方法制备出均匀的、结晶的、立方钙钛矿结构的（Ｓｒ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３微粉．借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ及粒度分析等现代分析手段，研究了粉末的相结构、粒度、组成以及微观形态．研究表明，（Ｓｒ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３粉末的粒径和组成与溶液的ｐＨ值、焙烧温度、酒精与溶液的比例，以及酒精清洗、干燥步骤等因素有关．此外，还考察了粉末的烧结性能．     

Pb（Fe2／3W1／3）O3的制备及其介电性能研究

本文采用半化学法，即硝酸铁代替传统氧化物混合法中的三氧化二铁与PbO和WO3浆料混合，经850℃，2h预烧，一步合成了钙钛矿单相的Pb(Fe2/3W1/3)O3(PFW)预烧粉体；再经870℃和2h烧结，得到了纯钙钛矿相的PFW陶瓷，其理论密度大于98%，在1kHz时的最大介电常数εmax为8000，高于二次合成法和传统氧化物法制备的PFW陶瓷，表明半化学法对制备PFW陶瓷是可行的。     

复合钙钛矿Pb（Fe1／2Nb1／2）O3的弛豫特性

制备了纯钙钛矿相Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＦＮ）陶瓷，研究其介电性能表明，ＰＦＮ陶瓷无论退火与否都存在弥散性相变（ＤＰＴ）现象，未退火试样εｍａｘ对应的温度Ｔｍ不随测量频率变化，退火试样的Ｔｍ随频率变化，即表现出Ｔｍ频率色散现象，结合ＸＲＤ分析，指出ＰＦＮ应属弛豫铁电体。     

二元系Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—Pb（Fe2／3W1／3O）3电容器陶瓷的介电性质

目前,制备 Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3(PZN)基陶瓷电容器,最主要的问题是形成有害于介电性质的焦录石相。实验表明,固相反应法很难合成钙钛矿结构的 PZN 陶瓷,于1000℃经固相反应的产物是含立方焦录石的混合物。在 PZN 中添加0.53mol 的 Pb(Fe_(2/3)W_(1/3))O_3(PFW),试样中的钙钛矿相超过97%。通过对 PFW 结晶化学和烧结机理的分析,证明在 PZN 中添加 PFW 能减少或抑制焦录石的形成。本文报导了 PZN-PFW 二元系陶瓷的相关系和介电性质,探讨了钙钛矿相的形成机理。     

Pb(Fe_(1/2)Nb_(1/2))O_3弛豫型铁电陶瓷的介电弛豫特性

采用氧化物一次合成法制得了纯钙钛矿相的 Pb(Fe_(1/2)Nb_(1/2))O_3陶瓷。经介电和热激发电流的测量,发现热激发电流峰温度和介电峰温度不一致。用过渡相区模型作了较好的解释。认为它仍为典型的弛豫型铁电体。本文对其介电弛豫不明显,即△T(0.1—100kHz)=0℃的原因以及 Nb~(5+),Fe~(3+)离子在氧八面体中所处的状态作了讨论。     

Pb（Ni_（1／3）Nb_（2／3））O_3－PbZrO_3－PbTiO_3三

对Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，即ｘＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－（１－ｘ）Ｐｂ（ＺｒδＴｉ１－δ）Ｏ３（０．２≤ｘ≤０．６，０．２≤δ≤０．５）三元系固溶体的压电性能进行了研究，结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界（ＭＰＢ）附近，压电常数ｄ３１值可达２６０×１０－１２Ｃ／Ｎ．讨论了结构相变对压电性能的影响．     

Pb（Ni1／3Nb2／3）O3—PbZrO3—PbTiO3三元系固溶体的压电性能

对Pb(Ni1/3Nb2/3O3-PbZrO3-PbTiO3,即xPb(Ni1/3Nb2/3)O3-(1-x)Pb(ZrδTi1-δ)O3(0.2≤x≤0.6,0.2≤δ≤0.5)三元系固溶体的压电性能进行了研究,结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界(MPB)附近,压电常数d31值可达260×10-12C/N.讨论了结构相变对压电性能的影响.     

掺钛铌镁酸铅铁电体的自发和场诱导相变

测试了掺钛铌镁酸铅系列铁电陶瓷介电和热释电温度梯,观察到自发和场诱导正常铁电体－驰豫型铁电体－顺电体相互转变的现象,在分析这一相变的特点和相应结构特征的基础上,提出了驰豫型铁电体钠米极性微区的动态结构模模型。     

铌锌酸铅基陶瓷的电致伸缩特性与极化机制

系统地测度了铌锌酸铅基系列陶瓷ＰＺＮ－ＢＴ－ＰＴ（８５－１０－５，８０－１０，７５－１０－１５）的电致伸缩应变，电滞回线和介电性能，研究了它们的电诱应变同极化强度关系。     

温度稳定型Ph(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3基复相陶瓷的制备及介电性能

选取居里温度不同的两组元，对其中一组元包覆ＰＴ，再与另一组元混合烧结，制备出满足Ｘ７Ｒ 温度稳定特性的复相陶瓷．用ＴＥＭ观察了ＰＴ包覆前后粉末的颗粒形态，结果表明，ＰＴ较好地附着 在颗粒表面ＰＴ包覆层的存在抑制了两相的固溶反应，使材料保持复相结构，改善了材料的介电温度特 性分析了 ＰＴ包覆层的作用     

(Ba_(1-x)Sr_x)(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3微波介质陶瓷微结构对介电性能的影响

采用传统的固相烧结法制备(Ba1-xSrx)(Zn1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷,研究微结构对介电性能的影响.随着系统中Sr2+含量的增多,介电常数和温度系数发生异常呈现非线性变化,这是由于氧八面体的畸变而导致的相转变造成的,相转变的发生相应影响了极化以及极化模式.相转变及氧八面体畸变对介质损耗没有明显的影响,介质损耗受到Sr2+含量及烧结温度的影响较大.