Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

介绍了Ⅲ Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括LEC、VCZ、VGF/VB、HB的发展现状 ;欲生长大直径、高质量单晶 ,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前 ,全世界Ⅲ Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约 5亿美元。     

十年来上海Ⅲ—Ⅴ族化合物的进展

本文总结了十年来上海对Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的材料、特性应用和物理化学方面的研究与发展概况,并展望了其前景。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的禁带宽度与元素电负性差的关系

从化学键角度出发,利用Ⅲ—V族二元化合物元素间的电负性差△X*对禁带宽度作图的方法,发现化合物半导体的禁带宽度E_g随组成元素间的电负性差△X*的增加而增加,且基本上成直线关系,电负性差小于0.5的化合物是直接能隙半导体,大于或等于0.5的化合物是间接能隙半导体。由此直线关系导出了一元回归方程并计算得到不同组分下十一个三元合金和九个四元合金的禁带宽度,其值与用内插法等所得计算值及实验值间符合较好,文中对此规律作了定性解释。     

分子束外延(MBE)Ⅲ-Ⅴ族材料及其器件应用的进展

随着分子束外延(MBE)生长环境清洁度的改善和生长工艺技术的改进,MBE GaAs 的纯度、AlGaAs/GaAs 异质结界面质量和外延层的性能等都有明显提高。MBEⅢ-Ⅴ族三元、四元合金(如 InGaAs、InAlAs、InGaAlP、InGaAsP…等)的研究也取得了重要进展。目前MBE 不仅已能生长出性能完全可和 LPE、VPE 相比或甚至更优的Ⅲ-Ⅴ族材料的微波器件和激光器件、更为引人注目的是它在超晶格、量子阱和调制掺杂异质结二维电子气等方面的研究,制备出了越来越多的,用其它方法不能制备的,性能优异的新型器件。MBE 所取得的成就,充分表明它是发展下一代半导体微结构器件的关键技术。     

MOCVD法生长Ⅲ—Ⅴ族化合物材料近红外光致发光的测量

本文利用近红外光致发光技术测量了ＭＯＣＶＤ生长的Ⅲ－Ⅴ族化合化物Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ和ＩｎＰ中的深能级发光，研究这些深能级发光对激发强度和温度的依赖关系；讨论了Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层深能级发光的辐射机理和来源，得出了ＩｎＰ外延层的Ｃ带发光的热激活能。     

氢化物—原子荧光法测定Ⅲ—Ⅴ族三元化合物半导体的组分

一、引言 氢化物-原子荧光法测定Ⅲ族和Ⅴ族元素如As、Sb、Bi等的检测下限较低,可达10~(-9)～10~(-10)克。因此将这种方法推广到Ⅲ—Ⅴ族多元化合物半导体的组分测定中去,有望得出满意结果。已经证明,Ⅲ—Ⅴ族多元化合物的组分及其分布对器件的光学,电学和结构等特性有决定性的影响。目     

MOCVD法生长Ⅲ－Ⅴ族化合物材料近红外光致发光的测量

本文利用近红外光致发光技术测量了ＭＯＣＶＤ生长的Ⅲ－Ⅴ族化合物Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）和ＩｎＰ中的深能级发光，研究了这些深能级发光对激发强度和温度的依赖关系；讨论了Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延层深能级发光的辐射机理和来源，得出了ＩｎＰ外延层的Ｃ带发光的热激活能。     

Ⅲ-Ⅴ族绿、黄发光二极管与材料研究的新进展

一、前言 十多年前,可见光LED(发光二极管)的商品化标志着其工艺的成熟。然而在这一领域,科技工作者围绕着提高发光效率进行了不间断的努力,无论是对原有器件工艺的改进还是发光机理的研究,以及对深能级无辐射中心的形成和消除等条件的探索都大大地向前推进了一步。十年来,涉及这方面的资料是极其浩繁的,本文仅侧重于对绿、黄LED的进展作一简要的叙述。     

Ⅲ—Ⅴ族氮化物半导体材料研究概述

综述了ＧａＮ，ＡｌＮ及其固溶体等Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体材料的结构，性能与ＭＯＣＶＤ生长技术，并着重阐明其研制，开发现状及应用前景。     

MOCVD法生长Ⅲ—Ⅴ,Ⅱ—Ⅵ族化合物用新前体

综述了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 MOCVD 技术中新前体的发展近况,讨论了发展新前体的动力及当前达到的水平和问题,分析了分子结构与前体热稳定性、化学稳定性、熔点及蒸汽压之间的关系。     

Ⅲ—Ⅴ族半导体材料的现状和新进展

一引言Ⅲ—Ⅴ族半导体是比Si更为重要的微波和光电材料。过去对这类材料的体单晶和外延层生长的努力,使它们的质量有很大的提高,从而满足了微波和光电器件的要求。当今,面对正在发展的高速、高功率和超品格器件以及光、电集成电路的要求,Ⅲ—Ⅴ     

NH3,PH3热分解对Ⅲ-Ⅴ族半导体MOVPE外延生长的影响

以GaN和(Ga_1-xIn_x)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH₃和PH₃热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响.根据外延生长过程中NH₃和PH₃实际分解状况,建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型,进而应用Thermo-calc软件计算出与之对应的成分空间.计算结果与实验数据的对比表明:GaN和(Ga_1-xIn_x)P半导体的MOVPE过程的热力学分析必须根据V族气源物质NH₃和PH₃的实际热分解状况,进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测,完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程.     

Ⅲ—Ⅴ族化合的半导体单晶材料发展动态

介绍了Ⅲ－Ⅴ族化合的单晶生长工艺包括ＬＥＣ、ＶＣＺ、ＶＧＦ／ＶＢ、ＨＢ的发展现状；欲生长大直径、高质量单晶，仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前，全世界Ⅲ－Ⅴ族半导体单晶产量约８０ｔ，产值约５亿美元。     

我国 Ⅲ-Ⅴ族化合物和MOCVD研究成果显著——1989年全国GaAs及有关化合物会议和第一届全国MOCVD会议在安徽召开

1989年10月20日至24日在安徽省太平县由中国有色金属学会半导体学术委员会召开了1989年全国 GaAs 及有关化合物会议和第一届全国 MOCVD 会议。会议由上海冶金所、上海有色金属学会、上海金属学会主办。来自全国科研、生产和教育等52个单位的270名代表出席了会议,会上以各种方式交流的论文多达240余篇。     

计算Ⅲ—Ⅴ族三元和四元混晶晶格常数的一个经验公式

本文利用Ⅲ—Ⅴ族化合物的电负性差对晶格常数作图的办法,给出了计算混晶晶格常数的一个经验公式,计算结果与内插法算得的数据是符合的。     

钒(Ⅴ)-次磷酸钠-偶氮胂Ⅲ体系催化动力学光度法测定痕量钒

基于0.016 mol/L的H2SO4介质中,痕量钒(Ⅴ)对次磷酸钠(NaH2PO2)还原偶氮肿Ⅲ(AsAⅢ)的褪色反应有明显的阻抑作用,建立了测定痕量钒(Ⅳ)的动力学光度法.钒(Ⅴ)质量浓度在0～4.0μg/L范围内服从比尔定律,方法检出限为0.058μg/L.在25 mL溶液中,测定0.1→μg钒(Ⅴ)的相对标准偏差为1.5%(n=11).讨论了酸度、反应物浓度、温度、反应时间、干扰离子等因素的影响,研究了反应的最佳条件,并测定了一些动力学参数,催化反应的表观活化能为46.80 kJ/mol.用于测定人发和茶叶样品中痕量钒(Ⅴ),相对标准偏差为3.0%～4.2%,标准加入回收率为98.2%～101.4%.     

稀土-石墨层间化合物的合成和应用前景

本文综述了关于稀土-石墨层间化合物的研究成果和最新研究进展，着重介绍了稀土-石墨层间化合物的合成和应用前景。对石墨、稀土-石墨层间化合物在润滑、密封方面的应用作了详尽的介绍和预测。     

MOCVD法GaSb外延层特性研究

报导了应用ＭＯＣＶＤ系统在半绝缘ＧａＡｓ和ｎ－ＧａＳｂ衬底上外延生长的非故意掺杂ＧａＳｂ外延层的特性。通过低温、变温光致发光和霍耳效应测定了ＧａＳｂ外延层的光学和电学性质。ＰＬ测量观察到两种主要的复合机制，Ｄ一Ａ对复合和束缚激子复合的发光，其峰值能量位置分别出现在７７５ｍｅＶ和８０３．７ｍｅＶ，束缚激子蜂（未分辨开的）的半宽度为１０．８ｍｅＶ。     

GSMBE法ZnSe外延层中的晶体缺陷

ＧＳＭＢＥ法ＺｎＳｅ外延层中的晶体缺陷日本三菱电子公司最近研究了气态源分子束外延ＺｎＳｅ膜初始阶段的晶体缺陷。实验以金属锌和Ｈ２Ｓｅ为源，在具有（４×８）Ｇａ稳定表面的（１００）ＧａＡｓ缓冲层上生长ＺｎＳｅ。用反射高能电子衍射（ＰＨＥＥＤ）原位监测了...     

V(Ⅴ)-KBrO3-偶氮胂Ⅲ催化光度法测定痕量钒的研究

在H2SO4介质中,以抗坏血酸为活化剂,KBrO3氧化偶氮胂Ⅲ的反应受痕量钒的催化而加速.由此建立了测定痕量钒的方法,方法的测定范围为0.0～1.5×10-7g/L,检出限为1.8×10-9g/L.用于水体及小麦中痕量钒的测定,RSD(n＝5)为1.2%～2.3%,加标回收率为97%～103%.