兰宝石生长者的收获

最少有三个实验,用恰克拉斯基法而不用古老的维涅耳或粉末和火焰熔融法,从熔融氧化铝生长出兰宝石棒。用近代的水热法,可以生长出高质量的晶体,但体积却很小用维涅耳法生长的晶体,通常具有应力,并且不均匀。     

无位错非掺杂 InP 晶体生长

借助于缩颈工艺用液封直拉法生长了无位错非掺杂 InP 晶体,生长时需要在固-液交界面附近有一个低的温度梯度。温度梯度为55℃/cm 时,能生长在<111>p 方向拉制的无位错晶体,其直径可达15mm。从晶体各部位切出的片子的腐蚀表面上均未观察到腐蚀坑(D 或 S 坑),这就认为晶体中不存在微缺陷。     

中频感应加热法电子秤称重自动控径生长Nd:YAP激光晶体

本文在石墨电阻加热法电子秤称重自动控径生长YAP晶体基础上,进一步研究了中频感应加热条件下的自动控径技术。实现了自动升温、放肩、等径、收尾和程序降温。长出了直径20±1毫米,长150毫米,径差≤±1％的透明单晶。其光学质量和激光性能不劣于用温控或人工精心控制生长的晶体,而比电阻加热生长的晶体质量要好得多。文中还介绍了中频感应法生长YAP晶体的简便温场设计。     

引上法生长晶体的温场与界面形状

一、引言利用引上法生长的晶体,对平行于生长方向的两个平行平面加以抛光,如果晶体对可见光是透明的,用偏光显微镜,甚至用肉眼就可以看到一系列的横向生长条纹;如果晶体对可见光是不透明的,就要先腐蚀再用金相显微镜观察。这些横向生长条纹是晶体     

引上法生长InSb单晶的固液界面形状

用引上法等方法生长的晶体所产生的电阻不均匀性,因生长条件(例如生长速度、固液界面形状、生长方向等)不同,晶体内的杂质分布也不同。对InSb晶体也看到了资料所提出的电阻不均匀性,并分析了造成不均匀性的原因。本文介绍按〈111〉方向拉晶、固液界面成凸状时,若提拉速度很快,一离开融液,晶体尾部就可明显地看到Y字形变形。而且,这种现象与晶体杂质浓度的不均匀性关系很大。典型的Y字形如图1所示,晶体周围全裂开了,可见晶体周围和中心部位的生长速     

用提拉法生长氧化物晶体时的一些问题

生长铌酸盐、钽酸盐和石榴石这样的氧化物晶体时,用一稳定方法生长直径不变的晶体往往碰到某些困难。本文通过模拟熔体中的液流和温场研究了金属和半导体晶体生长时不曾遇到的两大问题。一个是生长界面形状随液流变化由凸转向凹时,熔体流动由自然对流转变为生长时晶体旋转所产生的强制对流所引起的。另一个是晶体周围的热不对称引起的,而且只有当晶体和坩埚的温差或熔体的温度梯度低以及强制对流为主体时才发生。本文给出了强制对流肚过自然对流而占优势时的临界雷诺数。详细地研究了石榴石晶体生长时,其界面形状的突变情况。     

用激光加热熔区的无坩埚区熔红宝石晶体

1 引言当前红宝石晶体仍然优先采用火焰法生长。采用这种方法会产生较大的温度梯度,因而使长成的晶体有较大的应力。晶体的光学性能比较不均匀。获得较好晶体的生长方法有熔盐法或气相生长以及水热法。但是这三种方法都比较费钱,而且长出的晶体较小。近来红宝石和石榴石晶体也可由坩埚中     

生长速率对碲镉汞晶体组分变化的影响

在一个宽的生长速率范围生长了碲镉汞晶体。用光学透射法和密度测量法研究了所生长之晶体的轴向和径向的组分变化。以较慢的速率生长的晶体,轴向组分分布类似充分混合的熔体正常凝固时的情况。可以用边界层机理来解释这些晶体中径向组分的变化。在快速生长的晶体中,观察到了所希望的均匀的轴向组分分布,而径向的组分变化可以用热流的影响加以解释。     

由熔体中生长氧化物晶体的固液界面形状

1.提拉法生长1.引言用射频加热提拉法生长高熔点氧化物晶体一直是最广泛应用的方法。提拉法生长刚玉最初是用钨坩埚实现的。这种坩埚材料引起不希望有的杂质进入熔体,并使晶体中含有许多金属包杂。提拉法使用W和Mo坩埚仅限于在真空中生长蓝宝石,但有的文章报导用别的生长方法使用这些材料获得了较好的结果。更广泛应用的坩埚材料则是铱,它能使     

用激光束控制直径的拉制晶体自动装置

1 引言采用引上法从一致熔融材料的熔体中生长大尺寸单晶是一种较好的方法。用这种方法可在较短的时间里获得满足化学和结晶学质量的晶体。在引晶期和晶体扩大到所希望的直径以后,晶体外形的变化受到非常敏感的进入和散出热流的交换以及拉晶速率变化的共同作用的影响。因此在通常情况下,引上法生长过程要求持续地加以监视。瞬间的生长条件不容易辨别,因而直径的变化只有在晶体提拉过一段距离之后才能被发现。     

用于表面波器件的LiTaO_3晶体的生长

使用廉价的Pt/Rh坩埚代替贵重的铱坩埚,用提拉法能成功地生长出大的“表面波级”单晶,直径可达2.5～3.0英寸,长4～5英寸。由于坩埚中铑杂质的原因,长出晶体的颜色是从深褐色到浅黄色。对于光吸收、Rh杂质浓度和生长情况之间的关系进行了研究和讨论,并与从铱坩埚生长晶体的情况进行了比较。为了用廉价生长的大单晶做器件,所以对晶体组分的变化,表面声波(SAW)性质的重复性和可靠性进行了检验,发现这种晶体非常适合于SAW器件的应用。     

国外资料索引

一、红外器件 601 Ⅳ-Ⅵ化合物与合金的水平非密封汽相生长 Horizontal unsealed vapor growth of Ⅳ-Ⅵ compounds and alloys, Th. C. Harman, J. P. McVittie, AD. A006315, 13p(1975)。用不密封的水平闭管法生长了各种铅盐类化合物与合金的优质大晶体。用实验方法确定了最佳生长条件,检验了晶体的完整性以及电性能。     

SAW器件用的L_1TaO_3单晶的生长

用提拉技术并用经济的Pt-Rh坩埚代替高价的Ir坩埚能成功地生长了直径2.5—3.0吋长约4—5吋的大的“SAW级”LiTaO_3单晶.由于坩埚中的Rh杂质使生长的晶体呈深褐色到浅黄色.测定了光吸收、Rh杂质浓度和生长状态之间的共系并进行了讨论,并与Ir坩埚生长的晶体作了比较.从组分变化、SAW特性的再显性、器件制作的适用性等方面断定生长大晶体比较经济,这种晶体的质量可满足SAW器件的应用     

低温汽相生长CdTe

一、引言近来人们的注意力都集中在低温生长Ⅱ—Ⅵ族化合物上,这是由于确定这些化合物的本征特性需要高质量的晶体。在低温生长的诸多方法中,MBE,MOCVD,以及液相或汽相外延生长是众所周知的,然而,在相对低的温度下用升华法生长晶体也受到注意。     

硅胶体中TGS单晶的生长

在室温下,已经从硅胶体中长出了11mm×7mm×3mm的TGS单晶。本文报道了实验技术、晶体成核过程和生长特性以及生长的晶体形态研究。发现当胶体的PH值为2.5或高于2.5时,胶体中只形成TGS晶体。PH在2到2.4之间时,则形成TGS和DGS(硫酸二甘钛)晶体。当胶体的PH值小于2时,在胶体中只形成DGS晶体。     

哺乳动物骨骼组织中羟磷灰石晶体生长过程的原子力显微镜研究

本文以哺乳动物牙齿中enamel晶体为例,简要地报道了用原子力显微镜现场跟踪用高氯酸处理过的enamel晶体在模拟其5生长环境中的生长过程,结果表明:enamel晶体经高氯酸处理后,碳酸根离子可能取代晶体中的磷酸根离子从而增加了生长位点,该研究为直接探索有机与无机之间的相互作用具有非常重要的指导意义。     

大尺寸Bi_（12）S_iO_（20）单晶生长的研究

本文介绍了ＢＳＯ单晶的若干主要性能。报导了用电阻加热提拉法，从φ８０×６０ｍｍ铂金坩埚中生长出φ４０×６０ｍｍ重达８００克左右的优质ＢＳＯ大单晶。研究并确定了生长大尺寸ＢＳＯ晶体的工艺条件，并对晶体中若干主要缺陷进行了观察分析，讨论了它们与生长工艺条件的关系，以及提高晶体质量的主要途经。     

用热交换器法(HEM)生长晶体

研究了用热交换器法(HEM)生长蓝宝石和尖晶石晶体的固液界面的发育及其有关过程的参数。晶体生长达到最佳化,生产出的晶体占全部材料的95～100％不存在气孔和散射中心。     

专利与文献

一、激光器件 7001激光晶体完整性 Perfection of laser crystals, Deng Peihen,Proe. Inter, Conf on Lasers＇85, 1986, pp. 452-459. 已观察到Nd:YAG激光晶体中缀饰位错,详细研究了该晶体的不完整性对激光性能的影响。根据上述结果和改进生长工艺,用提拉法可生长出优质Nd:YAG晶体。也可用X射线形貌学描绘和研究红宝石和BeAl_2O_4:Cr晶体中的缺陷。〔义〕 7002 用直拉法生长晶体时固液界面附近的应力 Stresses near the solid-liquid interface during the growth of a Czochralski crystal, J.C.Lambr opoulos, J. of Crystal Growth, 1987, Vol. 80,NO. 2, p. 245. 本文介绍的数值计算和分析法,可用于计算采用     

KNdxLn1-xP4O12（Ln=La、Gd、Y）晶体的研究

用蒸发溶液法生长了一系列KNdxL1-xP4O12晶体（其中Ln=La、Gd、Y），测定了所生长晶体的X射线衍射图，用计算机计算了它们的晶格常数。结果表明。随着La^3＋的含量增加晶晦体积增大，而随着Gd^3＋或Y^3＋的含量增加晶胞体积减小。测定了KNdxLn1-xP4O12晶体的红外光谱、荧光光谱和荧光寿命。其荧光寿命随着Ln^3＋离子浓度的增加而增加。