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本文通过分析固定频率、峰值电流模式升压DC-DC变换器中斜坡补偿的基本原理,提出了一种简单实用的斜坡补偿电路。该电路利用恒定电流充放电型振荡器产生的斜坡电压信号,通过一个V-I电路转换成可作为斜率补偿用的斜坡电流信号。 相似文献
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文中主要讨论了峰值电流控制模式的斜坡补偿的原理和意义,设计了移相全桥零电压开关控制电路中的斜坡补偿电路。 相似文献
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峰值电流控制中斜坡补偿电路的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
针对峰值电流控制中产生次谐波振荡的问题,阐述了峰值电流控制的不稳定性及原因,研究了斜坡补偿与系统稳定性的关系,给出了实际斜坡补偿电路及设计方法。 相似文献
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为更好实现LED恒流控制,保证LED发光色度,采用峰值电流控制技术设计LED背光源。将BOOST网络中的电感峰值电流作为直接控制量,通过对电感电流的采样形成控制内环;通过对输出LED电流值采样和变换,形成电压外环。为了提高电路稳定性,采用了斜坡补偿技术和特定的网络补偿技术。 相似文献
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基于中科渝芯40 V双极型工艺,完成了一种峰值电流模式DC-DC电压转换器控制电路的模块设计、芯片版图设计和流片验证,其通用于升压、降压、反相的场景,并可以实现输出电压可调。电路采用峰值电流模式的PWM控制方式,能够更好的提供瞬态特性以及重载下的输出性能。芯片集成功率开关管,采用类三角形分布式发射极版图设计,保证足够发射区面积的同时有效降低了基极电阻,减弱了电流集边效应,弥补了发射极去偏置效应,并且不增加额外面积。实测数据表明:外接1 nF的定时电容可产生约32 kHz的振荡频率,功率开关管关态集电极电流低至52 nA,功率管直流电流增益约为131,基准电压温度系数约为0.09 mV/℃,静态电源电流低,约为2.7 mA。 相似文献
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峰值电流控制开关电源的反馈补偿问题研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对电流控制模式降压型开关电源芯片,探讨了输入电压的不同以及工作温度的差异造成对输出带负载能力和峰值电流的影响。在电流反馈回路的斜坡补偿模块中,加入随输入电压线性变化的基准电流源,以补偿不同输入电压对采样与斜坡补偿峰值电压造成的差异。此外,对反馈环中的比例电阻采用不同的工艺制作,通过电阻的温度系数补偿由采样电阻随温度变化所造成的采样电压的变化,减小温度对电路的带负载能力和峰值电流的影响。改进后,在相同环境温度下,4.7V到30V输入时,输出最大负载电流差异由2A降为0.5A。电阻改进后,从27℃到150℃,输出最大负载电流几乎不变。 相似文献
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设计了一款基于SMIC 0.35 μmBCD工艺的降压型DC-DC转换芯片,主 要应用于大 功率宽输入范围的电源管理系统。采用峰值电流型PWM控制方式提供优良的负载调整特 性和抗输入电源扰动能力;在电流采样的输出端添加斜坡补偿模块消除峰值电流模式引起 的次谐波振荡问题;设计高增益、大带宽的电压反馈误差放大器以提供大的负载调整率并 提高负载的瞬态响应能力;设计高单位增益带宽的PWM控制器以满足高开关频率工作的 要求,同时提高转换效率。此外,加入了一系列保护模块以维持芯片的正常工作。系统仿 真结果表明:在10 V的输入电压范围内, 稳定输出5.5 V电压,开关频率为330 kHz, 额定输出电流为1.5 A,在输入范围内的转换效率均在80%以上,典型应用下转换效率高 达90%。 相似文献
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峰值电流模升压变换器分段线性斜坡补偿设计 总被引:3,自引:0,他引:3
结合一款升压型直流-直流变换器,介绍了峰值电流模式中的斜坡补偿基本原理,提出了一种分段线性斜坡补偿电路。该电路提供的补偿信号在不同占空比空间具有不同的斜率,减小了斜坡补偿对系统带载能力、瞬态响应的负面影响。 相似文献
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在降压转换器中,为了在不同的负载情况下获得高效率,常采用的方法是在重载时使用脉冲宽度调制(PWM),在轻载时使用脉冲频率调制(PFM),因此需要模式切换信号去控制整个降压转换器的工作状态,同时模式切换信号也可以用于自适应改变功率级电路中的功率管栅宽,减小功率管的栅极电容,提高整体电路的效率。文章设计了一个自适应峰值电流模式切换电路,用于产生模式切换信号,其原理是监控峰值电流的变化,产生峰值电压,将峰值电压与参考电压进行比较,得到模式切换信号,以决定降压转换器是采用PFM模式还是PWM模式。仿真结果表明,在负载电流0.5~500 mA范围内,该电路可以在两种调制模式之间平稳切换,其峰值效率可提升到94%以上。 相似文献
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峰值电流模式升压型直流-直流转换器在连续导通模式下,当占空比大于50%时会出现闭环不稳,产生次谐波振荡等现象,需进行斜坡补偿.讨论了斜坡补偿的意义,并设计了一种结构简单的电流检测和斜坡补偿电路,该电流检测采用一种电流负反馈电路进行电压箝位,斜坡补偿时未采用传统的加法器对补偿斜率相加的方式,而是直接将采样电流和补偿电流在电流节点加和,解决了比较器引入附加回路对带宽的限制,瞬态响应速度较快.此电路基于MagnaChip公司HL18GFL 0.18 μm工艺设计,并进行了流片.测试结果表明,斜坡斜率为3.17 mV/ns,满足系统稳定性要求.本电路面积仅为128.7 μm×62.8 μm,电流检测精度在5%以内. 相似文献