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相似文献
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1.
《半导体技术》2006,31(9):I0001-I0004
动机及ViPR工艺概况 近期,业界在减少制造过程中晶圆表面硅和氧化硅的损耗总量方面已经做出了较大的努力,硅在工艺中的损耗可能会导致器件电气性能的下降,如图[1]。同样也已验证,灰化处理会造成晶圆表面的氧化和无序化,并且会导致在灰化后清洗(PAC)工艺中硅和氧化硅材料的损耗增加[2,3]。除了在PAC过程中降低化学试剂的温度外,  相似文献   

2.
光刻工艺稳定性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
光刻技术是一种精密的表面加工技术,它是一种图形技术与图形刻蚀工艺相结合综合性工艺,是平面工艺中至关重要的一步,其工艺质量是影响器件性能、可靠性及成品率的关键因素之一。本文主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法,并通过分析和实验得出了稳定性方案。  相似文献   

3.
半导体集成电路制造中,光刻工艺是整个制造过程中的核心技术.而光刻掩模(Reticle,Photomask)则为光刻技术中的最为关键的部件.随着半导体生产技术的不断提升,光刻掩模对静电放电敏感度也越来越高,如何防护光刻掩模避免遭受静电放电的损坏,已成为目前半导体集成电路制造中的一项挑战.  相似文献   

4.
本文主要针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度.分析了影响光刻对准的各个主要因素.主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法。  相似文献   

5.
IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
主要针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法.  相似文献   

6.
IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法。  相似文献   

7.
在集成电路制造中随着光阻层数的增加和可允许的材料损失和表面损伤数的下降,光阻剥离变得越来越具有挑战性。由于光阻表面的去氢化和无定型碳层的形成,高剂量注入的光阻剥离尤其变得困难。为了使注入后光阻剥离变得容易,这层无定形碳可以采取物理的攻击例如干法灰化中的离子轰击。然而,这些物理攻击方法容易导致表面损伤和增加材料的损失。  相似文献   

8.
FSI International日前宣布,一家主要的存储器制造商将FSI带有独特ViPRTM全湿法无灰化清洗技术的ZETA清洗系统扩展到NAND闪存生产中。该IC制造商就这一机台在先进的NAND制造中可免除灰化引发损害的全湿法光刻胶去除能力进行了评估。客户对制造过程中无灰化光刻胶剥离法、实现用一步工艺替代灰化-清洗两步工艺的机台能力给予肯定。除了减少缺陷外,用户们还受益于通过一步工艺缩短了总的工厂生产流转周期。  相似文献   

9.
《液晶与显示》2006,21(1):33
随着TFT—LCD电视市场的需求,TFT—LCD基板尺寸不断扩大,使TFT制造工序简化已是迫在眉睫。一般TFT制造工序有5~8道光刻工艺,韩国LG菲利蒲公司于2000年开发了4道光刻TFT制造工序,并于2004年7月起该公司80%TFT生产线采用4道光刻技术。目前该公司正在开发3道光刻技术,而且三星公司也采用了4道光刻技术。4道光刻技术不仅简化了TFT制造工艺,降低制造成本,而且将成为TFT制造主导技术。  相似文献   

10.
金属铝刻蚀工艺简介   总被引:1,自引:0,他引:1  
在集成电路的制造过程中.刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分.刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀后者是利用等离子体来进行各向异性刻蚀,可以严格控制纵向和横向刻蚀。  相似文献   

11.
随着器件特征尺寸的不断减小,传统光刻技术的加工分辨率受限于衍射极限已接近使用化技术的理论极限且成本过高。无掩模光刻技术是解决掩模价格不断攀升而引起成本过高的一种潜在方案,以成本低、灵活性高、制作周期短的特点在微纳加工、掩模直写、小批量集成电路的制作等方面有着广泛的应用。基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术在提高分辨率和产出率方面取得了一定的进展,理论和实验上均取得了较好的效果。详细归纳介绍了基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术的原理、特点以及研究进展。  相似文献   

12.
《今日电子》2012,(4):71-72
Agilent N4392A是一款便携式、完全集成的光调制分析仪配有大尺寸显示屏,可加快深入分析复杂调制光信号的速度。紧凑的设计和适中的价格使该光调制分析仪更适合所有工程师使用,以便在40/100Gb/s相干发射机和接收机开发和制造过程中对复杂的调制光信号进行分析。  相似文献   

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