OPTICAL FIBER-MOBILE COMMUNICATION

ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ...     

CMOSIC中浮置栅缺陷的电气模型：I_（DDQ）测试的意义

ＣＭＯＳＩＣ中浮置栅缺陷的电气模型：Ｉ＿（ＤＤＱ）测试的意义＝ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｍｏｄｅｌｏｆｔｈｅｆｌｏａｔｉｎｇｇａｔｅｄｅｆｅｃｔｉｎＣＭＯＳＩＣ＇ｓ：ｉｍｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｎＩ＿（ＤＤＱ）ｔｅｓｔｉｎｇ［刊，英］／ＣｈａｍｐｅｃＶ．Ｈ．...     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

适用于数字CMOS集成电路的模拟相位测量电路

适用于数字ＣＭＯＳ集成电路的模拟相位测量电路＝ＡｎａｌｏｇｐｈａｓｅｍｅａｓｕｒｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｆｏｒｄｉｇｉｔａｌＣＭＯＳＩＣ＇ｓ［刊．英］／Ｒｏｔｈｅｒｍｅｌ．Ａ．…ＩＥＥＥＪ，ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９３，２８（７）．...     

美国大力开发MCM

美国大力开发ＭＣＭＬｅａｄｉｎｇｔｈｅＣｈａｒｇｅｉｎｔｏＭｕｌｔｉｃｈｉｐＭｏｄｕｌｅｓＨｏｗａｒｄＢｉｅｒｍａｎ具有６４Ｍｂｉｔ存储芯片、１４００Ｉ／Ｏ引线的２５０ＭＨｚ微处理器和３０００Ｉ／Ｏ的专用集成电路（ＡＳＩＣ）将成为未来的通用器件。销售...     

全耗尽SOI MOSFET及CMOS／SOI电路的研究

采用ＳＩＭＯＸ材料，研制了一种全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ模拟开关电路，研究了全耗尽ＳＯＩ ＭＯＳ场效应晶体管的阈值电压与背栅偏置的依赖关系，对漏源击穿的Ｓｎａｐｂａｃｋ特性进行分析，介绍了薄层ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ制作工艺，给出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的测试结果。     

薄膜SOI／CMOS器件结构的设计考虑

薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件结构的设计考虑＝Ｄｅｓｉｇｎｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓｆｏｒｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩ／ＣＭＯＳｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ａｏｋｉ．Ｔａｋａｈｉｒｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，－１９８９．５...     

耗尽态SIMOX MOS晶体管的低频噪声

耗尽态ＳＩＭＯＸＭＯＳ晶体管的低频噪声＝Ｌｏｗ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｎｏｉｓｅｉｎｄｅｐｌｅｔｉｏｎ－ｍｏｄｅＳＩＭＯＸＭＯＳｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊．英］／Ｅｌｅｗａ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．－１９９１．３８（２）．－３...     

完整UHF无线电收发器用FM/FSK电路

ＭＸ－ＣＯＭ Ｉｎｃ公司推出ＣＭＸ０１７发送器ＩＣ和ＣＭＸ０１８接收器ＩＣ适于ＩＳＭ（工业,科学和医学）频率范围（９００ＭＨｚ）的大量应用（包括模拟和数字窄带）以及扩频无线电链路、无绳电话、手持数据终端和无线局域网。增添少量的其他外围元件,这两款ＩＣ可集成为一种高性价比的小型收发器,在８６０～９６５ＭＨｚ频率范围以５００ｋｂｐｓ数据率发送和接收ＦＭ（调频）或移频键控（ＦＳＫ）信号 ＣＭＸ０１７和 ＣＭＸ０１８ ＩＣ采用２８引脚ＳＳＯＰ封装,工作电压２．７～３．３Ｖ,其特性满足典型电池供电工作环境的要…     

SIMOX结构隐埋氧化层的体电学传导

ＳＩＭＯＸ结构隐埋氧化层的体电学传导＝ＢｕｌｋｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｉｎｔｈｅｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅｏｆＳＩＭＯＸｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［刊，英］／Ｒｅｖｅｓｚ，Ａ．Ｇ．…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．－１９９３，１４０（１１...     

SIMOX中的氧化堆垛层错与用硅片粘合获得绝缘体上硅结构

ＳＩＭＯＸ中的氧化堆垛层错与用硅片粘合获得绝缘体上硅结构＝ＯｘｉｄａｔｉｏｎｓｔａｃｋｉｎｇｆａｕｌｔｓｉｎＳＩＭＯＸａｎｄｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｏｂ－ｔａｉｎｅｄｂｙｗａｆｅｒ－ｂｏｎｄｉｎｇ［刊，英］／Ｂｏｕ...     

1．5μm全耗尽CMOS／SIMOX门阵列的研制

本文介绍了可用于高速、高性能抗辐照专用集成电路设计的１．５μｍ薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列母版的研制．较为详细地讨论了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列基本阵列单元、输入／输出单元、单元库的设计技术以及１．５μｍＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列工艺开发过程．该门阵列在５Ｖ电源电压时的单级门延迟时间仅为４３０ｐｓ．     

SIMOX掩埋氧化物中与时间相关的电子和空穴陷阱

ＳＩＭＯＸ掩埋氧化物中与时间相关的电子和空穴陷阱＝Ｔｉｍｅ－ｄｅｐｅｎｄｅｎｔｈｏｌｅａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｐｐｉｎｇｅｆｆｅｃｔｉｎＳＩＭＯＸｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｂｏｅｓｃｈ．Ｈ．Ｅ．Ｊｒ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．ｓｃ...     

在SIMOX结构中辐照诱生ESR有源缺陷

在ＳＩＭＯＸ结构中辐照诱生ＥＳＲ有源缺陷＝Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ－ｉｎｄｕｃｅｄＥＳＲａｃｔｉｖｅｄｅｆｅｃｔｓｉｎＳＩＭＯＸｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊．英］／Ｓｔｅｓｍａｎ，Ａ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．Ｓｃｉ．－１９９０．３７（６）．－２０...     

短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究

利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ环振经过５ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）剂量的电离辐照后仍能正常工作，其门延迟时间由辐照前的２３７ｐｓ变为３２８ｐｓ。     

适于嵌入应用的一种25MS／s8位CMOSA／D转换器

适于嵌入应用的一种２５ＭＳ／ｓ８位ＣＭＯＳＡ／Ｄ转换器＝Ａ２５ＭＳ／ｓ８－ｂｉｔＣＭＯＳ．Ａ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｃｒｆｏｒｅｍｂｅｄｄｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｐｅｌ－ｇｒｏｍ，ＭＪＭ…∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．...     

Electron Momentum Spectroscopy of Metal and Metal Oxide Thin Films

ＥｌｅｃｔｒｏｎＭｏｍｅｎｔｕｍＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｏｆＭｅｔａｌａｎｄＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＴｈｉｎＦｉｌｍｓＸ．ＧｕｏＭ．ＶｏｓＳ．ＣａｎｎｅｙＡ．Ｓ．ＫｈｅｉｆｅｔｓＩ．Ｅ．ＭｃＣａｒｔｈｙＥ．Ｗｅｉｇｏｌｄ（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｔｒｕｃ...     

INFORMATION FOR AUTHORS

ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＡＵＴＨＯＲＳ￥／／ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＰＨＯＴＯＮＩＣＳＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ（ＳＰＡＴ）ｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｑｕａｒｔｅｒｌｙｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｐｏｓｅｏｆｐｒｏｖｉｄｉｎｇｔｈｅｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｏ...     

一种10位20MS／s3v电源CMOsA／D转换器

一种１０位２０ＭＳ／ｓ３ｖ电源ＣＭＯｓＡ／Ｄ转换器＝Ａ１０ｈｉｔ２０ＭＳ／ｓ３ＶｓｕｐｐｌｙＣＭＯＳＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｅｒ［刊，英］／Ｉｔｏ，Ｍ…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｌｒｃｕｌｔｓ，－１９９４，２９（１２）．－１５３１～１５３６...     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。