半导体激光器的制造新技术

半导体激光器是激光器中的一种,它的制造技术有分子束外延、液相外延、金属有机物化学气相淀积、低压金属有机物化学气相淀积和化学束外延等.结果表明,器件特性与制备方法有关.例如:利用金属有机气相外延生长的GaAs/GaAlAs异质结,可以制造高精致的大功率激光器,其波长为780～880nm.用具有特殊波导特性的质量阱(QW)结构能满足大功率需要.各种参量包括这些层的结构和配合以及多层结构的光、电特性,通过该方法大面积生长外延层而达到最佳化.本文重点介绍上述技术的生长机理、实验系统简图、典型工艺以及在器件制造上的应用.     

利用半导体工艺制造的策透镜阵列及其应用

近来,由于高科技的发展,出现了一种新颖的微透镜阵列。它与传统的光学透镜原理相同,但制造方法不同,是用半导体制造工艺中使用的光刻、离子交换等方法制造而成的微小透镜阵列,这种透镜阵列应用很广,是信息时代极重要的光信息处理关键器件之一。自1991年以来,有关微透镜阵列,召开了多次国际会议,并进行了国际标准化工作。笔者从事光学方面的研究工作已有多年,对国外同行业的发展也极为关注,     

适合工艺计算机辅助设计的半导体圆片表示

适合工艺计算机辅助设计的半导体圆片表示＝ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｗａｆｅｒｒｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎｆｏｒＴＣＡＤ［刊，英］／Ｇｉｌｅｓ，Ｍ．Ｄ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃｏｍｐ．Ａｉｄ．Ｄｅｓ．Ｉｎｔ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｓｔ．－１９９４，１３（１）．...     

光伏新技术为半导体薄膜发电带来新动力

劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员发现一种新的方法,可克服传统固态太阳能电池带隙电压的限制,使半导体薄膜材料可产生光伏效应。该研究小组研究使用的是铋铁氧体-利用铋、铁和氧制作的陶瓷。铋铁氧体是多铁氧体,同时     

适合高频波波纹喇叭的制造工艺

本文简述了适合频波波纹喇叭的迭片套装和镶嵌组合电铸两种制造工艺。着重介绍了其关键技术措施。     

导体性薄膜制造工艺

概述了导电性薄膜制造工艺,适用于制造挠性覆铜板、挠性印制板和电磁干扰(EMI)屏蔽滤波器等用途的导电性薄膜。     

半导体制造工艺中的静电问题

随着半导体器件的微细化设计的进展，我们必须极深刻的地重新认识静电问题，因此。本文在过去半导体制造工艺中的静电问题基础上，结合国内外的文献资料，主要介绍静电问题的所在及其概况。     

反溅射技术——用于制造超高频晶体管的最可靠半导体接触的一种新技术

对微波晶体管质量上的重要要求是在高频时具有高增益及低噪声。为了满足这些要求,在超高频双极晶体管方面致力于高截止频率,小基区电阻及小的发射极-基极电容。这就要在小的基区面积上制造分割得很细的框条结构。目前这种技术的水平是条宽1微米,条距1.5微米。为了制做1微米以下的条距,对形成金属化结构的方法必然要提出更高的要求。较粗结构所用的一般方法是在整个硅衬底面积上金属化,通过感光胶掩模进行湿法化学腐蚀。此法现在已经不用了。因为在感光胶下面的横向腐蚀和纵向腐蚀是同一数量级的。由于一般使用化学腐蚀的金属系统的膜厚(诸如铝、钛-金或钼-金)至少为1微     

半导体蓝色发光二极管制造工艺进展

<正>在各种颜色的半导体发光二极管中,红色和绿色发光二极管的制作工艺较成熟,而蓝色发光二极管的制作则较困难。据《Laser Focus World》1992年3月报道,最近,蓝色发光二极管也获得了较大进展。以往商业上用的蓝色发光二极管仅用SiC材料制成,其峰值发射波长为470nm。由于制造困难,故价格昂贵,且输出功率小。三年前,一只输出2.5μW的器件,其价格达70美元。去年,SiC蓝色发光二极管虽投入大量生产,价格也有较大幅度下降,只有0.97美元,但输出功率仅10μW,发光强度仅为12mcd(毫坎),效率为0.02％。     

半导体薄膜材料物理与工艺的研究进展

半导体薄膜材料是发展微电子技术的先导条件和制备微电子器件的物质基础，本文提出了五个重要转变，并以此为主线着重讨论和分析了半导体薄膜材料物理与工艺的发展过程、规律与特点。     

适合无线电装置应用的芯片制造工艺

IBM公司（位于纽约州的EastFishkill）为了优化无线电与通信系统　所用芯片的性能,功率消耗,以及价　格成本,推出两种工艺。头一种名为CMOS 6RF,是一种RF CMOS工艺　技术,它的原型是该公司的0.25μmCMOS基本工艺,并且从该公司的SiGe BiCMOS工艺中吸取了模拟/混　合信号工艺的特点;它已经被RF芯片　所采用。 它的工艺特点有以下几项:和手　持式装置所需用的电压相适应的二次　氧化层;导电性低的衬底;和具有较好隔　离性能的三重阱n型场效应晶体管。此　外,为了满足RF与混合信号线路的需　要,CMOS 6RF还从该公司的双极工艺　中吸取了一套无源元件制造技术,这些     

高失配半导体薄膜材料的纳米异质外延新技术

纳米异质外延技术是制备高失配半导体薄膜的一种纳米制作技术路线,随着超大规模集成电路纳米图样加工技术的进步,它将在制备无缺陷密度且单晶品质完美的高失配半导体薄膜材料中发挥巨大的作用。详细地综述了纳米异质外延技术的原理,介绍了纳米图样制作技术并展示了运用纳米异质外延技术在Si(111)衬底上实现高失配GaN(失配度为20%)薄膜材料及在Si(100)衬底上实现InP薄膜材料的高品质单晶外延生长。     

利用废物制造宝石新技术动态

珠宝钻玉是十分昂贵的稀有物质。如今,世界各地每年的天然宝石产量已远远不能满足珠宝市场的需求;而且,随着工业技术的发展,更需求多功能、高性能的宝石材料。为缓解市场的平衡,国外竞相开发人造宝石高新技术。据世界权威科学家们的估测:人造宝石产品将成为宝石应用领域主要来源,人造宝石技术也将在未来掀起热潮。 废烟人造钻石 最近,日本东海大学和东名钻石工业公司共同开发了用烟囱冒出的废烟合成钻     

半导体工艺与制造装备技术发展趋势

针对半导体工艺与制造装备的发展趋势进行了综述和展望。首先从支撑电子信息技术发展的角度,分析半导体工艺与制造装备的总体发展趋势,重点介绍集成电路工艺设备、分立器件工艺设备等细分领域的技术发展态势和主要技术挑战。     

一种低成本薄膜多层布线工艺

<正> 薄膜混合电路与厚膜混合电路相比,具有电路元件精度高、稳定性好、集成度高等优点。但其造价高、多层布线困难,因此,在市场竞争中前者不如后者。 为了获得成本低、稳定性好的薄膜电路,国内外有关工作者进行了大量工作。近年来,我们结合微波集成电路的生产进行了尝试,证明真空蒸发NiCr合金薄膜作电阻、蒸发FeCu薄膜作导带是行之有效的。     

介绍几种薄膜制备新技术

一、引言制备薄膜的方法常用的有蒸发、溅射、CVD技术等。激光和电子束制备薄膜,由于其反应时间短、加热温度低且范围也小,加热和冷却迅速等特点而逐     

介绍几种薄膜制备新技术

薄膜是半导体器件制造中常用的材料,它的制备方法有蒸发、溅射和CVD等.激光束和电子束制备薄膜,由于它具有反应时间短、加热温度低、加热范围小以及加热和冷却迅速等特点而逐步受到重视.本文着重介绍用激光束制备半导体膜、金属硅化物膜和介质膜.半导体膜的制备又可分为束辐照再结晶和激光诱导化学气相淀积(LCVD)两种方法.辐照再结晶是使绝缘衬底上的多晶,在激光束的辐照下发生熔化再结晶.形成单晶膜.LCVD是在超高真空系统中,通入SiH_4或GeH_4,在激光束的辐照下分解出硅或锗原子,并淀积于衬底上.如果在系统中加入笑气便形成氧化膜,并比较了用该方法制备的氧化膜与常规热氧化和LPCVD膜.