封装技术部分新词汇(英汉对照)

AreaArray──表面阵列电极（压焊点或球）排市位于管亮或衬底的整个表面而不仅仅局限于周边。BQFP──BumperedQuadFlatPack防护式四周扁平管壳CAV、BGA──CavityBallGridArray腔式球面栅格阵列CBGA──CeramicBallGridArray陶瓷球面栅格阵列CDIP──CeramicDualIn－linePackage陶瓷双列直插式管壳CERDIP──CeramicDnalIn－linePackage陶瓷双列直插式管壳它是由“插式”引脚围绕的两片干压陶瓷构成，具有气密性。CERPAK──结构类似于CerdiP，但引线为扁平式。管脚引出分两侧及四周两种。ChinScalePackaains──…     

陶瓷管壳金属化黑斑的成因探讨

对陶瓷管壳在金属化过程中产生的黑斑进行观察和检测分析 ,对其产生原因进行了探讨并提出一些改进措施。     

等静压电真空陶瓷管壳的研制与性能探讨

研究了不同氧化铝含量的电真空陶瓷管壳配方组成与性能的关系,分析了等静压工艺技术生产电真空陶瓷管壳的诸多因素,并对等静压工艺生产电真空陶瓷管壳的工艺控制、氧化铝含量与性能的关系以及对陶瓷金属化适应性进行了探讨.等静压成型工艺是提高电真空陶瓷管壳综合性能的必要手段,等静压电真空陶瓷管壳氧化铝含量对其机械性能、电性能、金属化适应性有直接影响.     

高热导率SiC陶瓷在LSI管壳中的应用

含有BeO添加剂的SiC陶瓷,适用于大规模集成电路的陶瓷管壳。该管壳结构有点类似于CER-DIP结构工艺,即在SiC陶瓷衬底和陶瓷盖之间采用了一个引线框和密封玻璃垫片,为得到一个高可靠的陶瓷管壳,采用了低膨胀的莫来石(mullite)陶瓷盖和低膨胀的密封玻璃。在SiC衬底的背面用弹性有机硅树脂粘结铝散热片。这种管壳结构中,当热沉的空气流速为5m/s时,其结-环境的热阻约为9℃/W,该管壳的各种特征与目前使用的低热阻和铜冷却螺栓的Al_2O_3管壳相类似。     

SMO-8封装器件的焊接可靠性

SMO-8陶瓷管壳封装的器件在焊接到印制板作温度冲击试验后,管壳底部的陶瓷层出现了裂纹。使用ANSYS有限元分析的方法对管壳焊接到印制板的整体结构的应力分布情况进行仿真分析,找出陶瓷出现裂纹的力学原因。并据此提出SMO-8陶瓷管壳焊接的改进方案:SMO-8管壳接地焊盘由方形设计改为边缘圆弧形设计,然后重新做应力分析。通过对比,在相同温度条件下管壳陶瓷层所受应力分布改善,边沿所受应力值明显降低。根据仿真结果制作样品并对样品做温度冲击试验进行验证。结果表明,圆弧形焊盘设计可以解决SMO-8封装器件焊接后经温度冲击时出现的陶瓷层裂纹问题。     

电真空器件用陶瓷金属化和釉化工艺的改进

随着电力设施的迅速增长和发展 ,城乡电网的全面改造 ,真空开关管 ,特别是陶瓷外壳的真空开关管 ,以其特有的优势在电力行业的应用得到空前的发展。同时 ,推动我国陶瓷金属化、施釉及陶瓷 金属封接技术的进步。新一代的电力、电子器件的高速发展将对陶瓷管壳金属化封接技术以及陶瓷管外观提出更高的要求 ,陶瓷管壳施釉提高了电真空器件的质量 ,使其外观更美观、光亮 ,且不易吸湿和被污染 ,电性能明显改善。但电真空器件用陶瓷管壳需要经过金属化、釉化及陶瓷 金属封接、装配等多道工序 ,它们都是在高温和强还原气氛下进行 ,加上人和环境因素…     

毫米波螺旋线行波管慢波系统高频损耗

基于夹持杆分层螺旋带模型和三维电磁场分析研究了毫米波螺旋线行波管慢波系统的导体和介质损耗。螺旋带模型中介质损耗考虑为纵向传播常数的虚部,给出螺旋带中电磁场的解析解,导体损耗由螺旋线和管壳表面的面电流不连续性获得。三维电磁场分析通过本征模法,求解单周期结构的品质因数和周期储能获得有限导电率导体和夹持杆陶瓷损耗角带来的慢波系统高频损耗。结果表明,毫米波段螺旋线的导体损耗和夹持杆的介质损耗远大于管壳导体损耗,介质损耗与陶瓷损耗角呈线性关系,对高频损耗的影响不可忽略。     

TiO2陶瓷在磁控溅射中电导率改变机理研究

在Ar气氛中对TiO2陶瓷进行射频磁控溅射时，TiO2陶瓷电导经发生显著变化。该文对这一现象进行了研究。采用多种分析手段对实验结果进行了分析。分析表明，辉光放电电离Ar气所产生的Ar离子冲击TiO2陶瓷表面的热量和动量被O^2-吸收，引进O^2-溢出TiO2陶瓷，导致TiO2化学配比偏离正常，从而提高了TiO2陶瓷的电导率。     

集成电路封装热设计的发展动向

本文根据半导体芯片技术的发展和用户的需求论述了影响半导体制造的热设计的发展动向。用几个特例(如双列直插式管壳,陶瓷芯片载体,针栅阵列管壳)来描述封装材料、管壳设计、外部环境和封装集成度的重要性。管壳设计的发展趋势与散热技术的重大进展有密切关系。     

金属清洗剂在塑封硅整流二极管生产中的应用

塑料封装的硅整流二极管,在塑封成形后管壳表面往往有一层甲基硅油(它用来作脱模剂),由于它的存在对喷在管壳表面上的油漆的粘附力有一定的影响,会产生漆泡、波纹状、漆层不光等现象.通常去除甲基硅油的方法是用汽油清洗.这里介绍一种用W P85—1金属清洗剂代替汽油清洗管壳表面甲基硅油的方法.此方法具有操作方便、安全可靠,无污染、材料利用率高等特点,不但提高了管壳的外观质量,而且取得了良好的经济效益,有效地治理了环境污染.     

Nd_2O_3和Sm_2O_3掺杂钛酸锌介电陶瓷的结构与性能

为了改善ZnTiO3介电陶瓷的性能,研究了Nd2O3和Sm2O3掺杂对ZnTiO3陶瓷结构与介电性能的影响,借助TEM型同轴谐振器测量陶瓷的微波介电性能。研究表明,掺杂Sm2O3形成新相Sm2Ti2O7,少量Sm2O3掺杂能有效抑制ZnTiO3分解;掺杂Nd2O3形成新相Nd2Ti2O7和Nd4Ti9O24;Nd2O3和Sm2O3掺杂均能提高谐振器的无载Q值,且Nd2O3的掺杂效果优于Sm2O3:Nd2O3掺杂能使陶瓷的τf从正值向负值变化,通过调整Nd2O3掺杂量(质量分数5%～10%),可获得τf近零、无载Q值大于260的陶瓷组成,可用于制备分米波段的滤波器。     

紫外激光刻蚀氧化锆陶瓷初步研究

描述了KrF准分子激光对氧化锆陶瓷的微刻蚀实验,研究了脉冲刻蚀深度与脉冲数的关系(刻蚀速率),刻蚀的槽的形貌,并进行了刻蚀小孔的初步研究,得到直径为40μm,深度为25μm的微孔矩阵。为KrF激光对该材料的加工提供实验数据。     

激光熔覆原位自生复相陶瓷颗粒增强涂层

借助光学显微镜、X射线衍射仪、电子探针及显微硬度计等手段对熔覆层的组织、物相、元素分布和显微硬度分布特征进行了研究。熔覆层不同位置的凝固特征参数不同,形成的组织亦不同。陶瓷相的引入使得熔覆层晶粒细小,枝晶生长方向发生紊乱。原位反应生成的TiB2,Al2O3为亚微米颗粒,主要分布在晶粒内部,形成晶内复合,而未反应的TiO2,B2O3陶瓷颗粒分布在晶间。熔覆层物相主要为基体的γ相和基体上弥散分布的γ'相以及Al2O3,TiB2等陶瓷相等。研究了激光加工参数对显微硬度分布的影响。磨损试验表明,陶瓷增强颗粒的加入在很大程度上提高了覆层的抗磨损性能。     

TiO_2陶瓷晶界层电容器的研究

本文对TiO_2陶瓷晶界层电容器进行了较为系统的研究。用液相喷雾干燥法制备含Nb~(5+),Ba~(2+)微量杂质的TiO_2超细原料粉末,研究了TiO_2陶瓷的电性能与烧结温度和测试条件的关系,阐述了TiO_2晶界层电容器的形成机制。     

激光熔覆纳米Al2O3复合陶瓷涂层的组织结构

研究了 4 5 #钢表面激光熔覆纳米Al2 O3 复合陶瓷涂层的微观组织结构、显微硬度和磨损特性。结果表明 ,激光熔覆层由α-Al2 O3 和TiO2 以及Al2 O3 纳米颗粒组成 ,在激光的作用下 ,消除了原来等离子喷涂层的片层状组织 ;纳米颗粒仍然保持纳米尺度 ,填充在涂层的大颗粒之间 ,起着桥连的作用 ;同时涂层气孔率的降低使涂层致密化程度得以提高 ,纳米Al2 O3涂层的显微硬度较高 ,且其耐磨性能明显优于等离子Al2 O3 +1 3%TiO2 喷涂层     

陶瓷釉用TiO_2光催化剂的制备研究

制备了SiO2-TiO2和SiO2-ZrO2-TiO2复合光催化剂,并将其加入到陶瓷釉料中,结果表明,SiO2-TiO2,SiO2-ZrO2-TiO2复合粉体经1323 K煅烧后仍具有较好的光催化活性;但用SiO2改性的TiO2粉体添加到陶瓷釉料中,经1323K煅烧后,由于釉料中碱金属及碱土金属等离子的侵蚀,TiO2全部转变为金红石相,所制得的陶瓷釉料不具有光催化活性;而采用ZrO2-SiO2共同改性TiO2粉体添加到陶瓷釉料中,经1323 K煅烧后,TiO2基本上仍以锐钛矿相存在,所制得的陶瓷釉料具有良好的光催化活性;最后对改性TiO2粉体和光催化釉料的光催化机理进行了讨论.     

激光熔覆Al2O3-13% TiO2陶瓷层制备及其抗热震性能

利用高频感应辅助激光熔覆技术在镍基高温合金基体上制备了NiCoCrAl-Y2O3黏结层及Al2O3-13%TiO2(质量分数)陶瓷层。通过扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪分析了涂层的微观结构。实验结果表明,在高频感应辅助激光的作用下,基体与黏结层、黏结层与陶瓷层之间的界面均展现了良好的结合特性,具有明显的界面扩散现象。陶瓷层在激光的作用下形成了三维网状结构,该结构使得陶瓷材料中的TiO2材料与Al2O3材料均匀分布,减少了因不同材料聚集所产生的内应力。同时对涂层进行了热震实验,结果证明了利用高频感应辅助激光熔覆技术制备的Al2O3-13%TiO2陶瓷层具有良好的抗热震性能,适合工作于高温环境。     

掺钛和锆改性的钙硼硅系微晶玻璃之性能

以TiO2、ZrO2为改性剂,制备CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。对其烧结和介电性能进行了研究,并采用XRD,SEM对微观结构进行了探讨。结果表明:添加适量的TiO2或是混合添加TiO2、ZrO2均能改善CaBSi系微晶玻璃的性能。混合添加比单一添加TiO2更有效。结合材料的烧结性能、介电性能和微观结构,以840℃烧成的添加w(TiO2)为2%、w(ZrO2)为2%的试样性能最佳,其εr为7.1、tanδ为3×10–3,在20~400℃之间的热膨胀系数为7.8×10–6℃–1。     

MgAl2O4透明荧光陶瓷用于白光LED的初步研究

简单介绍了白光发光二极管（LED）中与荧光转换材料和封装工艺相关的现状和存在问题,重点介绍了烁光特晶科技有限公司研制的新型铝酸镁荧光透明陶瓷材料。采用自制的铝酸镁粉体分别混合自制和市售的荧光粉制备了荧光透明陶瓷,对其加工并替代传统白光LED中的荧光粉层和环氧树脂封装外壳进行了封装测试。由于荧光转换物质在透明陶瓷中均匀分布,解决了传统工艺中荧光粉易沉降的问题,有利于出光的均匀性;陶瓷材料比树脂等有机材料热导率高,加快了散热;同时,荧光陶瓷机械强度高、耐腐蚀、耐磨损,可直接作为封装外壳,简化了封装工艺,可拓展LED的应用范围。     

Nb_2O_5对氧化铝陶瓷显微结构及性能的影响

研究了SiO2-MgO-CaO-BaO-TiO2-WO3烧结助剂作用下Nb2O5对氧化铝陶瓷性能和显微结构的影响(烧结温度1350℃),并用扫描电子显微镜观察了不同Nb2O5含量的氧化铝陶瓷的显微结构。结果发现:未加入Nb2O5时氧化铝的抗弯强度为365MPa,加入质量分数为0.4%或0.6%的Nb2O5后氧化铝陶瓷中晶粒出现异向生长,抗弯强度明显提高,超过400MPa。