齐纳二极管在瞬态干扰抑制中的应用

随着小（微）型化的电子元器件组成的集成电路在电子设备中的广泛应用,以及空间中越来越复杂的电磁环境,使得电子设备所面临的各种瞬态干扰信号也随之增多。瞬态干扰对电子设备的正常工作构成了严重的威胁,其防护日显重要。本文首先提出了瞬态干扰的特点及其危害,然后根据瞬态干扰和齐纳二极管的特性,介绍了齐纳二极管瞬态干扰抑制原理,并给出了相应的防护电路,最后通过对实际例子的分析表明齐纳二极管能够有效的抑制瞬态干扰。     

0402尺寸二极管：齐纳二极管

罗姆推出齐纳二极管0402尺寸（0．4mm×0．2mm）,这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上。本产品属于较小的半导体产品,和以往的0603尺寸（0．6mm×0．3mm）相比,成功地将尺寸减少了55％。     

聚合物器件与齐纳二极管协同保护电路

在传统的电路保护组件中,经常采用齐纳二极管来防止电路中的极性反转,但是齐纳二极管也同时面临被反向电压击穿的可能.     

齐纳二极管电子辐照特性研究

研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定,辐照引起的变化不明显;较高温度下,击穿电压和正向压降等变化稍大。在动态响应的研究中,瞬态电压消失后,电流迅速减小并产生了随时间衰减的振荡。高注量的样品振荡时间相较于低注量的样品有明显的延长,这个延长在器件室温存放之后发生了消退。     

一种采用齐纳管作为开关器件的Dickson电荷泵电路

文章提出了一种基于Dickson原理的电荷泵电路,采用齐纳管作为开关器件。该电路克服了采用MOS管作为开关器件的Dickson电路在多级级联时的转换效率急剧下降问题,并且可以利用齐纳管来稳定输出电压。Spice仿真结果显示,五级齐纳电荷泵可以轻松在3V电源电压下实现10V左右的稳定电压输出。该电路结构简单,与标准CMOS工艺兼容,具有较高的应用价值和经济价值。     

亚表面齐纳基准二极管可靠性的1／f噪声预测方法

寿命试验和噪声测试结果表明，亚表面齐纳基准二极管的主要失效模式是经历长时间应力作用后基准电压的突然退化，同时发现失效器件皆为高初始１／ｆ噪声器件，而且其寿命与初始１／ｆ噪声电压近似成反比关系．机理分析表明，１／ｆ噪声和基准电压退化均可归因于ｐ－ｎ结耗尽区内的位错．据此，可利用１／ｆ噪声测量对基准二极管的可靠性进行快速且非破坏性的评价．     

万能齐纳二极管测试仪

齐纳二极管的精确度在于击穿电压及其公差。公差可以在5—20％之间变化。这里介绍的万能齐纳二极管测试仪电路，能够检验精确的击穿电压和公差值，还能够检测齐纳二极管的动态阻抗(齐纳二极管的动态阻抗特性决定了该齐纳二极管稳定电压性能的好坏)。如果齐纳二极管用于要求较高的地方(比如数字电压表的电压参数、控制系统和精确的电源电路)，还必须检测其温度系数。但对于业余爱好者，则没有这个必要。     

1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究

分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等.用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11 μV/平方根(Hz)(2 kHz频率点),比设计指标4.0 μV平方根(Hz)低一个数量级.     

电压调整器中的滤波电容

在消费类电子产品系统中,体积越来越小,器件摆放越来越密,模拟、数字部分已很难通过布局有效分开,系统设计工程师往往在电源网络中使用很多     

超低压差单片CMOS电压调整器的设计

设计并实现了一种最大输出电流为500mA的超低压差的单片CMOS电压调整器,对其电路结构及工作原理进行了分析并给出各子电路模块的设计.提出了一种新的内置频率补偿技术,可实现外接低ESR(串联等效电阻)的输出电容,极大地降低成本和改善瞬态响应,实现了精确的过流保护.采用Vanguard 0.5μm CMOS混合信号工艺进行流片验证,测试结果表明输出压差的典型值为100mV,工作电压范围2.5～7v,电流从10mA到500mA跳变时瞬态最大过冲电压为50mV,转换时间小于1μs.     

精密基准电压源的设计思路与应用考虑（上）

系统地总结了当前流行的三种集成精密基准电压源：隐埋齐纳二极管,带隙的ＸＦＥＴ基准电压泊的设计思路和应用过程中应该注意及考虑的问题。     

功能独特的稳压二极管

稳压二极管（又名齐纳二极管）简称稳压管，顾名思义它是一种专门用来稳定电路工作电压的二极管。我们知道，当普通二极管外加的反向电压大到一定数值后，反向电流会突然增大。将管子损坏，这种现象叫做“击穿”。但是由于稳压二极管内部构造的特点，它却正适合在反向击穿状态下工作，只要限制电流的大小，这种击穿是非破坏性的。这时尽管通过稳压二极管的电流在很大范围内变化，但是稳压二极管两端的电压几乎不变，保持稳定。     

基于LDO电压调整器的带隙基准电压源设计

设计一款应用于电压调整器（LDO）的带隙基准电压源。电压基准是模拟电路设计必不可缺少的一个单元模块,带隙基准电压源为LDO提供一个精确的参考电压,是LDO系统设计关键模块之一。本文设计的带隙基准电压源采用0.5μm标准的CMOS工艺实现。为了提高电压抑制性,采用了低压共源共栅的电流镜结构,并且在基准内部设计了一个运算放大器,合理的运放设计进一步提高了电源抑制性。基于Cadence的Spectre进行前仿真验证,结果表明该带隙基准电压源具有较低的变化率、较小的温漂系数和较高的电源抑制比,其对抗电源变化和温度变化特性较好。