一种CMOS磁敏传感器

一、前言为将磁敏感结构作为硅传统集成电路的一部分集成起来,发展了一种集成电路。它们一般用作位置传感器(如用在键盘、机床电机上等),磁电极,交流/直流电流传感器等。第一个磁敏MOS器件是由Gallagher和Corak发明的MOS霍尔元件。这种器件可以获得10~3V/AT的灵敏度。由Fry和Hoey设计的一种对漏MOS晶体管电路可     

LZ-70型离子注入机

LZ-70型离子注入机是由温州自动化研究所和温州潜水泵厂研制和生产的。一、用途和特点LZ一70型离子注入机是半导体工业生产专用的低能硼离子注入的专用注入机,主要用于MOS型集成电路、微波三极管等器件的生产     

蓝硅光电元件

高阻P型硅在热氧化过程中,往往在表面会出现n型。同样,高阻n型硅热氧化后也可具有P型表面。这种表面反型现象一般称作沟道效应。硅表面形成沟道时,在沟道与硅片之间存在着一个平行于表面的p-n结。一方面,它严重影响器件的性能,使漏电流大大增加;另一方面,它毕竟也是一个p-n结,故同样具有整流特性及光敏性。由于反型层极薄,因此,本文提出用反型层工艺来制作光电元件,这种元件对蓝光特别灵敏,光谱响应峰值可以从800mμ移至500mμ,非常适用于照相机电子快门、曝光表、照度计、比色计及可见光区域的分光光度计;并从沟道形成的一般机理着手,提出这种器件的结构、工艺及对实险结果的讨论。     

光谱分析用多通道检测器的工作原理和选用

介绍了用于光谱测量的三种多通道检测器（电荷注入器件、电荷耦合器件、MOS图像传感器）的原理，对主要型号多通道检测器的特性进行了分析与比较，讨论了在设计光谱仪器时选用多通道检测器的原则。     

一种新型的硅触发器传感器

一、前言由于硅适于制造各种传感器,这导致测量各种物理参数和化学参数的集成传感器发展很快。利用硅制造传感器的主要动机是硅器件可以进行批量生产,并且可以把传感器与信号处理电路集成在同一芯片,这就发展出所谓“智能传感器”。由于它们具备越来     

掩模偏转方向对硅尖形状的影响

为制备高纵横比的纳米硅尖,研究了掩模的偏转方向对硅尖形状的影响.设计了硅尖制备的工艺流程,采用KOH溶液湿法各向异性腐蚀(100)单晶硅的方法制备硅尖,根据实验结果和{411}晶面模型,分析了硅尖侧壁的组成晶面,讨论了掩模偏转方向对硅尖形状的影响,得到了制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数.实验结果表明:当腐蚀溶液浓度和温度一定时,正方形掩模的方向并不影响快腐蚀晶面的类型,利用正方形掩模的偏转,可以制备出八面体和四面体的硅尖.当正方形掩模边缘沿〈110〉晶向时,在78 ℃、浓度为40%的KOH溶液中腐蚀硅尖,经980 ℃干氧氧化3 h进行削尖,可制备出纵横比＞2的八面体纳米硅尖阵列,硅尖侧壁由与(100)面夹角为76.37°的{411}晶面组成.     

产品新闻

DD-500型等离子氮化硅淀积台北京仪器厂和一机部机械工业自动化研究所共同研制的 DD-500型等离子氮化硅淀积台于1981年5月通过了设计定型。该淀积台是生产大规模集成电路必需的设备,适用于双极型和 LSI MOS 器件的钝化。在半导体器件制造过程中,必须严格控制器件的表面沾污,防止后工序划伤铝布线,对金属化的互连端点提供化学、机械的保护,才能提     

掩模偏转方向对硅尖形状影响的研究

为制备高纵横比的纳米硅尖,研究了掩模的偏转方向对硅尖形状的影响。设计了硅尖制备的工艺流程,采用KOH溶液湿法各向异性腐蚀制备硅尖,将实验和{411}晶面模型相结合,分析了硅尖的成型机理,讨论了掩模偏转方向对硅尖形状的影响,得到制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数。实验结果表明：硅尖侧壁是由与(100)面夹角为76.37°的{411}晶面组成;利用正方形掩模的偏转,可以制备出八面体和四面体的硅尖。当正方形掩模边缘沿<110>晶向时,在78℃、浓度40%的KOH溶液中腐蚀的硅尖,经980℃氧化削尖,可以得纵横比大于2的八面体纳米硅尖阵列。     

固态图像传感器的技术新动向

固态图像传感器(SSIS简称像感器)县有体积小、重量轻、功耗低、噪音低、集成度和可靠性高等优点。自1970年间世以来,发展迅速,品种日益增多。从结构和用途看,它可分为一维型(线型)、二维型(面型)和三维型(体型);从构成核心固态器件的差别看,它又分为电荷耦合器件(CCD)、MOS线型像感器和CCD、电荷注入器件     

多次掩模湿法腐蚀硅微加工过程的蒙特卡罗仿真

探讨利用蒙特卡罗 (Monte Carlo, MC) 法模拟硅微加工各向异性湿法腐蚀的仿真,实现连续多次掩模,多步硅微加工工艺过程的仿真.介绍MC法的使用特点及其在湿法腐蚀硅微加工中的应用,仿真使用腐蚀概率方程确定表面原子适当的MC转移概率,模拟方法支持氧化硅和氮化硅掩模层作用下的各向异性腐蚀加工和多次掩模的传递过程.编制的仿真程序通过模拟一个原子力显微镜探针阵列多掩模连续6步工艺的硅微加工过程验证了MC法的正确性.     

大型电子设备的器件级维修(续二)

2.三端器件功能测试 (1)三端器件测试原理。 “三端器件”指各种可控硅、MOS型和双极型三极管,以及可以等效为三端器件的光电耦合器、互感器等。这类器件中除双极型三极管可以看成两个相向连接的PN结,而用VI曲线分别检查两个结特性是否完好之外,其它均无法直接用VI曲线测试得到满意结果。 例如,用VI曲线测试一个可控硅。若栅极没有触发电平,则可控硅不导通,早现出很大阻抗,往往和开路曲线没有差别,所以无法判断它     

SIMS在集成电路研制过程中的应用

在集成电路中根据VLSI和VHSIC发展的需要,在制造更小几何尺寸的超大规模集成电路和更快速度的超高速集成电路的过程中已经产生了一系列全新的问题,而研究这些问题就要用表面分析技术。扫描俄歇电子谱能达到表面分析所需要的高空间分辨率,但在多元素的深度分析时就要由高灵敏度的SIMS来补充,因为在半导体材料制备和处理过程中有意掺杂原子和污染原子的浓度为10~(18)—10~(20)atoms/cm~3。而除SIMS外,其它分析技术如AES、XPS等不能测量如此大动态范围的元素深度分布。如果可用来分析的面积大约为250×250μm~2,那么在做硅中硼、砷、磷的深度分析时可测到硅中硼、砷、磷的范围为10~(14)～10~(20)atoms/cm~3。如若使用Cs~+和O_2~+一次离子束缓慢地进行深度剖析也可以精细地描绘出离子注入及分子束外延表面附近的结构。我们在分析离子注入和分子束外延材料以及GaAs集成电路时加以说明。     

真空紫外硅闪耀光栅的制作

利用单晶硅在KOH溶液中的各向异性刻蚀特性,在相对Si(111)面切偏角为5°的单晶片上制作了1200gr/mm的真空紫外闪耀光栅。结合全息干涉曝光以及光刻胶灰化技术,在单晶硅表面得到了小占宽比的高质量光刻胶掩模,用湿法刻蚀将光栅掩模图形转移到单晶硅表面的天然氧化层上,并将其作为硅各向异性湿法刻蚀的掩模,成功获得了接近于理想锯齿槽形的闪耀光栅。用原子力显微镜分析光栅闪耀面,结果表明其表面均方根粗糙度约为0.2nm。在真空紫外波段对其进行衍射效率测量,发现光栅在135nm波长处显示出良好的闪耀特性。此方法可以应用于真空紫外和软X射线波段的光栅制作,在获得较高的槽形效率的同时,可以大大减少其制作难度及成本。     

静电测量与防护技术讲座 第八讲 静电放电(ESD)的保护网络及仪器和设备的防静电措施

静电放电的保护网络　　保护网络在一定程度上 ,能提供防护静电放电( ESD)的作用 ,可将静电放电 ( ESD)的敏感电压最大值提高到 80 0 V。 MOS器件电路防护可将其敏感电压提高至 40 0 V。保护网络可以降低元件的静电放电 ( ESD)的敏感性 ,但不能彻底解决问题。所选的设计应经过失效试验来补充并确定失效模式 ,加强对已知失效机理的再设计 ,并重复整个程序 ,直至达到期望的防护水平。在设计电路时注意以下两方面的问题。1 .器件和混合集成电路设计1 ) MOS保护电路的改善方法是增大二极管的尺寸 ,使用双极性二极管加串联电阻器 ,以及利…     

矩形双岛硅膜结构扩散硅压力传感器

本文报道一种已获国家专利的新型扩散硅压力传感器结构。它由带有矩形双岛的方形硅膜和扩散硅力敏电阻全桥组成。用各向异性腐蚀工艺形成其微机械结构。力敏电阻位于小岛形成的沟槽内。由于外应力高度集中于这些沟槽内,故器件的压力灵敏度比C型硅杯结构提高五倍左右。采用该结构还可实现非线性内补偿。本文讨论了最佳补偿条件并由实验得到证实。已制成量程为100kPa,非线性、滞后、重复性均优于5×10~(-4)F·S,满程输出150mV/V和量程为6kPa,非线性、滞后、重复性均优于5×10~(-4)F·S,满程输出80mV/10V的PT14型扩散硅压力传感器。     

一种低／高压MOS接口电路

一、前言近年来,高压、功率运用中,MOS 管的应用日益广泛。这是因为它具有高的输入阻抗,好的热稳定性及极少的存储效应。特别是它作为电流器件时,可以并联应用而带来不少方便而引人注目。我室自1985年鉴定了“低/高压 MOS 接口电路”后,一方面自己组织小批量生产,另一方面根据生产中反     

用熱擴散法在鋼铁表面滲金屬

一引言用热广散的方法在钢铁表面渗入其他合金元素(如碳、氮、铝、矽、铬、硼、钼、钨、铍、铌、砷、硫、镍等一个或几个元素),能使钢铁表面具有特殊的物理-化学性能。例如:表面渗入碳、氮、硫、铬、或硼等元素后,能大大提高表面层的硬度及耐磨性;渗入铝、矽、铬、或铍等,能使钢铁件具有高的抗热性;渗入铝、铬、矽、锡、或镍等,则可分别抵抗各种腐蚀性介质的腐蚀。因此,应用这个方法,可以使用一般的钢铁来代替许多具有特殊性能的、而制造困难的高合金钢。目前各国在这方面的研究工作日见增多,但除渗铝、矽、铬等元素已比较广泛地应用于工业上外(常用的渗碳及渗氮,本文不拟讨论),对其他元     

多路模拟开关在伏安仪中的应用

本文简述了适应性较广的双向多路模拟开关CD4051芯片的主要功能。介绍该器件取代常规开关,在作者设计的ZJP—5型智能脉冲伏安仪的极化电压扫描电路、极化电压限幅电路、I—V转换电路中的典型应用实例。讨论了各电路与单板机的接口、电路功能及参数设置方法。     

重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象

在用二次离子质谱（SIMS）进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时，有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高，接近10~16 atom/cm³的现象。但是只要把分析区域横向移动几百微米的距离，硼浓度就降到正常范围 ＜1 ×10¹⁴ atom/cm³。按重掺砷硅单晶制备工艺过程，硼在硅单晶中的分布应该是非常均匀的，而且存在这种硼浓度分布的异常硅单晶加工生产的n/n⁺ 外延片并没有出现质量问题。这说明硼浓度分布异常的情况也许是一个假像。本文将探索这一异常情况与硅中所存在的氧的相互关系。     

DDS系统在SAW传感器中的应用

基于声表面波的传感器具有很高的灵敏度、良好的线性，有望在气体传感器中得到广泛的应用．通常情况下，测量电路是由放大器与SAW器件构成SAW振荡器、在SAW器件的表面上的扰动，如气体分子在传感器表面的沉积等因素的影响，使SAW振荡器的振荡频率发生了变化可通过测量频率的变化而求出所要的物理量。讨论了用频率直接数字合成器(DDS)构成的SAW测量电路。