高增益微波低噪声微带集成化晶体管放大器

本文叙述2GC波段、增益70分贝以上的微带集成化晶体管低噪声放大器的设计制作。实验测试结果,放大器噪声系数为4分贝上下,3分贝带宽为200MC,放大器具有体积小、耗电量低工作稳定的特点,对于改进微波技术工作是很有意义的。     

微波低噪声晶体管放大器设计总结

一、引言近年来我国半导体工业在毛主席革命路线的指引下得到了很大的发展。试制和生产了大量的微波半导体器件,为设计和制造微波晶体管放大器创造了有利条件。微波低噪声晶体管放大器具有频带宽、动态范围大、噪声系数小、相位线性好、稳定可靠、寿命长、耗电省、体积小和重量轻等许多优点。可用于测量仪器、雷达、微波中继通信,     

微波晶体管噪声参数CAT

介绍了一种测量微波晶体管噪声参数的方法,并用矢量网络分析仪和噪声系数测试仪组建了一套自动测试系统。在系统软件的控制下,该系统可对微波晶体管噪声参数进行快速、准确的测量;并给出了部分测试结果,还与厂家典型值进行了比较。     

具有ESD保护的低噪声放大器的噪声优化方法

针对实际产品中ESD保护产生的寄生效应对低噪声放大器噪声性能的影响,通过详细的理论分析,提出了一种具有ESD保护的低噪声放大器的噪声优化方法,并给出了具体的设计公式。采用该优化方法设计的低噪声放大器可以接近或等于单个晶体管的最小噪声系数。在0.25μm CMOS工艺下进行了仿真,仿真结果表明设计的低噪声放大器可以在不同的功耗下接近最小噪声系数,从而验证了提出的噪声优化方法的有效性。     

微波固态放大器的机辅分析

本文简述了微波固态放大器在雷达电子系统中所起的重要作用后,比较了微波晶体管放大器、萧脱基壁垒门型场效应管放大器及砷化镓场效应管放大器等的特点,评估了它们的性能,推导了分析和设计微波晶体管及场效应管放大器所需的一系列重要公式,并给出了用FORTRAN77之一种——PSU/WATFIV编写的程序.该程序已在IBM3081机上运行通过,亦可在其它各种常见中小型机器上运行。     

一款用于超宽带接收系统的3 GHz-5 GHz低噪声放大器

设计了一种基于共源结构的两级级联超宽带低噪声放大器.该低噪声放大器采用了源端电感和四分之一阻抗变换器,在不恶化电路噪声系数的情况下具有较好的输入匹配.通过使用GaAs赝调制掺杂异质结场效应晶体管( pHEMT)器件,在PCB板上实现了低噪声放大器的加工,加工测试结果与原理图仿真结果基本符合.测试结果表明,该低噪声放大器的增益达到12±1.5 dB,最小噪声系数为1.8 dB,输入输出匹配结果良好.     

Ku波段微波放大器的计算机辅助设计和制作

本文简述了用计算机辅助设计微波放大器的基本原理和方法,编制了用可变多面体法、模式搜索法优化设计的计算机程序,利用该程序,优化设计,制作并调试出了Ku波段的微波放大器,介绍了测试结果和调试体会。放大器最大增益达22dB,噪声系数为2.9dB,     

900MHZ低噪声晶体管放大器

一、引言微波晶体管放大器的历史也是微波晶体管器件的历史。40年代未,第一只晶体管问世,由于它的显著优点,很快成为固体电子器件的一个重要分支。60年代中期,由于平面外延工艺的发展,晶体管工作频率进入微波频段,相应产生了微波晶体管以及相应的放大器。微波晶体管具有体积小、重量轻、噪声性能较好,频带宽、稳定性好等优点,因此现在它已取代或部分取代了隧道二极管放大器,行波管放大器以及参量放大器。就目前我国来看,     

方框图法用于负反馈电路的精确设计

方框图方法进行负反馈电路的精确设计,确定单级负反馈放大器中晶体管参数,反馈深度、噪声系数、信号内阻和工作频率之间的关系。     

基于ADS的2GHz低噪声放大器设计

该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1．0dB,输出驻波比小于1．3,输入驻波比小于2．5。     

兼容5G毫米波n257和n258频段的氮化镓低噪声放大器设计研究

基于100 nm的氮化镓(Gallium Nitride, GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)工艺设计了一款毫米波低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)单片式微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC)芯片。该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构,对带宽、噪声和增益进行了联合优化设计。测试结果显示,工作频率范围覆盖24～30 GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5～29.5 GHz)和n258(24.25～27.5 GHz)频段,噪声系数可达到2.4～2.5 d B的水平,小信号增益在21.1～24.1 d B之间,输出1 d B功率压缩点大于14.4 d Bm的水平。     

0.1～2GHz超宽带低噪声放大器

利用Aglient-ADS软件,设计了一个频段在0.1～2GHz的超宽带低噪声放大器.选用噪声较小稳定度较高的BFP420晶体管,采用两级反馈式的设计原理并用ADS软件进行建模,优化以及S参数和谐波平衡仿真,获得增益大于29dB、噪声系数NF1.5dB的仿真结果.最后通过精心调试,使得测试结果和仿真结果达到了很好的一致性.     

微波FET放大器CAD的数学模型研究

建立了微波ＦＥＴ（场效应晶体管）放大器ＣＡＤ（计算机辅助设计）的数学模型．在建立数学模型时，考虑了不连续性和ＦＥＴ源极接地点等因素对放大器性能的影响，并加入了约束条件．对某些指标（如噪声、驻波比）采取了一种新型的数学模型形式．最后，以两级放大器为例，给出了８．５～８．７５ＧＨｚ两级放大器的测试结果．     

生物电信号检测电路的低噪声设计

本文对检测生物电信号的前置放大器进行了低噪声设计,推导出三放大器结构前置放大器的噪声系数公式.给出了实用电路.     

CMOS低噪声放大器Miller效应分析与噪声优化

根据反馈分解理论将晶体管栅漏电容分解等效到放大器输入输出两端,研究了栅漏电容对低噪声放大器(LNA)输入阻抗和噪声系数的影响.基于分析结果对阻抗及噪声公式进行了修正,提出功耗约束条件下的LNA噪声优化方法.设计的2.4 GHz LNA基于中芯国际(SMIC) 0.18 μm RF CMOS工艺,版图后仿结果表明：在1.2 V的工作电压下,该低噪声放大器直流功耗仅为2.4 mW,噪声系数为1.0 dB,功率增益为16.3 dB,输入输出反射损耗均小于-22 dB,三阶互调点IIP3为-3.2 dBm.相比已有的设计,根据修正公式设计的LNA在功耗、输入阻抗匹配、噪声系数等性能指标上有较大的改善.     

2.4GHz低噪声放大器的研究

低噪声放大器是对来自天线的微伏级信号进行放大的射频接收端的放大模块。该低噪声放大器主要由输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络组成。匹配网络采用微带线形式建立，微波晶体管采用NPN硅晶体管BFP420。利用Microwave Office进行电路仿真和优化。该放大器满足小信号放大器的指标要求，可以用于射频接入电路的前端。     

基于噪声抵消的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器设计

基于Jazz 0.35μm SiGe工艺,设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器.利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶体管输出阻抗较小的特点,通过选取晶体管的结构和偏置电流,实现了输入、输出有源阻抗匹配.由于未采用占芯片面积大的电感,减少了芯片面积,芯片面积(含焊盘)仅为0.33mm×0.31 mm;由于共基极晶体管的噪声系数比共射极晶体管的噪声系数高,采用噪声抵消结构减少了其引入噪声.低噪声放大器在(0.6～3)GHz工作频带内,增益为17.8～19.2 dB,增益平坦度为±0.7 dB;有源输入、输出匹配良好;在整个频段内,无条件稳定.     

400MHz～2.4GHz宽带低噪声放大器设计

采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款频率400 MHz~2.4GHz宽带低噪声放大器。采用两级级联结构,将前级放大器的输入阻抗匹配到最佳噪声阻抗得到最小噪声;后级放大器采用负反馈结构得到较宽的工作频带;级间引入失配补偿方法,即在晶体管增益滚降处引入高频增益,使得放大器工作频带拓宽,提高带内平坦度。仿真结果表明,该低噪声放大器工作频率为400 MHz~2.4GHz,频带内噪声系数为1dB,增益为34dB,增益平坦度为3.1dB,回波损耗优于-10dB,满足了低噪声、超宽带和高平坦度的要求。     

放大器的噪声及低噪声电路研究

抑制噪声是改善大性能途径之一,本文用混合π型噪声模型,讨论了共发射极放大器的主要噪声来源,最佳源电阻和最小噪声系数,指出在多级放大器中降低总噪声系数的方向,设计了一种低噪声偏置电路,对放大器的设计个有一定的参考价值。     

6GHz-6.5GHz低噪声放大器设计

介绍了一种C波段低噪声放大器的设计原理和方法,并给出了设计结果和测试结果。为了达到较高的增益和较好的增益平坦度,采用两级级联加一级单片放大的结构,利用Designer V2仿真优化功能设计了输入、输出及级间匹配电路。最后设计的放大器在6GHz-6.5GHz范围内增益48.47±0.4dB,噪声系数小于1.2dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于1.5。该LNA模块的试验测试结果和设计符合很好。