等离子过程引起的Si—SiO2结构损伤评估

本文利用Ｃ－Ｖ测试的方法，研究了ＭＯＳ工艺中等离子过程对不同栅材料的Ｓｉ－ＳｉＯ２结构的影响，探讨了等离子损伤的形成机理，并就不同的退火条件进行评估。     

聚硅烷的氧等离子体处理特性

红外吸收谱分析表明，聚硅烷Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ ｓｉｌａｎｅ（ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯ膜，ＰＳｉＯ中的ｘ在１．５－２．０之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压力正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关。     

低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜

本文主要是以ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ和Ｓｉ３Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２作为气体源，在平行板电容耦合式淀积设备上，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合钝化膜。     

铝硅合金激光熔凝处理后的电化学腐蚀现象

利用２ｋＷＣＯ２激光器对不同合Ｓｉ量的ＡＩ－Ｓｉ合金进行了搭接扫描熔凝处理，通过ＳＥＭ和ＴＥＭ对激光熔凝处理后Ａｌ－Ｓｉ合金的组织结构进行了观察，通过测定在不同介质条件下的阳极极化曲线，讨论了激光熔凝处理对ＡＩ－ｓｉ合金耐蚀性的影响。结果表明，激光处理可改善Ａｌ－Ｓｉ合金在１０％Ｈ２ＳＯ４和１０％ＨＮＯ３溶液中的耐蚀性，而对Ａｌ－Ｓｉ合金在１０％ＨＣｌ和５％ＮａＣｌ溶液中的耐蚀性没有明显的促进作用。     

聚酰亚胺,四甲基氢氧化胺对Si—SiO2界面的影响

通过几组对比实验，揭示了聚酰亚胺、四甲基氢氧化胺对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的影响：聚酰亚胺在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入正电荷，四甲基氢氧化胺则在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入负电荷。     

键合Si／SiO2／Si结构的C—V特征

本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验。     

SIPOS／Si异质结特性的研究

采用红外吸收光谱分析了ＳＩＰＯＳ薄膜中Ｓｉ－Ｏ键的结构，对比分析了热退火和快速灯光退火对ＳＩＰＯＳ中Ｓｉ－Ｏ键结构的影响，并结合ＳＩＰＯＳ／Ｓｉ结构的Ｃ－Ｖ、Ｉ－Ｖ测试结果，对该结构的异质结特性进行了分析。     

键合Si／SiO_2／Si结构的C－V特征

本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特征，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验．     

SiO2,α—Si,Si3N4薄膜在表面钝化中的选择应用

本文基于对Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、α－Ｓｉ薄膜本身结构及其层间结构的分析，在半导体器件的表面钝化中做了选择应用。并将此用于生产实践，在Ｓｉ３Ｎ４－α－Ｓｉ－ＳｉＯ２结构中解决了由ＳｉＯ２／Ｓｉ界面的表面电荷及ＳｉＯ２中Ｎａ＋的漂移运动等引起的器件电学特性变差的问题。     

MZOS结构界面特性的研究

分析了ＭＺＯＳ结构及其Ｓｉ－ＳｉＯ２子系统的Ｃ－Ｖ特性，发现ＺｎＯ中的氧空位和溅射工艺过程在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面引入的界面电荷是影响ＭＺＯＳ结构界面特性的主要因素。研究还表明，低温热退火可以改善ＭＺＯＳ结构的界面特性。     

硅上溅射BSCCO薄膜的微结构分析

重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Ｓｉ衬底上生长ＹＳＺ（Ｙ稳定的ＺｒＯ２）缓冲层及Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导薄膜的工艺，获得了８２Ｋ的超导转变温度（Ｔｏｎ）。利用扫描原子显微镜和原子力显微镜对不同条件下生长的ＹＳＺ和ＢＳＣＣＯ薄膜进行了观察，提出了ＹＳＺ晶粒填补Ｓｉ衬底上针孔的新功能，并验证了ＢＳＣＣＯ薄膜的螺旋柱状生长机理。     

WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。     

Fe~＋和H~＋注入引起的Si／SiO_2界面重构现象

针对Ｓｉ－ＳｉＯ２过渡区对于离子注入较为敏感的特点，用１．２ＭｅＶ，剂量１×１０１０ｃｍ－２的Ｆｅ＋和Ｈ＋先后注入ＳｉＯ２－Ｓｉ样品，并用ＸＰＳ技术重点分析了Ｓｉ－ＳｉＯ２界面附近硅的化学结构、组分的变化。结果表明，在界面附近，除了Ｓｉ４＋，Ｓｉ０价态，还存在明显的Ｓｉ２＋价态。这和注入Ｈ＋产生的高温退火以及Ｓｉ—Ｓｉ键或Ｓｉ—Ｈ键的形成有关。     

反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中SiO_2和SiO_2－Si界面的损伤

反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中ＳｉＯ＿２和ＳｉＯ＿２－Ｓｉ界面的损伤＝ＲｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｉｎｄｕｃｅｄｄａｍａｇｅｔｏＳｉＯ＿２ａｎｄＳｉＯ＿２－ＳｉｉｎｔｅｒｆａｃｅｉｎｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｏｖｅｒｅｔｃｈ［刊，英...     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

钝化膜抗γ辐照的研究

研究了几种不同的钝化膜的γ辐照特性，初步揭示单纯的ＳｉＯ２膜不具备抗γ辐照的能力，厚度为１００ｎｍ涂有聚酰亚胺的ＳｉＯ２膜当辐照剂量小于１０＾６拉德（Ｓｉ）时具有良好的抗γ辐照作用。同时指出了四甲基氢氧化胺对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面也有影响。     

聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性

红外吸收谱分析表明,聚硅烷（ＰｏｌｙｍｅｔｈｙｌＰｈｅｎｅｔｈｙｌＳｉｌａｎｅ,ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜,ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５～２之间,其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正,大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关．     

Si—Si3N4—SiO2钝化工艺及其应用

介绍了ＬＰＣＶＤ法Ｓｉ３Ｎ４膜与ＰＥＣＶＤ法ＳｉＯ２膜的淀积工艺，以及Ｓｉ－Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２钝化工艺在高可靠大电流开关二极管中的应用，并指出了工艺的适用范围。     

掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响

研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性，阈电压和界面态。结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降，采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。     

DJB－823保护剂的红外特性及在探测器保护方面的应用

ＤＪＢ－８２３保护剂的红外特性及在探测器保护方面的应用李文杰（航空工业总公司Ｏ一四中心洛阳４７１００９）本文介绍了ＤＪＢ－８２３保护剂的不挥发、防腐蚀、防霉菌、防潮抗盐雾特性和涂有ＤＪＢ－８２３保护剂的Ｓｉ片、ＳｉＯ＿２膜和ＳｉＯ膜，在不同波段红外光...