电子束中Boersch效应的实验研究

在现代电子光学与电子束技术研究中，Ｂｏｅｒｓｃｈ效应作为离散空间电荷效应的一个主要特征，越来越引起了人们的重视。本实验设计并制作了一台观察和测量Ｂｏｅｒｓｃｈ效应的实验装置，并进行了动态真空实验。实验装置的电子光学系统包括层流电子枪，聚焦透镜，准直透镜和拒斥场分析器等部分。     

溅动效应与包装容器

叙述了溅动效应与包装容器之间的关系，同时介绍了溅动效应在其他方面的应用和研究。     

RE—TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究

研究了磁性薄膜场电效应的测试方法，RE－TM磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性，实验结果表明，制备的TbFeCo薄膜的补偿点约为－38℃。     

巨磁电阻效应

介绍了巨磁电阻效应的概念和研究意义,对金属及其合金的磁电阻效应、负巨磁电阻效应以及正磁电阻效应产生的机理进行了简要分析,并展望了巨磁电阻效应未来的研究。     

聚苯胺悬浮液的电流变效应

以掺杂态的聚苯胺为悬浮颗粒，以硅油为分散介质，制得悬浮液，研究了它的电流变效应及其影响因素，如电场强度，剪切速率，悬浮液浓度，颗粒介电常数等。还研究了该体系的漏电流密度及其影响因素。实验表明，随着电场强度等的增大，悬浮液的电流变效应增大，同时漏电流密度也增大；而随剪切速率的提高，电流变效应及漏电流密度均减弱。     

RE－TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究

研究了磁性薄膜磁场电效应的测试方法，ＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性。实验结果表明，制备的ＴｂＦｅＣＯ薄膜的补偿点约为─３８℃。     

电子束中Boersch效应的实验研究

在现代电子光学与电子束技术研究中，Boersch效应作为离散空间电荷效应的一个主要特征，越来越引起了人们的重视。本实验设计并制作了一台观察和测量Boersch效应的实验装置，并进行了动态真空实验。实验装置的电子光学系统包括层流电子枪、聚焦透镜、准直透镜和拒斥场分析器等部分。对实验结果及数据进行了处理和分析，观测到了电子能量分布的反常增宽现象并测量了能量分布曲线。当束腰区束流为微安量级时，测得的电子能量分布宽度为1～3eV，并且得出了随着束流强度的增加能量分布展宽的近似规律。     

SOI器件中浮体效应的研究进展

SOI（Silicon On Insulator）器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应，将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响，并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典型器件结构。     

机械油中添加剂对铜-钢摩擦副的磨损自补偿效应

运用改装的四球试验机考察了ZSC添加剂在N68油中对铜-钢摩擦副的磨损自补偿效应，研究表明：ZSC添加剂具有优异的减摩和节能效应，对铜-钢摩擦副及其配件产生了优异的自补偿耐磨效应，零磨损效应和自修复效应。     

炭黑填充聚乙烯PTC效应及其稳定性

可控自发热高分子材料是利用炭黑填充结晶高分子材料的正温度系数特性（PTC效应）制成的具有自动控温性能的功能高分子材料，文中通过对6种炭黑填充聚乙烯体系电性能的研究，分析了产生PTC效应的机理，筛选出了具有较强PTC效应的炭黑填充聚乙烯体系，并通过对该体系PTC稳定性研究得出，较佳的消除高于熔点的负温度系数效应（NTC效应）的方法是辐射交联，本研究为制备出具有实用价值的可控自发热聚乙烯的材料奠定了基础。     

Impurity doping effect on photostriction in PLZT ceramics

Photostriction is the superposition of a photovoltaic and piezoelectric effects. In this study, photostrictive effects in the perovskite (Pb, La) (Zr, Ti)O₃ were investigated as a function of B-site impurity doping. Donor doping was found to reduce both the grain size and room-temperature dielectric constant, influencing photovoltaic response. WO₃ and Ta₂O₅ doping increase the photovoltaic response, but do not significantly affect the piezoelectric effect in this material. Maximum photostriction is obtained for samples with 0.4 at% WO₃ doped or 1 at% Ta₂O₅ doped PLZT     

Self-focusing effects in an organic photorefractive film without a biased field

We report the observation of self-focusing effects in organic photorefractive films based on a carbazole derivative and sensitizer 2,4,7-trinitro-9-fluorenone at 632.8 nm wavelength without applying a biased field, owing to the orientationally enhanced photorefractive nonlinearity caused by photopolymerization of the carbazole derivative. The experiment was repeated in three samples with different sensitizer doping percentages and similar phenomena were observed.     

复合丝巨磁阻抗效应的研究

利用化学渡方法制备了芯层为铁磁层和芯层为导电层的两种复合丝,比较研究了它们的巨磁阻抗特性,结果发现芯层为铁磁层的复合丝在60MHz时取得最大值107%,而芯层为BeCu的复合丝在300kHz时就获得最大值108%.这是因为BeCu/绝缘层/NiCoP在低频时有较大的磁电阻效应,同时,由于芯层电阻较小,R与X在较低频就可比拟.磁阻抗比不仅取决于磁电阻比、磁感抗比,还与R和X的相对比值有关.要想获得显著的磁阻抗效应,要求材料不仅具有良好的软磁特性,而且电流通过部分还具有电阻率小的特点.     

Structural characterization of boron doped hydrogenated nanocrystalline silicon films

Structural properties of boron doped hydrogenated nanocrystalline silicon films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition method were mainly characterized with Raman and X-ray diffraction methods. The experimental Raman data were fitted better by Fano effect profiles than those by phonon confinement effect line shapes chiefly due to high efficiency doping in grown films. The measured Raman spectra were deconvoluted into three-Gaussian profile components: around the peak positions 520 and 480 cm⁻¹ which contribute from crystalline and amorphous tissues separately, as well as a curve centered at about 500 cm⁻¹, which is attributed to the presence of grain boundaries. The average crystalline grain size and crystalline volume fraction were valued with Raman and X-ray diffraction techniques, respectively, while the error derived from different methods was elucidated. Accordingly, the structural changes including crystallites, grain boundaries and amorphous matrices in doped films with boron doping level were analyzed.     

深亚微米三栅FinFET短沟道效应和拐角效应计算机模拟分析

利用三维器件模拟软件,研究了深亚微米三栅FinFET的短沟道效应,并模拟了阈值电压和亚阈值摆幅随硅鳍(fin)厚度和高度的变化情况.通过优化硅鳍厚度或高度,可以有效的控制短沟道效应.在进一步对深亚微米三栅FinFET的拐角效应进行二维数值模拟的过程中,并未观察到由拐角效应引起的泄漏电流.与传统的体硅CMOS结构有所不同,拐角效应并未使得深亚微米三栅FinFET性能变差,反而提高了其电学性能.     

微晶化及活性元素效应在合金抗高温氧化中的协同作用

总结了目前广为研究的微晶化和活性元素效应在合金高温氧化过程中的作用，并讨论了二者的协同效应。微晶化和活性元素效应均能够降低合金的高温氧化速率，提高氧化膜的黏附性。然而，微晶化中晶粒的长大趋势和促进内氧化发生的缺陷对其实际应用造成不利影响，少量活性元素的添加恰好弥补微晶化的这些缺失；活性元素添加须适量，这点限制了它作为保护性氧化膜形核中心的数量及降低氧化速率的幅度，且使得合金氧化增重较未添加活性元素试样略有增加，微晶化则不存在这样的问题，可以弥补应用活性元素效应的不足之处。本工作旨在加深对微晶化和活性元素协同效应对合金高温氧化性能影响的微观理解，为制备性能更为优异的抗高温氧化合金提供理论和实践基础。     

La-Gd-Ca-Mn-O的不可逆磁电阻效应

随掺Gd量的增加，La-Gd-Ca-Mn-O化合物的金属-绝缘体相变温度逐渐下降，对应的峰值电阻率大幅度增加，磁电阻比明显提高，掺入11%的Gd可以使材料的磁电阻比提高一个数量级。Gd的掺入还引起材料磁电阻出现明显的不可逆效应。随掺Gd量增加，不可逆效应明显增大。     

十二系列叔胺捕收剂对高岭石的浮选研究

研究4种十二取代叔胺(DRN,DEN,DPN和DBN)对高岭石的浮选行为。发现4种叔胺对高岭石的浮选捕收能力都较好,其中DEN最好,浮选回收率最高可达92%以上。4种叔胺主要依靠静电引力吸附在高岭石表面,在酸性pH范围内,浮选高岭石的回收率较高,随着pH的增大,叔胺的阳离子组分减少,使得浮选回收率下降。Zeta电位研究表明,高岭石在整个pH范围内,表面主要带负电,4种叔胺与高岭石作用后,能显著增加高岭石的Zeta电位。红外光谱研究表面,4种叔胺主要与高岭石表面发生了电性作用的物理吸附。叔胺中N原子上的取代基的给电子效应和空间位阻效应是造成4种叔胺浮选能力差异的主要原因。     

The mixing effects for real gases and their mixtures

The definitions of the adiabatic and isothermal mixing effects in the mixing processes of real gases were presented in this paper. Eight substances with boiling-point temperatures from cryogenic temperature to the ambient temperature were selected from the interest of low temperature refrigeration to study their binary and multicomponent mixing effects. Detailed analyses were made on the parameters of the mixing process to know their influences on mixing effects. Those parameters include the temperatures, pressures, and mole fraction ratios of pure substances before mixing. The results show that the maximum temperature variation occurs at the saturation state of each component in the mixing process. Those components with higher boiling-point temperatures have higher isothermal mixing effects. The maximum temperature variation which is defined as the adiabatic mixing effect can even reach up to 50 K, and the isothermal mixing effect can reach about 20 kJ/mol. The possible applications of the mixing cooling effect in both open cycle and closed cycle refrigeration systems were also discussed.     

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程.以Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响.以此为基础,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导...