金属有机源分子束外延设备的研制

本文报道了金属有机源分子束外廷设备的设计方案和技术特点。该设备最大样品尺寸为3英寸,3室结构,空气闭锁换样,6条气路,外廷生长工艺过程计算机控制     

分子束外延长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果，获得的HgCdTe外延材料均匀良好，在直径70mm圆内，组份标准偏差率为1.2%，对应80K截止波长偏差仅为0.1μm。经过生长条件的改进，表面开貌获得了大幅度改善，缺陷密度小于300cm^-2，缺陷尺寸小于10μm，可以满足大规模gCdTe焦平面列车的应用需求。     

HgCdTe分子束外延薄膜的研制

本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１．ｓ－１和ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）６４～１００ａｒｃｓｅｃ的Ｎ型原生ＨｇＣｄＴｅ外延膜已经得到，某些参数已接近或达到国外报导的典型值，并在国内首先研制了直径为５０ｍｍ的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。为了评价材料的特性，用一块Ｘ＝０．２４３的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列，其最好的一元探测率Ｄλ＊＝２．４４×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（λｃ＝７．９μｍ）。     

高纯稀有难熔金属材料在MBE设备中的应用

叙述了高纯稀有难熔金属材料在MBE设备中的应用和MBE设备高纯部件的研制。分子束源炉是MBE设备的“心脏”,它和MBE生长材料的质量紧密相关。选用电子束悬浮区域熔炼最佳工艺,我们制成纯度大于5N的钽、钼和钛并加工成棒、片、带、箔、管、丝和异型材制作分子束源炉。实验证明,这种分子束源炉是高质量的。并且进一步说明,从最大限度地降低外采杂质的污染出发对材料选择作精心的研究是很必要的。     

分子束外延HgCdTe／GaAs的生长和光伏探测器的研制

文中报导了用分子束外廷工艺在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长了较高质量的中、长波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为ｘ＝０．３３０和０．２２６的两种材料，７７Ｋ时载流子浓度和迁移率分别为ｐ＝６．７×１０１５ｃｍ－３、ｕｐ＝２６０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１和４．４５×１０１５ｃｍ－３、４１０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１。研制了平面型中、长波线列光伏探测器，其典型的探测器Ｄ分别为５．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１和２．６８×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（１８０°视场下），其中６４元线列中波探测器与ＣＭＯＳ电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。     

分子束外延装置

如果支撑LSI的高集成化及高速化的微细化技术更进一步地发展,使设计尺寸达到1μm以下,那么不仅是横方面的微细化而且有源领域的纵方向的微细化即薄膜化和浅结形成也就变得重要了。特别有吸引力的是超高速器件的杂质剖面可任意设计。这时候,为了避免已经形成的结尺寸和杂质剖面发生大的变化,其必要条件是工艺温度要相当低。     

全自动分子束外延装置

前言随着信息社会的高度发展,对半导体器件已有了更高的要求。提高半导体器件性能的方向之一,是以超LSI为代表的微细化以及高密度化,另一个方向是新型半导体材料的开发。如用GaAs制成各种器件。这类器件不仅包括集成电路,而且还有Si材料很难制成的半导体激光器件等光电子器件。     

闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性

利用低温分子束外延技术分别在lnGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明，两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持闪锌矿结构。利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.     

闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性

利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.     

气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料

我们用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统，采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａｌｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料．对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ），阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射（ＸＲＤ）等测量分析．     

分子束外延(MBE)技术的最新发展

本文综述了分子束外延技术在人造结构材料及器件上的应用,重点在于用分子束外延制备掺杂超晶格;应变层结构,无针孔硅化物和单晶二氧化硅等人造结构材料及器件。介绍了迁移增强外延(MEE)、间隔生长和温度开关等改进的 MBE技术。展望了分子束外延的发展。     

MBE裂解炉的设计

裂解炉是喷射炉衍生出来的一种新型分子束源,它能改进外延材料的质量。本文将介绍裂解炉的设计、性能和实验结果。     

宽带半导体材料分子束外延的最新进展

本文评述了分子束外延在以 ZnSe 为代表的宽带半导体材料及其超晶格结构研究中的最新进展。介绍了在晶格匹配和不匹配的衬底上分子束外延生长 ZnSe等Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体和有关的材料分析。叙述了在 ZnTe,Zn(S、Se)以及磁性半导体 MnSe 和低磁性半导体 Zn_(1-x)Mn_xSe 上生长 ZnSe 所形成的超晶格和多量子阱结构,并在此基础上说明了一些相关的物理现象。