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相似文献
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1.
(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷介电性能与工艺参数关系的回归分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
用回归分析方法得到了(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷的介电性能ε和δ与其工艺参数(CuO、ZnO)和玻璃的添加量(分别为x1、x2、x3 wt%)及预烧和烧结温度(分别为x4×103和x5×103℃)之间的定量关系:ε=10.9731-1.4559 x1+9.9154 x2+1.9776x3-3.3160x22-0.2286x32-200.1697x42-161.9102x52+375.1160x4x5;1g(tanδ)=-38.5876-0.6452x2+0.1235x3+31.2221x4+30.3861x5+0.1100x12+0.2077x22-0.0106x32-27.4317x4x5。能对给定工艺参数下的介电性能进行预测,并能确定满足特定介电性能的工艺参数,有助于加快电子陶瓷材料的研究。  相似文献   

2.
用电子陶瓷工艺制备主晶相为(Zr,Sn)TiO4的介电陶瓷,(Zr;Sn)TiO4的结构属正交晶系,空间群Pbcn.研究用Fe,Ni掺杂对(Zr,Sn)TiO4陶瓷的介电性能的影响:铁掺杂降低了瓷料的烧结温度,同时减小了系统的Q值(Q=1/tgδ);但在一定的范围内,随着Ni掺杂量的增大,Q值的下降被抑制,这可能是因为Ni离子阻碍了Fe离子扩散进入晶粒,使得Fe离子富集在晶界上,形成Fe-Ni尖晶石结构,减少了Fe对Q值的影响.  相似文献   

3.
添加La2O3对Mg2TiO4陶瓷的显微结构与微波介电性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用传统烧结工艺,制备了具有不同La2O3含量的镁钛镧陶瓷,并研究了La2O3组份对材料晶相构成、晶粒、晶界的演变、介电常数和品质因数的影响。结果表明,不含La2O3的钛酸镁陶瓷主晶相为Mg2TiO4,其平均晶粒尺寸>60μm;引入La2O3后,出现新晶相La0.66TiO2.99,材料的晶粒尺寸明显下降;随La2O3含量的增加,材料的介电常数线性增加,材料的品质因数Q在10GHz出现最大值(16558)。  相似文献   

4.
Yb2O3的掺杂方式对Ba(Ti1-y)Zry)O3陶瓷介电性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
在Ba(Ti1-yZry)O3中,Yb2O3的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化,采用Ba(Ti1-yZry)O3合成后Yb2O3的适量掺杂,陶瓷介温峰明显地移动,介电常数大幅度提高,获得了室温介电常数>25000,1250℃左右烧成,符合Y5V标准的高介材料,合成后掺杂的Yb2O3,使材料介电常数提高,可能与施主掺杂引入的局域化电子有关,合成前掺杂Yb2O3的样品,介电常数较低,移峰效率偏小,可能是Yb的Ti位受主取代使施主引入的局域化电子得到补偿的结果。  相似文献   

5.
讨论了低温烧结(Zr0.8Sn0.2)TiO4微波介质陶瓷的晶相组成与制备工艺、掺杂离子的关系,结果表明粉体的合成温度对烧结体的晶相构成有很大的影响,进而影响材料的谐振频率温度系数τf,稍高的合成温度有利于提高α-PbO型ZST相的稳定性,使谐振频率温度系数τf由107 ppm/℃降至20.88 ppm/℃.采用Nb5+离子掺杂能更有效地抑制烧结过程中游离氧化物相的析出,当Nb5+达到0.15mol%时,920℃烧结样品的介电常数为25,谐振频率温度系数τf为-2.44 ppm/℃,品质因数Q·f达4868GHz(5GHz).  相似文献   

6.
Fe,Ni掺杂(Zr,Sn)TiO4陶瓷的结构和介电性能   总被引:4,自引:0,他引:4  
用电子陶瓷工艺制备主晶相为(Zr,Sn)TiO4的介电陶瓷,(Zr,Sn)TiO4的结构和正产晶系,空间群Pbcn。研究用Fe,Ni掺杂对(Zr,Sn)TiO4陶瓷的介电性能的影响。铁掺杂降低了瓷料的烧结温度,同时减小了系统的Q值(Q=1/tgδ),但在一定的范围内,随着Ni掺杂量的增大,Q值的下降被抑制,这可能是因为Ni离子阻碍了Fe离子扩散进入晶粒,使得Fe离子富集在晶界上,形成Fe-Ni尖晶石结构,减少了Fe对Q值的影响。  相似文献   

7.
(Sr,Ca)TiO3陶瓷材料的结构与介电性能   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究(Sr,Ca)TiO_3系统陶瓷材料的组成、结构与介电性能关系.当ST/CT比值约为7:3时,主晶相(Sr_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3形成完全互溶钙钛矿型固溶体,具有立方顺电相结构;系统中微量钨青铜型新化合物铌酸钛钡BTN对主晶相(Sr_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3的介电性能起进一步的改善作用.获得具有理想介电性能(ε(20℃1MHZ)>250,αc(-55~+125℃)=-1150ppm/℃,tgδ(20℃1MHZ)<5×10-4,ρv(20℃100VDC)>1013Ω·cm)、不含Pb、Bi的Q组MLC瓷料.  相似文献   

8.
以硝酸钙、硝酸镁、正硅酸乙酯为先驱体, 利用溶胶-凝胶法合成了(Ca0.7Mg0.3)SiO3陶瓷粉体, 研究了不同物相和粒径粉体的烧结特性以及陶瓷的微波介电性能. 结果表明: 干凝胶的煅烧温度低于800℃时, 所得粉体主要为无定型态, 煅烧温度超过900℃后, 晶相大量形成; 当以无定型粉体或900℃煅烧获得的细小粒径粉体为原料时, 均难以获得致密结构的陶瓷; 形成完整的粉体原料晶相以及粒径的增大, 有利于陶瓷体的致密烧结和微波介电性能的提高. 粒径分别为50~100nm以及90~300nm的陶瓷粉体, 在1320℃烧结后均获得良好的微波介电性能, 介电常数εr分别为6.62、6.71, 品质因数Q×f值分别为36962、41842GHz, 谐振频率温度系数τf分别为--48.32×10-6/℃、--49.63×10-6/℃.  相似文献   

9.
利用溶胶-凝胶法(sol-gel)合成制备了PbTiO3、(Pb0.9-xLa0.1Cax)TiO3[简写为PLCT(100x)]纳米微粉,微粉平均粒径为20-40nm.利用拉曼散射和X射线衍射技术研究了不同Ca含量对PLCT(100x)纳米微粉的结构的影响.实验结果表明,PLCT(100x)纳米微粉的结构随x变化,亦即PLCT(100x)的轴比随x的增大反而减小,研究结果表明:PLCT(100x)拉曼谱的低频模可以看成是由于钙钛矿结构中A位离子Ca2 、La3 的偏离引起的,而高频模主要是TiO6八面体内部原子的相互运动造成相对位置变化,从而使八面体发生形变引起的.  相似文献   

10.
讨论了复合添加La2O3/MgO对(Zr0.8Sn0.2)TiO4介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明,La2O3/MgO对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结有一定的促进作用,但La2O3/MgO添加量的增大会造成晶格缺陷和残留气孔的增多,从而导致材料的密度和Q×f降低。在1320℃保温12h、La2O3/MgO添加量为0.9wt%时,(Zr0.8Sn0.2)TiO4介电性能最好,其εr=37.14,Q×f=36600,τf=7.77×10-6/℃。  相似文献   

11.
Ca0.3(Li1/2Sm1/2)0.7TiO3微波介质陶瓷的低温烧结研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
采用传统陶瓷制备工艺, 制备了掺杂Na2O-CaO-B2O3(NCB)氧化物的Ca0.3(Li1/2Sm1/2)0.7TiO3(CLST)陶瓷, 研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系. 研究结果表明: 复合氧化物NCB掺杂量在1wt%~15wt%范围内没有杂相生成, 晶相仍呈斜方钙钛矿结构. 随着NCB添加量的增加, 陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低, 介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值也呈下降趋势, 频率温度系数τf向正方向增大. NCB氧化物掺杂能有效地将CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降低至900℃. 添加12.5wt% NCB的CLST陶瓷在低温900℃烧结5h仍具有良好的微波介电性能: εr=73.7, Qf=1583GHz, τf=140.1×10-6/℃, 满足高介多层微波器件的设计要求.  相似文献   

12.
本实验研究了(1-x)(Mg0.7Zn0.3)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3(MZT-CLT)系陶瓷的微观结构和微波介电性能,通过(Ca0.61La0.26)TiO3来协调(Mg0.7Zn0.3)TiO3陶瓷的谐振频率温度系数.MZT-CLT陶瓷的主晶相为(Mg0.7Zn0.3)TiO3,第二相为Ca0.61La0.26TiO3和(Mg0.7Zn0.3)Ti2O5.烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著,当烧结温度为1275℃时,可以获得良好的致密度,当烧结温度超过1300℃时,Zn的蒸发导致陶瓷致密度和介电性能下降.随着(Ca0.61La0.26)TiO3含量的增大,材料的介电常数增大,品质因数减小.当x=0.13,烧结温度为1275℃保温4h,(MZT-CLT)陶瓷具有优良微波介电性能,εr=26,Q.f=86000 GHz,τf=-6×10-6/℃.  相似文献   

13.
本实验研究了(1-x)(Mg0.7Zn0.3)TiO3-x(Ca0.61Nd0.26)TiO3体系陶瓷(MZCNT)的微波介电性能,通过(Ca0.61Nd0.26)TiO3协调(Mg0.7Zn0.3)TiO3陶瓷的谐振频率温度系数.实验发现,烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著, 当烧结温度为1250℃时,可以获得良好的致密度,当烧结温度超过1300℃时,(Ca0.61Nd0.26)TiO3 的分解和Zn的蒸发导致陶瓷致密度和介电性能下降.此外,随着(Ca0.61Nd0.26)TiO3含量的增大,材料的介电常数增大,品质因数减小.当 (Ca0.61Nd0.26)TiO3含量为13%,烧结温度为1250℃,保温4h,(MZCNT)陶瓷具有优良微波介电性能,εr =24.3,Q·f=34000GHz,τf~-9×10-6/℃,从而达到实用要求.  相似文献   

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