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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
肖本  吴玉广   《电子器件》2006,29(3):710-713,717
基于SOC应用,采用CSMC 0.5μm DPDM CMOS工艺,设计了一种恒定跨导的Rail-to-Rail CMOS运算放大器。该运算放大器采用平方根电路恒定输入级总跨导;同时运用Class AB推挽电路作输出级,获得高驱动能力和低谐波失真。在5 V单电源工作电压、30 pF负载电容和10 KΩ负载电阻情况下,经过Hspice仿真,运放的直流开环增益达到98 dB,相位裕度为65°,输入级跨导最大偏差低于17%。  相似文献   

2.
设计了一种新型的低电压低功耗且跨导恒定的Rail-to-Rail CMOS运算放大器,输入级采用改进的最大电流选择电路结构,输出级采用推挽输出结构,其输入输出摆幅均为Rail-to-Rail,工作电压为±1.5V.整个电路采用BSM30.5μm CMOS工艺模型参数进行了HSPICE仿真,静态功耗仅为0.5mW,当电路驱动20pF的电容负载时,电路的直流增益达到78dB,单位增益带宽达到470MHz,相位裕度为59°.  相似文献   

3.
程旭  陈诚  徐栋麟  任俊彦  许俊 《微电子学》2002,32(5):335-339
基于CSMC 0.6 μm标准CMOS工艺,实现了一种电源自适应Rail-to-Rail CMOS运算放大器,其输入级从原理上变“被动地“适应低电压为“主动地“要求低电压.当外部电源电压在2.1V到3.2 V变化时,内部电源电压稳定在1.68 V,最大偏差为5.4%.这样,内部电源电压自适应地稳定在“相交条件“,实现了输入级的跨导Gm为常数:在整个共模(CM)电压变化范围内,输入级跨导的最大变化为9%.Rail-to-rail输出级用两个折叠网格和AB类反馈控制结构实现,使输出级的最低电源电压降到Vgs 2Vds,并使输出静态电流最小.  相似文献   

4.
CMOS浮地电源交叉耦合运算跨导放大器   总被引:1,自引:0,他引:1  
王萍  赵玉山 《微电子学》1996,26(2):92-96
提出了一种高线性度运算跨导放大器.该电路采用CMOS对管和浮地电源交叉耦合作输入级。对所描述的电路进行了理论分析和计算机模拟.结果表明,在传输特性的非线性误差不大于1%时,电路的差动输入电压范围可达±2.8V。  相似文献   

5.
一种3 V CMOS恒跨导运算放大器的设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出了一种适合在3V电源电压下工作的CMOS运算放大器,其动态工作范围为0-3V,在整个工作范围内,运算放大器的跨导基本保持不变,给出了BSIM3V3模型下的Hspice模拟结果。  相似文献   

6.
一种低电压全摆幅CMOS运算放大器   总被引:4,自引:0,他引:4  
刘凯  邵丙铣 《微电子学》2002,32(1):51-53
提出了一种工作于 3 V电压、输入输出均为全摆幅的两级 CMOS运算放大器。为使放大器有较小的静态功耗 ,运算放大器的输入级被偏置在弱反型区 ;输出级采用甲乙类共源输出级 ,以达到输出电压的全摆幅。模拟结果显示 ,在 1 0 kΩ负载下 ,运算放大器的直流开环增益为 81 d B,共模抑制比 91 d B;在 3 p F电容负载下 ,其单位增益带宽为 1 .8MHz,相位裕度 5 9°  相似文献   

7.
张津京  裴东 《微电子学》2012,42(3):315-317
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电压、低功耗跨导运算放大器。基于BSIM3V3.1Spice模型,采用Hspice对整个电路进行仿真。在±0.75V电源电压下,电路的直流开环增益达到83dB,相位裕度为63°,功耗为14μW。采用一种应用于低电源电压、低功耗的基准电路,不仅可为运放提供稳定的偏置电流,而且进一步降低了电路的总体功耗。  相似文献   

8.
采用华虹NEC0.35μml P2M工艺,设计了一种利用比例电流镜控制的恒跨导R2R输入级及AB类控制输出级的运放结构。仿真结果表明,在2.5V共模输入电压,10pF负载电容和1M负载电阻并联时取得了56dB开环电压增益,60°相位裕度和2.4MHz的单位增益带宽。  相似文献   

9.
本文详细地介绍了全光网的概念和特点,并着重阐述了全光网应用中的关键技术。  相似文献   

10.
与工艺无关的Rail-to-Rail CMOS运算放大器   总被引:1,自引:0,他引:1  
唐长文  张洁  闵昊 《微电子学》2002,32(1):46-50
设计了一种与工艺无关的Rail-to-Rail运算放大器,它采用一种新型的与工艺无关的恒跨导Rail-to-Rail输入级结构,输入级的P管对和N管对的宽长比不需匹配特定的工艺。同时,还采用了前馈AB类控制的rail-to-rail输出级,以保证输出绢有大的动态输出范围和较强的驱动负载的能力。在电源电压为2.7V时,整个运算放大器在0.35μmAlcatel工艺和0.6μm无锡上华工艺下模拟,其输入级跨导偏差分别为7%和14%,直流增益分别为87.9dB和78.4dB,单位增益带宽分别为14MHZ和9MHZ,相位裕度为67度和75度。  相似文献   

11.
刘学 《现代电子技术》2007,30(12):41-44,48
设计了一种CMOS恒跨导轨对轨输入/输出运算放大器,输入级采用负反馈技术控制尾电流,能自调整gm并使之保持恒定;输出级采用前向偏置AB类输出结构,实现轨对轨输出的同时减小了静态功耗。整个电路在5 V电源电压下,电压增益达到136 dB(1 MΩ电阻和1 pF电容并联负载),单位增益带宽为9.7 MHz,相位裕度62.4°。  相似文献   

12.
刘华珠  黄海云  宋瑞 《半导体技术》2011,36(6):463-465,482
设计了一个1.5 V低功耗轨至轨CMOS运算放大器。电路设计中为了使输入共模电压范围达到轨至轨性能,采用了NMOS管和PMOS管并联的互补差动对输入结构,并采用成比例的电流镜技术实现了输入级跨导的恒定。在中间增益级设计中,采用了适合在低压工作的低压宽摆幅共源共栅结构;在输出级设计时,为了提高效率,采用了简单的推挽共源级放大器作为输出级,使得输出电压摆幅基本上达到了轨至轨。当接100 pF电容负载和1 kΩ电阻负载时,运放的静态功耗只有290μW,直流开环增益约为76 dB,相位裕度约为69°,单位增益带宽约为1 MHz。  相似文献   

13.
基于0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种带有恒跨导输入级的轨对轨(rail-to-rail)低压CMOS运算放大器.采用折叠式共源共栅差分电流镜放大器输入级和改进的CMOS AB类输出级,实现了电源满幅度的输入输出和恒输入跨导.用Cadence Spectre仿真器,对整个电路在3.3 V工作电压下进行仿真,其直流开环增益AV=70.6 dB,相位裕度PM=71°,单位增益带宽GB=1.37 MHz.芯片面积为0.7 mm×0.4 mm.实际测试结果与模拟结果基本一致.  相似文献   

14.
运用负反馈控制输入共模电平,实现了电源电压仅为0.9 V的满幅度运算放大器。采用TSMC 0.35μm CMOS工艺参数HSPICE模拟结果显示,在满幅度共模电平下,运放的平均直流电压增益为66.4 dB(10 pF电容负载),增益波动仅为0.01%,平均单位增益带宽为1.88 MHz,平均相位裕度52°,平均静态功耗仅为135μW。  相似文献   

15.
基于0.25μm CMOS工艺的1.8V Rail-to-Rail运算放大器   总被引:1,自引:1,他引:1  
采用TSMC0.25μm CMOS工艺,设计实现了一种低功耗、高增益带有恒跨导输入级的Rail—to—Rail运算放大器。基于BSIM3V3 Spice模型,采用Hspice对整个电路进行仿真,在1.8V的单电源电压工作条件下,直流开环增益达到108.6dB,相位裕度为57.2度,单位增益带宽为5MHz,功耗为0.23mW。  相似文献   

16.
邢利东  蔡敏 《半导体技术》2006,31(11):859-861,870
设计了一个轨到轨输入输出范围的低噪声运算放大器.在输入级采用电流补偿的方法来稳定该运算放大器在整个输入共模范围内的跨导,在输出级使用AB类的输出方法来提高运算放大器的输出范围,并运用双极晶体管比较低的闪烁噪声来改善该运算放大器的噪声性能,以此提高该运算放大器的动态范围.  相似文献   

17.
介绍了一种工作在2.5V电压下、具有全摆幅输入与输出功能的两级CMOS运算放大器。通过一种简单有效的电流跟踪电路实现了输入跨导恒定的要求,这样使得频率补偿变得容易实现;为了降低功耗,输入级工作在弱反型区:输出级采用带有前馈控制电路的AB类输出电路,实现了输出信号的轨至轨。电路具有结构简单、功耗低、面积小、性能高等优点。  相似文献   

18.
一种0.8V衬底驱动轨对轨运算放大器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用衬底驱动技术设计低压低功耗轨对轨运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET,有效避开阈值电压限制,将电源电压降至0.8V,实现低压下轨对轨共模输入范围。增加衬底驱动冗余差分对及反折式共源共栅求和电路实现恒定跨导控制,消除共模电压对输入级跨导的影响,输出采用前馈式AB类输出级,以提高动态输出电压范围。基于标准0.18μmCMOS工艺仿真运放,测得输出范围0.4~782.5mV,功耗48.8μW,电源抑制比58dB,CMRR65dB,直流开环增益63.8dB,单位增益带宽2.4MHz,相位裕度68°。版图设计采用双阱交叉空铅技术,面积为97.8μm×127.6μm。  相似文献   

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