RF MEMS开关的设计分析

针对具有低损耗、高隔离度性能的微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)开关,介绍了串联DC式和并联电容式的开关结构模型,并对并联电容式MEMS开关的工作原理、等效电路模型和制造工艺流程进行了描述,利用其模型研究了开关的微波传输性能,设计了一款电容耦合式开关并进行了仿真。由仿真结果可得,开关"开态"时的插入损耗在40 GHz以内优于-0.3 dB;开关"关态"时的隔离度在20～40 GHz相对较宽的频带内优于-20 dB。     

一种提高SOI电光开关消光比的优化设计

针对电流注入型SOI光开关在切换时难以克服的消光比变差的问题,提出了一种非对称的开关结构设计.然后依照实际器件的结构建立了SOI光开关的3D光学模型,对光开关中3D光场传输和输出光功率进行了模拟与分析.最后运用该模型对SOI光开关在电流切换时的消光比变化的问题进行了比较深入的研究,计算结果表明,提出的非对称的开关结构可以将SOI电光开关的消光比提高5 dB左右.     

微带线不连续性对光电导开关非线性特性的影响

实验对自行研制的全固态同轴―微带型横向半绝缘砷化镓(SI-GaAs)光电导开关传输特性进行了研究：当偏置电压达到一定阈值时,普通开关进入了非线性锁定（Lock-on）工作模式;在相同实验条件下,当微带线出现不连续时,输出的电脉冲波形没有出现锁定现象;分别用空气击穿的流注模型和微带线等效电容机理分析了微带线不连续效应引起整个开关电路性能变化及抑制开关Lock-on效应的原因。     

4相8/6开关磁阻电机建模与仿真

由于开关磁阻电机的双凸极结构特点和开关性供电特点,使其难以简单地用传统电机的分析方法解析计算。在开关磁阻电机数学模型基础上,借助离线堵转实验得到的数据,分析得到了SRM的电感模型,并对该模型进行傅里叶分析,建立基于MATLAB/SIMULINK的开关磁阻电机非线性动态模型。仿真与实验结果证实模型的正确性、控制策略的有效性和系统运行可靠,为将来开关磁阻电机调速系统的优化改进提供了参照。     

FPGA开关盒数学模型的研究

基于图论的数学理论,对Xilinx公司主流产品之一的XC5VSX95T中的开关盒进行分析,提出一种分层建模的概念,并对开关盒的pips进行分类再分析,最后用C语言对其进行定义和描述。将开关盒模型加入XC5VSX95T的互连模型中并导入计算机,通过搜索算法求取测试路径。经过软件检查和测试,所得到的开关盒模型能够满足软件的DRC规则,并通过软件的编译。研究得出的开关盒模型能够准确描述XC5VSX95T中的开关盒互连关系,提高计算机自动布线和布线资源测试的效率。     

非晶态半导体的阈值开关机理

从理论上定性地分析了非晶态半导体的阈值开关机理.利用非均匀模型、热与热电理论和电子开关模型等,从3个方面描述非晶态半导体的阈值开关形成的原因,给出非晶态半导体的阈值开关的"开态"和"关态"时的形成过程,对不同状态下载流子的运动规律、电场强度、电导率进行了较详尽的分析,从而论述非晶态半导体的阈值开关机理.     

基于ANSYS悬臂式RF MEMS开关的力学模拟和疲劳分析

用ANSYS软件对RF MEMS接触悬臂开关模型进行力电耦合分析,比较了几种情况下的驱动电压,讨论了驱动电压与杨氏模量、悬梁的几何尺寸和电极面积的关系.在力电耦合分析的基础上对开关进行了疲劳特性分析,得出了开关的循环使用次数并与实验结果进行了比较,分析了数据差别比较大的原因,改进了测试开关寿命的方法.     

绝热开关的工作特性及其能耗分析

本文对绝热充电原理以及绝热开关的工作特性进行了详细讨论,建立了绝热开关的能耗计算模型。ＰＳＰＩＣＥ模拟证明了所提出的计算模型的正确性。文章最后对包括输入激励在内的整个绝热开关的能耗进行了综合分析,它是分析复杂绝热电路的基础并为在设计能量恢复型电路时合理选取在关参数提供了理论依据。     

Saber仿真在移相全桥软开关电源研发中的应用

本文结合一种基于移相全桥软开关技术的蓄电池充电器产品的设计研发,提出了一种用Saber仿真辅助设计移相全桥软开关电源的方法。在Saber的仿真软件下建立了移相全桥软开关变换器模型,进行仿真、研究,并实验验证了仿真模型的有效性和可行性。     

三电平矩阵式电力变换器的开关损耗数学模型

从三电平矩阵式电力变换器的拓扑结构入手,分析在高频下工作时开关损耗带来的负面效应。通过对开关单元单相PWM逆变器的开关损耗进行研究,建立了开关单元平均等效电路模型,并推导了变换效率;通过对开关损耗数学模型的建立,探讨了开关过程损耗与开关频率和开关传导损耗与占空比的关系,仿真结果验证了数学模型的正确性。