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采用磁控溅射仪在高阻Si(100)衬底上沉积了[Fe(0.5nm)/Si(1.6nm)]120和[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多层膜,并在Ar气气氛下进行了1000℃,10s的快速热退火。为了比较,也进行了880℃,30min的常规退火。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、光谱仪和霍尔效应仪分析了样品的晶体结构、表面形貌、光吸收特性和电学性能。结果表明:Fe/Si多层膜法合成的样品均为β-FeSi2相且在(220)/(202)方向择优生长;经快速热退火合成的β-FeSi2薄膜光学带隙约为0.9 eV。[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多层膜经快速热退火合成的β-FeSi2薄膜表面粗糙度最小,该薄膜样品为p型导电,载流子浓度为4.1×1017cm-3,迁移率为48cm2/V.s。 相似文献
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采用离子束溅射Fe靶的方法在500~800℃的Si(111)衬底上制备出不同种类的铁硅化合物.当衬底温度为700℃时得到厚度为500nm的单相的β-FeSi2薄膜,高分辨透射电镜证实该β-FeSi2薄膜为局部外延,薄膜和Si衬底之间界面明显,没有中间层. 相似文献
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采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si/Ge多层膜,通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si/Ge多层膜样品;通过X射线衍射、Raman散射等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流(10mA)、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si/Ge多层膜。 相似文献
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研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果. 相似文献
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离子束溅射制备CuInSe_2薄膜的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe_2(CIS)薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计检测在不同衬底温度和退火温度条件下制备的CIS薄膜的微结构、表面形貌和光学性能.实验结果表明:使用离子束溅射沉积技术制备的CIS薄膜具有黄铜矿结构,在一定的条件下,适当温度的热处理可以制备结构紧密、颗粒均匀、致密性和结晶性良好的CIS薄膜,具有强烈的单一晶向生长现象. 相似文献
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采用离子束溅射技术制备了Co/Pt多层膜,并研究了多层膜的结构和磁性随Co层厚度(tCo)或Pt层厚度(tPt)的变化关系。结果表明Co层呈现出hcp结构的(002)织构,Pt层表现出fcc结构的(111)织构。当Co层和Pt层都比较薄时,界面有Co-Pt的化合物形成。当tPt=2.4nm而tCo在0.6~2.4nm变化时,样品的磁矫顽力(Hc)随tCo增加而下降,饱和磁化强度(Ms)随tCo增加而增加。当tCo=1.2nm而tPt在1.2~4.8nm变化时,Hc呈现先升后降的变化,Ms随tPt增大而减小。样品的Hc还受调制周期(D)和周期数ny的影响,通过对Co层和Pt层的厚度比、调制周期、周期数的设计,可以获得较大的磁矫顽力。 相似文献
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对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/Si多层膜为非晶多层膜 ,但它们的微结构有很大的不同。采用沉积原子表面活动性和界面反应程度解释了所得到的结果。 相似文献
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采用离子束溅射技术制备了Co/Pt多层膜,并研究了多层膜的结构和磁性随Co层厚度或Pt层厚度的变化关系。结果表明Co层呈现出hcp结构的(002)结构,Pt层表现出fcc结构的(111)织构。当Co层和Pt层都比较薄时,界面有Co-Pt的化合物形成。 相似文献
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用磁控溅射法制备了Fe-N薄膜和Fe-N/TiN多层膜。结果表明,在常温下,使用较小的氮、氩比溅射,生成的Fe-N薄膜主要是含氮α-Fe固溶体,并且N原子进入α-Fe晶格是饱和磁化强度提高的一个原因。Fe-N/TiN多层膜的层间耦合作用以及减小每-Fe-N层厚度而引起的晶粒尺寸的减小可以有效地降低薄膜的矫顽力,从而获得更好的软磁性能。 相似文献
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采用脉冲激光沉积(PLD)法在p型Si(100)衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性。分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si(100)衬底上沿(202/220)方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱。 相似文献
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用磁控溅射法制备了Mo/Si薄膜,用AFM和XRD分别研究了Mo原子的溅射能量不同时,Mo/Si薄膜表面形貌和晶相的变化.通过比较发现,随着Mo原子溅射能量的增大,Mo/Si薄膜表面粗糙度增加,Mo和Si的特征X射线衍射峰也越来越强,并且Mo膜层和Si膜层之间生成了MoSi2.Mo原子的溅射能量是诱导非晶Si结晶和MoSi2生成的主要原因. 相似文献