用STM的纳米导电图形加工技术的研究

用STM针尖对有机络合物电双稳薄膜材料施加强电场作用 ,可在材料表面产生纳米线度的导电几何图形。实验证明 :对针尖本身的几何构形、施加在针尖上的脉冲幅度、周期和占空比都必须进行细致的选择。用Ag TCNQ络合物进行实验 ,在适合的针尖 样品距离下 ,发现所加脉冲偏压的极性为负时 ,容易进行加工     

STM选择局部氧化硅表面构造纳米结构图形的研究

利用扫描隧道显微镜对氢钝化的硅表面进行选择性氧化 ,形成了纳米尺度的线条。利用此氧化物线条作为腐蚀掩模进行化学腐蚀 ,使未氧化区被腐蚀 ,从而实现了图形转移。对此工艺和机理进行了研究。证明此工艺可以进行量子尺寸图形结构的加工 ,进而可以发展成为量子器件集成工艺。为了研究氧化层形成的机理 ,采用了低真空中低能电子束曝光实验。电子探针测量结果表明 ,在低能电子作用区可以测得氧成分 ,而非作用区则无氧成分 ,证明电子对氧化起到主要的作用。场可能起到增强氧化的作用     

用SPM纳米刻蚀方法在Ti表面制备纳米结构的研究

本文用导电原子力显微镜（AFM）针尘诱导局域氧化反应的方法，在Ti膜表面制备了TiO2纳米结构。实验结果表明，Ti膜的氧化阈值为-7伏，制备的TiO2纳米线的最小线宽达到10nm，TiO2纳米线的高度和宽度随针尘偏压的增大而增大。在优化的氧化刻蚀条件下，通过控制针尘偏压和扫描方式制备出了图形化的TiO2结构，本研究表明基于导电AFM的纳米刻蚀技术将成为构筑纳米电子器件的重要工具。     

使用SPM的纳米级加工技术新进展

扫描探针显微镜(SPM)现在不仅用于表面微观形貌的检测，同时也用于纳米超精密加工和原子操纵，该文介绍了用STM和AFM进行纳米级加工的各种最新方法：针尖直接雕刻，针尖光刻加工，局部阳极氧化，原子沉积形成纳米点，原子去除形成沟槽微结构，多针尖加工，原子自组装形成三维结构等．使用SPM的纳米级加工对发展微型机械、纳米电子学和微机电系统具有重要意义．     

超微细图形加工技术进展

自１９５９年集成电路发明以来，它对人类的生产和生活方式的很多方面产生了极其重大的影响。集成电路正以线宽每年缩小３０％，集成规和工１倍，芯片价格随之下降的惊人 展。光刻技术的发展始终是集成电路发展的决定因素。本文综述了深亚微米光刻和纳米光刻技术。     

纳米科技浅释

一纳米是一米的十亿分之一。自从扫描隧道显微镜发明后，世界上便诞生了一门以0．1至100纳米这样的尺度为研究对象的前沿学科，这就是纳米科技。[第一段]     

微纳米尺寸测量技术

随着精密和超精密加工技术的迅速发展,亚微米和纳米级的测量方法不断出现,本文对近年几种常见的微纳米计量技术的基本测量原理和方法作了简单的介绍。     

碳纤维结构的STM观察研究

碳纤维是一种重要的工程材料，它的表面结构和内部结构是其机械性质的重要影响因素。由于传统观察手段的局限性，关于碳纤维的结构知识，特别是原子 级和纳米级的知识是很缺乏的。扫描隧道显微镜Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，简称ＳＴＭ和能成为观察碳纤维表面和横断面的一个非常有力的工具，它能提供极高分辨率的图象（在大气中可达到原子级）。在实验中，首次用ＳＴＭ观察了聚丙烯腈基的碳纤维，     

纳米加工技术的研究进展

纳米技术的核心是纳米加工技术。文章阐述了纳米加工技术的研究现状、应用和前景展望。希望对纳米加工技术有所了解。     

纳米测量仪器和纳米加工技术

纳米科技是当今国际上的一个热点。文章对纳米科技作了简要介绍, 纳米测量和加工是纳米科技中的一个不可缺少的重要组成部分。叙述了发展纳米测量和纳米加工技术的两个主要途径：一是发展传统技术，主要是电子显微术以及最近发展起来的聚焦离子束（FIB）- 电子束数控加工中心；二是创造新的测量仪器，建立新原理和新方法，介绍了国内外电子显微镜和扫描探针显微镜这两类纳米测量分析仪器的发展、应用和生产现状。指出我国电子显微仪器和扫描探针显微镜的开发和生产面临困境，应尽快建立和加强自己的电子显微仪器和扫描探针显微镜等纳米测量和纳米加工设备制造产业，并列入国家科技发展规划。     

纳米光刻加工技术的研究与应用

纳米技术是一种在0.1-100nm尺度上研究原子、分子现象及其结构信息的技术。纳米技术的主要作用体现在两个方面:①促进器件小型化,使低成本、高集成度的微器件、微传感器、微型仪器成为可能;②物质在纳米尺度上表现出纳米效应,包括量子效应、较强的表面、界面效应等,会使得物质具有很多新特性,从而能够制造出新的具有特定功能的装置。纳米技术的最终目标是操纵单个原子和分子,并在纳米尺度上设计制备表面结构,进而制造出具有特定功能的产品,实现生产方式的飞跃。主要综述当前几种主要纳米光刻加工技术的类型、工艺、特点,及其在表面纳米结构加工中的应用。     

基于AFM的纳米级表面加工中切屑形成的影响因素

以原子力显微镜（AFM）为加工工具进行了纳米级加工实验,对不同加工条件下的材料去除过程和切屑形态进行了研究．切屑形态通过扫描电子显微镜（SEM）进行观察,分析了不同垂直载荷、循环次数和针尖加工方向下铝铜被加工表面的切屑形成过程．实验结果表明：低栽下切屑呈细小断屑,散布在加工区域周围;随着垂直载荷的增加,切屑逐渐变成连续的带状切屑．不同循环次数、针尖加工面时切屑形成都有很大影响．在此基础上,对比分析了相同实验条件下,不同力学性能材料的切屑形成过程．最后,通过检测被加工表面得出被加工表面质量与切屑的数量和形态之间的关系,提出了改善被加工表面质量的方法,以帮助人们更好地理解基于AFM的纳米级加工技术．     

STM及AFM在材料断裂与疲劳研究中的应用

扫描隧道显微镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）具有原子级的极高分辨率,可在纳米尺度上获得实空间的表面微观三维菜貌,且可定量表征,因此可用来研究材料断裂与疲劳的微观机理。简要介绍ＳＴＭ和ＡＦＭ在该领域的应用及所取得的若干进展。     

Ag-BaO光电发射薄膜表面结构的STM研究

利用真空沉积方法制备了Ag-BaO光电发射薄膜,第一次用扫描隧道显微镜(STM)研究了Ag-BaO薄膜的表面结构,得到了高分辨的表面形貌像。介绍了Ag-BaO薄膜微区表面复杂的形态结构,并将测量结果和Ag-BaO薄膜的TEM像作了比较,分析了这些结构对光电发射的影响。     

纳米导电纤维与导电炭黑填充PVC复合材料的电性能研究

对纳米导电纤维(nano-F)及导电炭黑（HG－CB）填充PCV复合材料的电性能进行了研究,当nano-F和HG－CB的填充量分别为20,10份时,复合材料的电阻率急剧下降,其用量继续增加,材料电阻率变化不大。nano-F填充复合材料在20－120℃范围内电阻率基本不变,具有高的电阻稳定性,HG－CB填充复合材料在20－60℃范围内随温度升高阻率逐渐增大,之后随温度继续升高电阻率开始下降,nano-F填充复合材料的伏安特性在不同温度下为欧姆线性关系,而HGC－CB填充复合材料的伏安特性比较复杂。     

单层聚酰亚胺LB膜的STM成象

扫描隧道显微镜(STM)被用来表征聚酰亚胺LB膜的形貌及分子排列结构。本文介绍了单层聚酰亚胺LB膜样品制备过程,所用的STM系统及STM实验。给出了该LB膜亚胺化前后的STM图象。结果表明,所制备的LB膜的聚合链排列有序,测得链间距即横向周期～7(?),纵向上所谓的“之”字型结构的周期为11(?)。这些数值与根据分子面积在理论上所预估的结果相符。     

真空蒸发沉积聚苯胺—TCNQ复合薄膜的STM研究

利用扫描隧道显微镜对真空蒸发沉积的聚苯胺－ＴＣＮＱ（ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ）复合薄膜、纯聚苯胺薄膜及纯ＴＣＮＱ薄膜试样进行了对比分析。研究发现,纯ＰＡＮＩ薄膜和纯ＴＣＮＱ薄膜都是绝缘膜,而用ＴＣＮＱ挽杂获得具有较高导电特性的ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ复合薄膜。而且与表面粗糙不连续的ＰＡＮＩ薄膜和ＴＣＮＱ薄膜相比,ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ复合薄膜易形成较大面积的表面结构完善的连续膜。傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析     

聚苯乙烯超微粒子的STM观察

发现扫描隧道显微镜可对聚苯乙烯超微粒子进行观察。用水悬浮液及苯饱和溶液使聚苯乙烯表面溶胀后，都可得到清晰的STM像，并首次从溶胀表面的高分辨率STM像观察到高分子链的精细结构和链的镶嵌式自组装形态。     

Si（337）表面的STM研究

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM)，研究了Si(337)高指数面的形貌和原子结构，发现Si(337)表面平台的生长与退火速度有关，相对较慢的退火速度有利于生长尺寸更大、结构更完整的平台。高分辨SIM结果显示Si(337)表面平台原子结构为(5512)的周期性结构，表明Si(337)表面退火过程中稳定性较差，易重构成临近的更稳定的高指数面。