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相似文献
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1.
Fox Electronics公司推出扩展了温度范围的3.3VHCMOS振荡器型款。新振荡器是FXO-HC33系列的一部分,  相似文献   

2.
Fox Electronics Asia Ltd.推出F100 HCMOS系列小占位面积、低耗电量振荡器产品,适用于小型便携设备。该系列振荡器备有1.8V(F110系列)、2.5V(F140系列)和3.3V(F130系列)三种选择,频率范围在1.0MHz-80.0MHz之间,全部均采用侧高低至0.8mm、占位面积为2.0mm×1.6mm的紧凑型封装。  相似文献   

3.
《电子与电脑》2011,(8):81-81
Fox Electronics Asia Ltd.现已扩充其HCMOS振荡器产品.推出最新的紧凑型3.3V F32K 32.768kHz振荡器系列。F32K振荡器的电流消耗仅为1.5μA,待机电流为250nA,是包括实时时钟(RTC)、微控制器子时钟、睡眠模式时钟和看门狗定时器时钟等广泛应用的理想选择。  相似文献   

4.
《电子与电脑》2011,(9):74-74
Fox Electronics Asia Ltd.现已推出紧凑型XpressO XO HCMOS振荡器的2.5V电压型款,全新FXO-HC32系列丰富了XpressO振荡器系列,它们是工作电压为2.5V的3.2mmx2.5mm封装振荡器,具有±25ppm的高稳定性及0.75MHz~180MHz的宽频率范围。  相似文献   

5.
6.
FoxElectronics推出具有低电压和低耗电量的F300系列HCMOS振荡器产品,这些1V振荡器加入了待机功能,可将振荡器的电流消耗减小至5pA,从而提高功效。F300系列振荡器采用紧凑型3.2mmX2.5mm封装,包括稳定度范围从  相似文献   

7.
FoxElectronicsAsiaLtd.推出紧凑型XpressOXOHCMOS振荡器的2.5V电压型款,FXO—HC32系列丰富了XpressO振荡器系列,它们是工作电压为2.5V的3.2mm×2.5mm封装振荡器,具有±25ppm的高稳定性及O.75MHz-180MHz的宽频率范围。  相似文献   

8.
工作电压为2.5V的HCMOSXPRESSO振荡器拥有能显著降低噪声水平的三阶△∑调制器(DSM),可比得上传统的批量石英振荡器及声表面波(SAW)振荡器,且成本更低。  相似文献   

9.
罗巧云 《电讯技术》2005,45(6):25-25
功率极低的32kHz振荡器与采用CMOS变换器的传统振荡器电路相比,具有很多优势。传统变换器电路存在着一些问题,如电源电流的波动范围较宽(3~6V),同时耗电很难低于250μA。而且,由于电源变化大且变换器的输入特性会因生产厂家的不同而有所不同,因此其工作不可靠。  相似文献   

10.
高稳定性的全CMOS振荡器系列Si500面向消费性定时市场,不仅交货时间较短、成本较低、可靠度较高,且性能更佳,可取代石英振荡器(XO)。Si500系列拥有宽频率范围、广泛的差分和单端时钟选择、极低的总功耗和低抖动性,适合数码相机、摄像机、打印机、个人计算机外设、液晶显示、服务器和存储装置等应用。  相似文献   

11.
FoxElectronics公司推出带有全新音叉功能的石英振荡器产品。FX122系列产品的体积相比先前型款减小约33%,尺寸仅为2.1mm×1.3mm,具有较低的0.6mm侧高。新型的小尺寸FX122适合着重占位空间的便携和手持式设备。  相似文献   

12.
IDT公司推出拥有突破性±50ppm频率精度和超低功耗的CMOS振荡器。器件代替了传统的石英晶体振荡器,在±50ppm时间基准的广泛应用中,节省功耗达75%,包括计算、通信和消费市场。  相似文献   

13.
周春元  张雷  钱鹤 《半导体学报》2012,33(7):075001-5
论文提出了一种电源反馈型的全集成正交压控振荡器。得益于反馈电流源的电流调节作用,提出的正交振荡器在整个频率调谐范围之内有着均一的相位噪声 。 此振荡器用65-nm CMOS工艺实现。测试结果表明,该振荡器工作电压为1.2V, 消耗的电流均值是3mA. 频偏1MHz的相位噪声小于 -110dBc/Hz。整个调谐范围内的相位噪声变化小于1dBc/Hz, 这充分证明了电流反馈技术的正确性。  相似文献   

14.
设计了一种基于锁相环宽输出范围(10~160M)的频率综合器,着重介绍了其中的压控振荡器(VCO)部分,采用单端、电流控制型的环振,使之在整个输出范围内,即0~1 20℃、工艺的ss~ffcorner,增益(Kvco.)的变化在3倍以内.无需根据输出频率对电荷泵的充、放电电流或环路滤波器中的电阻作不同设置,环路的衰减因子就可控制在可接受的范围内,并降低了对其它环路参数的要求.设计基于标准0.6μm N-WELL CMOS工艺,5V供电.  相似文献   

15.
吴婕  孟桥   《电子器件》2008,31(2):604-607
设计了一种基于0.18μm CMOS工艺模型的超高频宽调节范围的压控振荡器.系统采用3级环形压控振荡器结构,每级采用调节尾电流的方式,实现了2.5 GHz至5 GHz以上的高频宽调节范围.系统在输出频率为5 GHz时,在5 MHz频偏处的相位噪声为-89.26 dBc/Hz.此次设计的压控振荡器可广泛应用于各种嵌入式系统或ADC中,为其提供在大范围内可调节的时钟.  相似文献   

16.
设计了一种应用于DC/DC开关电源管理芯片的锯齿波振荡器,该电路利用内部基准电流源产生的电流对电容进行充放电,使得产生的锯齿波信号随电源电压和温度的变化较小,采用迟滞技术提高了锯齿波信号幅值.采用基于CSMC的0.5μmCMOS 工艺进行仿真.结果表明,该电路产生的振荡频率为5MHz,信号幅值为0-3V,电源电压在2....  相似文献   

17.
穆辛  周新田  张慧慧  金锐  刘钺杨  吴郁 《电子科技》2014,27(4):58-59,63
传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18 μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,新型振荡器输入电压下限值有所下降,且最高振荡频率也有明显提升。  相似文献   

18.
本文设计了一种适用于2.4GHz锁相环的LC压控振荡器,采stoic0.13ffCMOS工艺,中心频率2.4GHz,频率调谐范围136MHz,在1.8v电压下工作时,静态电流为5mA,在偏离中心频率1MHz处,测得相位噪声为-111dBc/Hz。  相似文献   

19.
《电子与电脑》2011,(10):81-81
Fox Electronics现提供具有低电压和低耗电量的F300系列HCMOS振荡器产品,这些1V振荡器加入了待机功能,可将振荡器的电流消耗减小至5μA,从而提高功效。  相似文献   

20.
范樟  林伟  黄世震 《电声技术》2010,34(2):39-41
基于N阱0.5μmDPTM CMOS工艺,完成了D类音频功放中电流控制振荡器的设计。首先分析了电流控制振荡器的工作原理,然后着重介绍了振荡器的设计。仿真结果表明,5V电源电压下振荡器的频率为250kHz,温度在-40-120℃,电源电压在3-5V范围内,频率随温度和电源电压的改变很小,仅为4%。该电路应用于某款D类音频功放芯片。  相似文献   

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