近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺北大核心

随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。     

近红外响应的III-V族半导体光电阴极材料及工艺

随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。     

Ⅲ-Ⅴ族半导体NEA光电阴极智能激活测试系统设计及应用研究

Ⅲ-Ⅴ族半导体负电子亲和势(NEA)光电阴极智能激活测试系统是为研究、制备NEA光电阴极材料提供的一个多信息实验数据自动采集和处理平台.它的亮点在于:在该系统上不但能完成GaAs NEA光电阴极激活,而且能进行GaN NEA.光电阴极激活的研究.其使用波长范围已从初级研究的400～1000nm延展到了200～1000n...     

NEA GaN光电阴极光电发射机理研究

围绕GaN光电阴极NEA特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA GaN光电阴极光电发射机理.实验表明:NEA GaN激活过程中光电流在约1 min之内就可达到峰值,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.根据Spicer光电发射理论,给出了反射模式NEA GaN光电阴极量子产额理论公式,激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因可以用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:Cs-O解释.     

近红外用有砷化铟镓光电阴极的光电倍增管

前言近红外用的新型光电倍增管,是用负电子亲和效应(NEA)光电发射体的工艺产生的。NEA 光电阴极在紫外到近红外中得到广泛的应用。本文重点是叙述近红外谱用的光电倍增管,评述了光电发射过程,并叙述了组合有 NEA 材料的光电倍增管的发展情况;对 NEA 材料和激发技术作了探讨和说明。概述了有 NEA 光电阴极的新型有用器件,包括应用及讨论:探讨光学通讯、激光测距和光学计数等课题,并以发展的观点展望未来的新型器件。     

NEA GaN光电阴极材料光学特性研究

针对NEA GaN光电阴极结构设计和制备工艺需进一步优化的问题,结合阴极量子效率表达式和影响量子效率的因素,采用理论和实验相结合的方法,分别研究了GaN光电阴极材料的表面反射率、光学折射率、光谱吸收系数以及透射光谱等光学参数。结果表明在250 nm到365 nm的波长范围内,表面反射率相对平稳,是影响量子效率的直接因素,而光学折射率则通过电子表面逸出几率间接影响着量子效率。给出了均匀掺杂GaN光电阴极的光谱吸收系数的特点,根据变掺杂NEA GaN光电阴极的结构特点,给出了光谱平均吸收系数的概念和等价计算公式,并对均匀掺杂与变掺杂NEA GaN光电阴极光谱吸收系数进行了对比。     

光电、光敏与发光材料

0207963负电子亲和势光电阴极评估技术研究[刊]/钱芸生//真空科学与技术学报.—2001,21(6).—445～447,451(K)阐述了负电子亲和势(NEA)光电阴极的评估原理,用 NEA 光电阴极的量子产额理论曲线对测试获得     

NEA GaN光电阴极的制备及其应用

近年来,随着晶体生长技术的发展,GaN基材料的生长技术与生长工艺取得了重大突破.基于NEA的GaN紫外光电阴极是非常理想的新型紫外光电阴极.本文重点探讨了NEA GaN光电阴极材料的金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和卤化物汽相外延(HVPE)等主流生长技术的优缺点,介绍了两步生长、横向外延生长及悬空外延技术等新工艺.讨论了GaN光电阴极的性能特点、制备方法以及在紫外光电探测器和电子束平版印刷术领域的应用状况.     

光谱响应在线测试仪的研制与应用

基于光电阴极光谱响应测试原理,研制了光谱响应在线测试仪,经多次实验验证,准确度达到1 nA,完全能够检测出NEA激活过程中产生的微弱光电信号,且具有良好的重复性.利用该光谱响应测试仪,成功实现了激活台内负电子亲和势(NEA)光电阴极激活过程中的光谱响应在线测试,获得了光谱响应曲线,并将其转换成阴极的量子产额曲线.通过曲线拟合方法计算出反映阴极性能的重要参数,得到了大量的阴极信息,弥补了依靠光电流监控阴极信息的不足.     

能制备出负电子亲和势的多晶光电发射薄膜?

本文比较了正电子亲和势(PEA)和负电子亲和势(NEA)光电发射材料的特征.论述了多晶光电发射薄膜表面碎鳞场效应对电子亲和势的影响.阐明了多晶材料不能制备出NEA光电阴极的理由.     

有机发光显示技术的进展

有机发光显示被认为是下一代最理想的显示技术,具有自主发光、功耗小、视角宽、成本低和响应速度快等优点。本文在简述有机电致发光器件的电极结构和发光材料的基础上,重点介绍了有机显示器件的驱动技术和面板的研发成果,并展望未来发展的前景。     

The application of semiconductors with negative electron affinity surfaces to electron emission devices

Semiconductors with negative electron affinity (NEA) surfaces are used as photoemitters, secondary emitters, and cold-cathode emitters. A comprehensive review of the characteristics and applications of these materials is presented, the concept of NEA is described, and a comparison is made between NEA and conventional emitters. Electron generation, transport, and emission processes of NEA emitters are discussed. NEA III-V compound photocathodes, especially GaAs, are described with respect to their fabrication, performance, and applications to photomultipliers and image intensifier tubes. The structure and performance of NEA secondary emitters are presented. NEA GaP secondary-emission dynodes represent the most important device application. NEA cold cathodes, using GaAs, Ga(As, P), or Si, have been investigated, and their performance characteristics are summarized. NEA Si cold cathodes have been incorporated in developmental TV camera tubes. The characteristics of these tubes are reviewed.     

微机械陀螺仪设计与研究

介绍了微机械陀螺仪的关键技术、种类、性能比较和不同应用领域对其性能参数的要求。总结了近几年国内外微机械陀螺仪结构的研究最新成果。对框架式、音叉式、振动轮式、振动环式、转子悬浮式、质量块式和双线振动式等微机械陀螺仪的结构、加工和性能等进行了分析比较。主要阐述了微机械陀螺仪的漂移误差、精度和封装技术3大研究难点和高精度、微加工维度、结构和电路优化、单片多自由度和单片集成化等研究发展趋势。     

Application of negative electron affinity materials to imaging devices

Recent advances in materials technology, activation technology, and device technology have brought to fruition practical imaging devices utilizing NEA photoemitters. This paper describes the characteristics of proximity-focused image tubes utilizing large-area semitransparent, single-crystal III-V photocathode structures. Since the spectral response of the photocathode is determined by choice of the material used as the photoemitting layer, specific choices allow optimization for specific applications; e.g., laser illuminators. The material selection criteria and methods of fabricating the photocathode material structure will be discussed. The use of NEA materials allows the separation of the bulk photocathode material from other tube processing variables and has allowed a high degree of reproducibility from device to device. Specific device characteristics to be included in this discussion are resolution, stability of the photocathode during operation, and photocathode spectral data.     

近红外光谱技术在牛奶及其制品质量检测中的应用

近红外光谱技术作为一种新型的分析检测技术,正在获得越来越广泛的应用。本文阐述了近红外光谱技术的基本原理、具体检测步骤和国内近红外光谱技术在牛奶及乳制品质量分析方面应用的最新研究进展。对目前研究存在的问题进行了分析,对以后进一步的研究进行了展望,并提出了一些建议。     

量子点制备方法的研究进展

量子点以其类似于原子的性质近年来受到很大关注,通过Stranski-Krastanow(SK)生长模式外延自组织生长的量子点具有诸多有利于红外应用的性质,例如工作温度较高、信噪比较大、暗电流较低、波段较宽以及垂直入射光响应等.对于新型红外探测器的研发而言,它们是一类很有潜力的候选者.本文主要对近期国外文献报道的量子点制备方法的部分研究进展做了总结和评述.     

基于合成技术的毫米波太赫兹固态功放研究进展

随着下一代通信和装备向着更大带宽和更高精确度的方向发展,毫米波太赫兹频段成为微波技术研究的重点方向。发射功率是太赫兹系统中的关键指标,功率的大小直接决定了系统的作用距离。近些年来,毫米波太赫兹频段的固态功率器件取得了显著进步,推动了国内外太赫兹固态功率放大器的工程实现。本文介绍了国际上毫米波太赫兹频段功率合成技术和固态功放的研究现状,以及我国特别是南京电子器件研究所在W波段与G波段基于径向功率合成技术、矩形波导合成技术以及硅基波导合成技术的固态功放模组的最新研究进展。     

Selective emission of electrons from patterned negative electronaffinity cathodes

We have observed electron emission into vacuum from the exposed areas of a patterned p⁺⁺-GaAs substrate which was coated with cesium and oxygen. The emission barrier is a double layer of titanium-tungsten/silicon nitride. The exposed areas of the cathode were activated to the negative electron affinity (NEA) condition. It has been an open question whether it would be possible to activate the exposed areas of a patterned GaAs cathode. This result opens the possibility of utilizing NEA cathode technology for projection electron beam lithography tools, NEA-based vacuum microelectronics devices, and a combination of bulk devices with NEA emitters. A picture of an emission pattern projected onto a phosphor screen is presented. Auger depth profile was used to determine the stability of the TiW/GaAs interface through the activation procedure. Short and long term current stability were measured. A technique for cathode recovery and reactivation has been developed     

航空红外光电遥感技术最新进展

航空红外光电遥感技术具有可全天时工作、机动灵活、空间分辨率高等不可替代的优势,是遥感科学、国土监测、国防应用等领域的重要手段.发展航空红外光电遥感技术对我国的经济发展和国防建设至关重要.近年来,航空红外光电遥感技术发展很快,在高光谱分辨率红外成像和高空间分辨率红外成像方面取得了重大突破.高空间分辨率、高光谱分辨率、高时...     

空基激光通信研究进展和趋势以及关键技术

激光通信以其带宽大、保密性好、无频谱限制等特点成为构建空天地海全域网络高速通信有效技术途径。相较天基而言,搭载在气球、飞艇、无人机、飞机等平台的空基激光通信系统以其灵活性好、成本低、可维修等特点,成为高保密军用战术网络、救灾应急网络、商用低成本网络的首选。详细介绍了美国、德国、法国、中国等空基激光通信技术最新研究进展和主要项目的参数指标,总结了一对多、轻量化、高带宽等发展趋势和面临的大气信道复杂、背景噪声严重等技术挑战,提出了高动态捕跟、高密度集成、高灵敏度接收等关键技术措施,为空基激光通信技术研究和工程项目研制提供参考。