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1.
提出了矩阵寻址方式的场发射驱动电路。设计出16级灰度显示的阴极驱动电路以及栅极驱动电路,并对其进行了性能仿真,仿真结果显示驱动电路性能优越。开发出与0.8μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS工艺,有效提高了驱动电路的集成度,并降低了生产成本。成功研制出用于场发射驱动电路输出端的100 V高低压电平转换电路,实验测得空载情况下电路的上升时间和下降时间分别为35,60 ns,能够满足高压驱动电路的频率要求。 相似文献
2.
基于开关控制技术提出了一种开关选通电流型FED驱动电路。该驱动电路包括FET开关选通电路、数字视频锁存电路及PWM调制转换电路等部分,开关选通电路每8路构成一组,各组同步工作,既减少了电流源数量又保证了PWM脉冲有较大的占空比,PWM信号最大脉宽可达TH/8。采用本驱动电路使得在一行内只有1/8的像素数同时导通,有效降低了行扫描驱动电路的输出电流和功耗,同时相邻阴极依次导通减弱了极间电容影响,有利于改善PWM调制性能。 相似文献
3.
介绍了平板显示器件。如场发射显示器、等离子体显示器、液晶显示器、有机电致发光显示器驱动电路.分析了不同驱动电路的优点、缺点。 相似文献
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介绍STN LCD多线寻址驱动方式的优点,及使用多线寻址驱动电路时的要求。 相似文献
5.
本文介绍了场发射平板显示的基本结构、工作原理、场发射冷阴极的制做方法以及与其有关的若干问题,最后介绍了场发射显示的现状和发展动态。 相似文献
6.
根据场发射显示器(FED)显示单元的调制特性和矩阵寻址方式特点,分析了其亮度控制的原理和实现方法.综合分析亮度控制的各种方法得出:电流驱动模式能保证亮度的均匀性,脉宽调制电流驱动应是线性灰度调制的最佳方案. 相似文献
7.
本文介绍了场发射显示的结构、工作原理、阴极类型与制造方法、现状及未来发展趋势。 相似文献
8.
本文介绍了真空微电子场发射阵列的结构,特性和制造工艺,并提供了四种实用的场发射彩平板显示器结构。 相似文献
9.
介绍了各平板显示器件,包括发光二极管显示(LED)、液晶显示(LCD)、等离子体显示(PDP)及场发射显示(FED)的驱动电路。 相似文献
10.
文章介绍了FED驱动系统字符点阵显示原理,针对纳米金刚石FED特点,设计了扫描显示程序,运用汇编语言编写了软件程序,在Keil μVision3环境下进行编译和调试,通过XLISP下载软件下载到驱动电路的单片机中对单片机进行控制口的控制,最后在LED屏上显示了一些汉字效果,验证了所编软件的扫描程序,进而验证了所设计的纳米金刚石FED逻辑控制电路的正确性,为金刚石FED驱动电路的商品化奠定了一定的基础。 相似文献
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概述场发射显示器件的原理,结构和制作工艺及发展水平。展望FED的前景并介绍了国际上围绕FED展开的激烈竞争。 相似文献
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针对自行研制开发的国内最大的40 inch二极管型纳米碳管场发射显示屏,采用DVI数字视频接口技术,结合图像解码电路、FPGA控制电路、行列驱动电路,研究开发了二极管型纳米碳管场发射显示屏专用驱动技术,并成功实现了大屏幕动态显示. 相似文献
13.
通过与有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)显示驱动电路的比较,得出了场致发射显示器(Field emission display,FED)驱动电路的特征,并在此基础上设计了基于简单IC与专用IC芯片的驱动电路,为FED驱动电路的实际应用提供了一种切实可行的思想方案. 相似文献
14.
场致发射显示器(FED)的工作电压高,且存在像素制备不一致引起的显示亮度不均匀等问题,故需要设计特殊的驱动电路来满足其工作要求并克服其缺陷。详细分析了FED常用驱动电路的性能和原理,并对其优点和局限性进行了讨论。 相似文献
15.
场发射显示器(FED)集传统的阴极射线管显示(CRT)与液晶显示器(LCD)的优点于一身,具有很大的发展潜力,有望成为数字电视时代显示器件的主流。文章详细论述了电子场发射的原理.从F—N公式出发探讨了FED阴极材料的选取和阴极结构设计的原则,最后论述了FED阴极结构的发展。 相似文献
16.
采用丝网印刷技术和等离子体表面处理方法,制备了16×16点阵式碳纳米管场发射显示器件(Carbon N anotube F ield Em ission D isp lay,CNT-FED)。根据CNT-FED的结构特点,研究了CNT-FED的显示驱动原理,设计了以51单片机为控制核心的驱动电路,实现了点阵式显示器件的动态显示。 相似文献
17.
通过对场致发射显示器(FED)发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析,着重讨论了场致发射体与其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点,并介绍国外著名公司的研究动态,展望FED的发展趋势。 相似文献
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