TiO_2薄膜制备及其表面光电压谱研究

本文报道了采用PECVD技术淀积TiO_2薄膜,深入地研究了反应条件对薄膜生长的影响,并对薄膜进行了光电子能谱和表面光电压谱测试,结果表明,Ti/O原子比接近2,钛原子氧化态为4,高温氢气退火处理的样品,存在三价态钛Ti~(3+).TiO_2薄膜淀积在硅衬底上,在合适条件下,表面光电压信号增强约二个数量级,主要是形成异质结和消反射作用的结果.     

SnO_2薄膜的红外光谱和表面光电压谱的研究

本文采用PECVD方法制备了SnO_2薄膜,对薄膜进行了红外光谱和表面光电压谱测量发现,薄膜表面化学吸附O_2~(2-)和O~-离子基团,成为反应活性中心、电子转移的桥梁,推测了SnO_2表面与乙醇气体敏感反应历程.SnO_(?)薄膜淀积在n-Si上,使其表面光电压信号增强二个数量级以上,我们认为是SnO_2/n-Si异质结作用和消反射作用的结果.     

基于TiO2、掺铁TiO2纳米粒灭活HL60细胞研究

以不同时间培养添加有不同剂量TiO2、掺铁TiO2纳米粒的HL60细胞,研究TiO2、掺铁TiO2纳米颗粒对HL60白血病肿瘤细胞活性的影响,并对比分析细胞在接受可见光照射和不接受光辐照的情况下细胞的活性,探讨基于TiO2、掺铁TiO2纳米颗粒作为光敏剂PDT灭活肿瘤细胞的可能性.实验结果表明纳米颗粒对细胞的生长具有一定的抑制/毒性作用,培养时间越久、纳米浓度越大,抑制/毒性作用越明显;添加了纳米颗粒的PDT灭杀效率比不加纳米颗粒的PDT灭杀效率高,但交互效应不显著.     

指数掺杂透射式GaAs光电阴极表面光电压谱研究

通过求解一维稳态少数载流子扩散方程,推导了指数掺杂和均匀掺杂的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了发射层厚度相同、掺杂结构不同的两款透射式阴极材料。通过表面光电压谱实验测试和理论拟合发现指数掺杂结构在发射层厚度和后界面复合速率相同的情况下能够有效提高阴极电子扩散长度,这主要由于内建电场能够促使光生电子通过扩散和电场漂移两种方式向表面运动,从而最终提升阴极的发射效率和表面光电压谱。利用能带计算公式和电子散射理论对这两种不同结构材料的表面光电压谱进行了详细分析。     

Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的制备和光电性能

结合水热法和阳极氧化法合成了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射谱表征了异质结阵列的形貌和晶体结构.暗态下的电流-电压曲线表明Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列具有整流效应.相比于纯的TiO2纳米管阵列,Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的光电性能有了显著地提升:在AM1.5标准光强作用下,光电转换效率从0.07％增长到0.40％,表面光电压响应范围从紫外光区拓宽至可见光区.结合表面光电压谱和相位谱,分析了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列中光生载流子的分离和传输性能.     

A3BGa3Si2O14晶体的结构、光学性质的系统研究

用提拉法成功地生长了具有La3Ga5SiO14(LGS)结构的A3BGa3Si2O14(A=Ca，Sr；B=Nb，Ta)系列单晶；用X-射线粉末衍射证明了其单晶结构，并在200-3200nm间测其透过谱。     

Li2B4O7晶体的X射线衍射分析

本文用X射线衍射法对Li_2B_4C_7晶体进行了分析,得到了它的点阵参数、晶面指数、重要晶带中的晶面夹角值和主要面族间的夹角值.利用以上数据绘制了三种标准极图.这些结果可用于Li_2B_4C_7单晶生长研究、晶片加工以及以它为基片的SAW器件设计.     

掺镁、铁铌酸锂晶体的光吸收和ESR光谱研究

取过渡金属铁作为“标记杂质”,以相近浓度分別加入未掺镁和高浓度掺镁(6.0mol%MgO)的一致熔化组分LiNbO_3晶体中,测量了它们的紫外吸收边、OH~-红外吸收光谱和Fe~(3+)的ESR光谱,并加以比较,其显著差异表明两种晶体中Fe~(3+)的离子环境发生了突变,据此定性地解释了光吸收和ESR的实验结果.     

GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱

采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的MOVPE生长的GaN样品进行综合测试.它们在表征GaN单晶膜质量方面结果一致     

PANI/TiO2和PANI/TiO2/HCSA纳米复合材料的光电性能

采用原位聚合的方法制备了PANI/TiO2纳米复合材料,用樟脑磺酸掺杂PANI/TiO2(EB)得到纳米复合膜.使用红外光谱、紫外光谱、荧光光谱及透射电镜探讨了复合材料的光电性能.     

TiO_2纳米粉体的制备工艺研究进展

综述了制备TiO2纳米粉体的各种方法,评述了金属醇盐水解法、水热晶化法、溶胶-凝胶法、均匀沉淀法和液相一步合成法制备工艺及特点,并指出液相一步合成法是在常压低温条件下,在液相中就可制得TiO2纳米粉体的工艺简单、适宜大规模工业化生产的最具潜力的一种制备工艺。     

受主掺杂对TiO2氧敏材料缺陷化学的影响

对受主B2O5掺杂TiO2材料的高温电导进行了详细的测试；XRD分析表明少量受主掺杂并未改变材料的金红石结构；对比施主掺杂研究，出现了很多有趣的现象。施主掺杂样品在较高的测试温度（约950℃）下发生电导类型转变，而受主掺杂样品在较低的测试温度（约750℃）下发生电导类型转变。应用电子补偿及缺位补偿机制对电导特性进行了分析。     

施主掺杂对TiO2氧敏材料缺陷化学的影响

对施主V2O5掺杂TIO2材料的高温电导进行了详细的测试：XRD分析表明少量施主掺杂并未改变材料的金红石结构；施主掺杂样品在较高温度测试时，在高氧分压一侧，发生电导类型转变，从而使测氧范围变窄。运用缺陷化学分析法，解释了不同氧分压下的电导机制。     

纳米TiO2添加剂对TiO2压敏陶瓷性能的作用

为了改善TiO2压敏陶瓷材料的电学性能,通过添加少量的纳米TiO2,使其压敏电压有了明显的降低,非线性系数有了明显的提高,并对其原因进行了合理分析.结果表明,随着烧结温度的提高,总趋势是压敏电压下降,非线性系数提高.当添加5%纳米TiO2并在1400℃烧结时,样品显示出较好的压敏特性:VImA=4.66V/mm,α=4.73和εr=1.1 9×104.     

TiO_2压敏电阻陶瓷元件等静压成型试验研究

采用干压及干压加等静压两种成型方法,通过对不同样品的电性能和焊接性能的比较,并通过SEM微观形貌的观察,研究了等静压成型对TiO2压敏电阻陶瓷元件的微观结构及电性能的影响。结果表明,经等静压成型的TiO2压敏电阻陶瓷的微观结构比较致密,气孔减少,元件的电压一致性和焊接性能得到较大的改善。     

XRD对ZnO 薄膜生长条件和退火工艺的优化

利用等离子体MOCVD设备在(001)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析,优化了薄膜的生长条件,长出了半高宽仅为0.15°的单一取向的高质量ZnO薄膜,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力,而生长结束后一次退火却引入了压应力。     

阴极修饰对染料敏化TiO_2太阳能电池性能的改进

通过对染料敏化TiO2纳米晶太阳能电池中阴极进行修饰来提高电池的光电性能。结果表明:在阴极表面镀上具有催化性能的白金、镍或石墨均可提高电池的光电转化效率(IPCE)、短路电流、开路电压和填充因子等性能。其中白金修饰阴极后,电池的性能较好,IPCE从7.59%升至48.32%,短路电流从0.91 mA升至7.23 mA,开路电压从478 mV升至571 mV以及填充因子从0.09升至0.47。并给出用UV—3100型紫外可见分光光度计测定染料RuL2(SCN)2溶液的吸收光谱。     

Sensing of Vaporous Organic Compounds by TiO2 Porous Films Covered with Polythiophene Layers

This paper describes the detection of volatile organic compounds (VOCs) through analyses of two output signals from integrated microcantilever sensor arrays coated with organic‐inorganic hybrid sensing layers. The surface of TiO₂ porous films was modified by amphiphilic terthiophene monomers and the adsorbed monomers were polymerized at the surface of TiO₂ nanoparticles. The TiO₂ porous films covered with polythiophene layers worked as highly sensitive sensing interfaces to provide two output signals for weight and resistance changes during exposure to VOC vapor. When the TiO₂ porous films onto the sensor arrays were dyed with various kinds of amphiphilic monomers with different substituents, the resulting films provide exact information on VOC concentration from the mass changes as well as VOC classification from the analyses of response patterns.     

集成电路Cu互连线的XRD研究

对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XBD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向.对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况.实验结果表明,对于在各种条件下获得的1 μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能.