液晶电视的功耗管理技术

本文介绍了液晶电视的功耗管理技术.在图像正常显示状态时,采用降低液晶屏的图像刷新率、亮度补偿和对比度增强等方法来动态减小背光亮度,并关闭不需要工作的接口电路;在待机状态时,采用关闭液晶屏、背光灯管、所有接口和处理电路等方法,以降低处理器工作频率和内存访问速度.这些方法有效减少了液晶电视的消耗功率.     

采用FFT-PSO策略的多约束稀疏阵天线方向图综合

采用稀疏布阵的相控阵测控天线,阵元等幅激励时的阵列峰值副瓣电平无法满足指标要求.在考虑天线增益、半功率波束宽度等指标约束时设计了合适的适应度函数,并基于粒子群算法(PSO)对阵元激励幅度进行优化以降低天线副瓣电平.同时,分析了等间距栅格平面阵列天线方向图与离散傅里叶变换的关系,采用快速傅里叶变换(FFT)降低了阵列方向图计算复杂度.仿真结果表明,该方法可有效降低峰值副瓣电平和计算复杂度.     

OFDM-ROF系统中抗非线性方法浅析

未来通信的发展方向将是光通信与无线通信的结合.OFDM光载无线(OFDM-ROF)将无线通信和光纤通信的优点结合起来,具有高速率、高容量和高带宽利用率的优点.非线性是OFDM-ROF系统存在的主要问题之一,降低非线性对系统影响的主要方法有降低峰值功率比(PAPR)、加循环前缀、信道估计、非线性补偿等.     

建设节能型电信运营网络

在供电方式改革基础上选择可靠节能高效网元设备,可减少耗电和电热转换,从而降低供电设备配置和空调耗电.利用监控等手段达到精细化管理,控制和有效管理资源消耗.最终使运营商达到降低CAPEX和OPEX目的.     

光纤量子密钥分发系统中密钥传输率和误码率的研究

通过理论分析和计算,研究了光纤损耗、色散和单光子探测器暗计数等因素对量子密钥分发系统密钥传输率和误码率的影响.研究表明,光纤损耗是影响密钥传输率的主要因素.而量子比特误码率则与光纤损耗、色散、脉冲宽度、单光子探测器暗计数以及瑞利反向散射等因素有关.在实验中,应尽量降低光纤损耗、色散和单光子探测器的暗计数,同时选择适当的初始脉宽,从而提高密钥传输率并降低误码率,进而提高量子密钥分发系统的传输距离.     

一种半速率蜂窝移动通信信道指配策略

本文提出了一种新的蜂窝移动通信系统信道指配策略——基于紧凑模式的半速率信道借用指配策略(SRCPCB).这种策略将半速率信道的思想引入到新近提出的CPCB策略中,以短时间降低部分呼叫的话音质量为代价,来降低系统的呼叫阻塞.通过各种业务模型的仿真,获得了系统的初始呼叫阻塞率、强制中断率和话音质量下降率等性能指标.结果表明:SRCPCB的系统综合性能优于FCA、DCA、BCO、BDCL、CPDCA和CPCB等策略.这对于缓解系统频谱资源紧缺、改善系统性能等具有十分重要的意义.     

GaN异质外延中的侧向生长技术

以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用.但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多数氮化物材料都是通过异质外延的方式来实现,外延材料和异质衬底之间巨大的晶格失配和热失配是导致GaN外延层中位错密度较高的主要原因.侧向生长(ELOG)技术是GaN异质外延中降低位错密度的一种有效方法,总结了该项技术的特点,并对单步ELOG技术、双步ELOG技术、悬空ELOG技术以及无掩膜ELOG技术等多种技术趋势进行了总结.ELOG技术可以有效降低位错密度,但是仍需降低工艺复杂性和减少沾污.     

ZTE Anyservice3.0铸就万物互联新未来

面临OTT的竞争,运营商的基础电信业务如短信、彩信、语音信箱和彩铃等业务遭受到前所未有的冲击,过去的“摇钱树”如何继续成为“聚宝盆”是运营商最为关注的问题之一.随着运营商近几年营收增长趋缓,基础电信业务的运营门槛进一步降低,降低TCO、降低OPEX和CAPEX是运营商应对增长乏力的利器.在此背景下,中兴通讯推出了ZTE Anyservice3.0,旨在帮助运营商在“从CT向ICT乃至M-ICT”的转型中获得市场先机.     

VB-GaAs晶片翘曲度的控制方法

介绍了一种用化学腐蚀进一步降低VB-GaAs晶片翘曲度的方法.通过控制腐蚀液的配比、温度、时间等参数,显著改善了晶片翘曲度.经过腐蚀的切片、研磨片在检验时易于发现裂纹等缺陷,降低了后续工序中的碎片率,综合加工成品率有了明显提高.     

铜化学机械抛光中的平坦性问题研究

铜的化学机械抛光(Cu-CMP)技术是ULSI多层金属布线结构制备中不可缺少的平坦化工艺.Cu-CMP后硅片表面的蝶形、侵蚀等平坦性缺陷将降低铜线的最终厚度和增大电阻率,从而降低器件性能和可靠性.而且可能进一步影响硅片的面内非均匀性(WIWUN),在多层布线中导致图案转移的不准确.本文介绍了对Cu-CMP平坦性的仿真、模拟和实验研究,并着重分析了碟形、侵蚀和WlWUN与抛光液、线宽和图案密度、抛光速度和载荷等相关参数的关系.     

An ultra low noise readout integrated circuit for uncooled microbolometers

A low noise readout architecture for uncooled microbolometer focal plane arrays is described. The on-chip readout circuit contains an integration circuit in which the bolometer current is directed injected into a capacitor, and exhibits extremely low noise with no decrease in signal by using an ultra low noise capacitive transimpedance amplifier (CTIA). The simple configuration of the integration circuit makes it possible to operate more circuits in parallel, and increases the integration time and number of pixels. A 40 × 30 uncooled microbolometer focal plane array based on the low noise ROIC was implemented on silicon using a 0.5 μm CMOS technology. The total output noise voltage is 260 μV RMS. A noise at this level is so low that can loosen required TCR in the bolometer material. Experimental values of voltage responsivities of 3.98 × 10⁵ V/W on average at 1 Hz modulation frequency have been achieved.     

非制冷微测辐射热计的特性参数

描述了非制微测辐射热计的电热效应,推导了响应率、噪声、噪声等效功率、噪声等效温差、探测率等特性参数的计算公式,结果表明,电热效应是影响微测辐射热计性能的关键因素之一。     

Pixelwise readout circuit with current mirroring injection for microbolometer FPAs

A pixelwise readout circuit for application in microbolometer focal plane arrays (FPAs) is studied. A current mirroring injection input circuit that is suitable for a pixelwise architecture and has high responsivity is proposed. The noise equivalent temperature difference can be improved to 31 mK.     

Ultra-low-noise readout integrated circuit for uncooled microbolometers

A low-noise readout architecture for uncooled microbolometer focal plane arrays is described. A 40times30 uncooled microbolometer focal plane array based on the low-noise ROIC was implemented on silicon using a 0.5 mum CMOS technology. Total output noise voltage is 260 V RMS. Experimental values of voltage responsivities of 3.98 10⁵ V/W on average at 1 Hz modulation frequency have been achieved.     

氧化钒热敏薄膜非致冷红外探测器的等效模型

建立了氧化钒热敏薄膜微测辐射热计的PSPICE模型,结合一个具体的CMOS读出电路给出探测器的等效电路模型,分析了探测器的电学和噪声特性,根据等效模型基于微测辐射热计电阻RD和读出电路MOS沟道宽度形两个设计参数对噪声等效温差（NETD）进行了优化,优化数据表明,折中选取参数RD和W对探测器性能有重要的意义。     

微测辐射热计焦平面阵列CMOS读出技术研究

非致冷微测辐射热计探测器以其低价格，高可靠性和高性能能成为热像仪的首选。制作在硅衬底中的读出电路的设计直接影响到整个系统的性能。按读出方式来分，测辐射热计集成读出电路（ROIC）可分为顺序存取读出电路和随机存取读出电路，本文介绍了测辐射热计读出电路的设计原理。分别对两种读出方式作了分析，重点研究了顺序存取读出电路中的移位寄存器，提出了解决延迟的切实可行的方案。     

SiGe/Si quantum structures as a thermistor material for low cost IR microbolometer focal plane arrays

Uncooled microbolometer thermal infrared detector technology is presently revolutionizing the infrared technology field. Essential improvement of the cost/performance ratio would be achieved by microbolometer arrays with higher sensitivity, since this allows the use of simpler and less costly camera optics, which implies a lower cost of the complete IR camera. The sensitivity of the microbolometers depends critically on the signal-to-noise ratio of the integrated thermistor material, which is set by its temperature coefficient of resistance (TCR) and noise characteristics.In this work we have investigated the use of epitaxial silicon-germanium/silicon (SiGe/Si) quantum well (QW) structures as a thermistor material. Si_0.68Ge_0.32/Si QW structures typically give a TCR of 3.0%/K and low noise values. A calculation of the noise equivalent temperature NETD of a bolometer gives 25 mK using the following assumptions: f-number = 1, 30 Hz video frame rate for a 640 × 480 array, with a pixel size 25 × 25 μm.Higher TCR values are foreseen for SiGe/Si quantum dot structures, and the noise is expected to be similar to the QW based structures.     

非制冷微测辐射热计阵列单元结构模型应力有限元分析

介绍了基于非制冷测辐射热计阵列红外成像系统的噪声等效温差(NETD)计算模型.由此设计了一种非制冷微测辐射热计阵列单元结构模型,并对此模型进行了有限元分析,继而对该模型进行了优化.     

Composite microbolometers with tellurium detector elements

A composite microbolometer has been constructed for possible use as a broadband submillimeter radiation detector. Theory, fabrication, and measurement of these devices are discussed, and a finite element thermal model is introduced. The devices utilize nichrome load elements which can be impedance-matched to a planar antenna. The load elements are thermally coupled to tellurium detectors. Room temperature responsivities of 120 V/W and noise equivalent powers (NEPs) as low as 6.7×10^-9 W/√Hz were achieved. Performance appears to be limited by 1/f noise in the Te detector     

室温微测辐射热计太赫兹探测阵列技术研究进展(特邀)

在室温太赫兹探测技术领域中,热敏微桥结构的太赫兹探测器具有探测波段宽、阵列规模大、集成度高、实时成像等显著特点。文中对室温太赫兹探测技术、基于热敏材料的太赫兹探测技术国内外发展现状进行了综述,分析了基于氧化钒薄膜微桥结构的非制冷长波红外焦平面探测技术,存在着太赫兹波低吸收探测性能弱的不足,针对太赫兹波探测进行优化设计,同时介绍了电子科技大学在太赫兹探测阵列吸收结构方面的部分研究工作。