95%Al2O3陶瓷的MoO3体系低温金属化机理研究

本文采用由MoO₃加活化剂组成的配方对氧化铝陶瓷进行低温金属化,通过对氧化铝陶瓷、金属化层的显微结构及元素的分布情况来探索氧化铝陶瓷的低温金属化机理。研究发现金属化层中大部分MoO₃还原成活性较好的Mo颗粒,Mo颗粒间相互烧结连通为主体金属海绵骨架,同时少量的Mo氧化物与MnO、Al₂O₃、SiO 2、CaO等形成玻璃熔体,MnO、Al₂O₃、SiO 2、CaO之间也会形成MnO-Al₂O₃-SiO₂-CaO系玻璃熔体,从而获得致密、Mo金属与玻璃熔体相互缠绕、包裹的金属化层。金属化层中的两种玻璃熔体先后渗透、扩散进入氧化铝陶瓷晶界从而实现陶瓷与金属化层之间的连接。金属化层中还原的Mo金属与Ni层之间形成Mo-Ni合金,从而实现Ni层与金属化层之间的结合。     

提高CMOS工作温度的工艺措施

本文为综述稿。扼要叙述了高温电子器件的重要性及CMOS作为高温电子器件发展的潜力。着重介绍了提高CMOS工作温度的三大措施:1、调整掺杂浓度和几何尺寸,提出了掺杂浓度的四种选择方案及光刻尺寸的折衷考虑。通过实验结果的概括,指出体硅CMOS可以工作到300℃;2、采用CMOS/SOS结构一简要说明了这种工艺可以使工作温度高达375℃;3、采用适当的金属化层一介绍了溅射非晶金属(Ni—Nb,Ni—Mo,Mo—Si,W—Si四种合金系绕)薄膜及溅射细晶粒Ti—W等两种金属化方法,较详细地介绍了工艺步骤及效果。     

纯Mo法Al_2O_3瓷和金属的封接

所谓Mo-Mn法和纯Mo法是通过金属化、镀Ni和其后硬焊而形成的陶瓷和金属气密封接的方法.关于Mo-Mn法Al~2O~3瓷和金属的封接,作者在以前的文章中业已报导。本文所研究的是用含MnO的92%Al~2O~3的圆片,以纯Mo法对可伐另件进行了封接。并研究了封接层的抗张强度和封接件的真空气密性. 用光学显微镜和电子扫描显微镜以及电子探针对封接层进行了检验. 为了解纯Mo法的封接机理,石英玻璃和Mo箔的封接也附带地进行了观察。本文所得的结果如下: (1)当1400-1400℃/60分进行陶瓷金属化时,获得了最高的封接强度和最好的真空气密性。 (2)封接处是按下列顺序的多层所组成:陶瓷-金属化层-镀Ni层-硬焊料层-镀Ni层-可伐。在Mo-Mn法的封接中,看到了陶瓷和金属化层之间的中间层。而在纯Mo法中,则认为是不存在的. (3)在石英玻璃-Mo箔封接中,Mo金属表面层被氧化,如此形成的Mo氧化物扩散到石英玻璃中而形成了过渡层,从而十分有利地降低封接应力和改善粘结 (4)SiO~2-MnO-Al~2O~3系统玻璃相和Ni填充了Mo金属化层的孔隙;前者来自于陶瓷体,而后者来自于镀Ni层。这些物质的浸润和相互扩散得到了强固的和真空气密的封接层。     

Mo粉与陶瓷金属化技术

叙述了陶瓷金属化技术的沿革和Mo粉在金属化组分中的重要性。综述了目前Mo粉存在的主要问题和改进建议。最后,介绍了本行业Mo粉的几种测试方法及其相互比较。     

碳纤维复合材料制件表面金属化的几种工艺方法

主要讨论了碳纤维复合材料制件的表面金属化技术，着重介绍了真空蒸镀、真空离子溅射、电铸法和金属喷涂转移法等四种金属化方法。可根据制件的具体情况选择最适宜的金属化方法。     

95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结机理研究

通过对95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结前后显微结构的分析,对不同Mo含量金属化配方的块状烧结体及高纯高致密Al2O3陶瓷表面金属化层显微结构的研究,探讨了95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层的烧结过程,揭示了Mo骨架结构中Mo颗粒间气孔形成的机理.     

95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结机理研究

通过对95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结前后显微结构的分析,对不同Mo含量金属化配方的块状烧结体及高纯高致密Al2O3陶瓷表面金属化层显微结构的研究,探讨了95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层的烧结过程,揭示了Mo骨架结构中Mo颗粒间气孔形成的机理.     

活化Mo-Mn法陶瓷金属化时Mo表面的化学态——AES和XPS在封接机理上的应用

在金属化时Mo粉表面是处于金属态还是氧化态是一个很有意义的问题,这对全面理解和深入研究活化Mo—Mn法封接机理至关重要。纵观几十年来封接机理的研究历史,深感对此问题认识不足。几乎国内外的封接专家都把陶瓷——金属封接仅仅看成是陶瓷和金属化层界面的粘接,而忽视了玻璃相和Mo颗粒烧结体这一方面的粘接,这是很不全面的。这方面的代表人物有Floyd等,他认为:通常Ni—Mo界面之间粘接强度最高,Mo层之中粘接强度中等,而金属化层-陶瓷界面之间粘接强度最薄弱,故将着眼点放在后者。事实上,这是相对的,它们随着配方和工艺因素的     

高纯细晶A12O3陶瓷金属化工艺研究

本文主要从金属化配方、涂膏方法、金属化层的厚度、金属化温度和镍层的厚度等工艺角度对高纯、细晶Al2O3陶瓷的封接性能进行研究和分析。其结果显示,采用高Mo含量的金属化膏剂、丝网印刷的涂膏方法、金属化层的厚度约为20pm、在1450℃下烧结,镍层的厚度5μm左右时,其平均抗拉强度可达143MPa,超出行业标准50％以上,其显微结构更加连贯、均匀、致密。     

高纯氧化铝陶瓷材料的焊接性能研究

分别采用Ti—Ag—Cu活性金属法、Mo—Mn高温金属化法及氧化物焊料法对高纯氧化铝陶瓷-金属进行焊接实验。结果发现，高纯氧化铝陶瓷的焊接性能较好，适应性较强，其焊接工艺可以采用目前较为成熟的95％Al2O3陶瓷焊接工艺。     

陶瓷——金属的焊接法

用银、锰、铜合金焊接金属与陶瓷,不需要预先将陶瓷金属化,就能将金属一次焊接到陶瓷上。在远低于银熔点的温度下,合金就熔化了,这样,不待熔化银镀层就能把镀银的金属部件焊接到陶瓷上面。     

99％氧化铍陶瓷活化Mo-Mn金属化机理研究

采用活化Mo-Mn法对99％氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验.封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99％氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当.通过对99％氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶瓷中的分布情况分析,探讨了99％氧化铍陶瓷Mo-Mn金属化机理.研究发现,99％氧化铍陶瓷金属化时,在氧化铍陶瓷和Mo海绵骨架中间形成了一层约3μm的过渡层,金属化层的Mo海绵骨架结构通过过渡层与氧化铍陶瓷基体紧密连接.     

陶瓷-金属封接技术的可靠性增长

综述了陶瓷-金属封接技术可靠性的重要性及其相关影响因素.着重指出,金属化层显微结构应均匀一致,活化剂的膨胀系数应处于Mo金属和Al2O3瓷两者之间.提出需金属化的陶瓷表面的粗糙度应综合考虑,其数值以为宜.在金属-陶瓷平封(包含夹封、立封)结构中,应充分利用配匹封接.     

均匀沉淀法制备陶瓷金属化层的微观结构研究

利用均匀沉淀法制备了混合均匀并且钼粉粒度达到纳米级的陶瓷金属化粉末,使用该粉末进行了陶瓷金属化层制备,获得了比较理想的陶瓷金属化层显微结构。同时研究了Mo的含量及烧结温度对陶瓷金属化层显微结构的影响,并将该工艺生产的制品与国内现有制品的微观结构进行了对比。     

Mo粉对95瓷金属化工程化生产的影响

本文采用两种不同的Mo粉处理工艺,将Mo粉中团聚体打开,获得粒度较小的Mo粉体,然后,找出适合处理后的Mo粉丝网印刷工艺.结果发现,Mo粉通过湿磨工艺处理后,D50可以降至1.78μm.用该种粉体金属化后的95％ Al2O3陶瓷,其金属化层致密、均匀,封接强度较干磨工艺处理Mo获得的金属化封接强度提高了2.5倍,达到350MPa以上.     

氧化铝陶瓷的低温钼金属化研究

采用BaO-Al2O3-SiO2（BAS）微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,在氧化铝陶瓷表面低温烧结Mo金属化层。研究了金属化烧结温度及BAS含量对样品抗拉强度的影响,讨论了金属化机理。结果表明：以BAS微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,可在1500~1550℃烧成Mo金属化层,金属化层致密,连接样品的抗拉强度大于260 MPa。     

金属化薄膜电容器金属损耗检测的实验分析

金属化薄膜电容器在高频、高电压、高脉冲、大电流场合下使用，易发生损耗变化。通过对RDBWA—522灌注机焊接头定位，焊接头机械压力及焊接功率的调整试验，找到了金属化薄膜电容器损耗变化的主要原因是金属损耗变化，并对焊接状态对金属化薄膜电容器金属损耗的影响进行了详细分析。     

镁铝尖晶石陶瓷的高温Mo-Mn金属化机理研究

采用活化Mo-Mn法对镁铝尖晶石陶瓷进行了金属化封接实验,并通过对镁铝尖晶石陶瓷金属化层的显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中分布情况的分析,探讨了镁铝尖晶石陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现,镁铝尖晶石瓷的金属化机理与目前较成熟的95%氧化铝瓷的金属化机理存在很大不同。镁铝尖晶石瓷金属化时,Mn元素沿晶界实现固相扩散迁移,固溶于瓷中,与镁铝尖晶石形成Mn:Mg Al2O4尖晶石相;同时,Mg元素沿晶界析出进入金属化层的玻璃相,填充于Mo海绵骨架中。     

GaAs PHEMT器件高温加速寿命试验及物理分析

GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相关,实现PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化和信号传输线金属化。本文针对定制的GaAs PHEMT器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿命试验,并对器件金属化失效单机理进行寿命预计,同时对试验后的样品进行物理分析。结果显示栅金属接触孔链在180℃下就发生失效,接触孔链表面的金属化层形变,金属化发生了迁移;而AuGeNi欧姆接触在225℃高温下更易发生电迁移失效,金属向体内扩散并在金属条上形成空洞。     

用气体-金属共熔法直接键接金属与陶瓷

利用气体-金属共熔的方法把金属直接键接到陶瓷上是可能的。本文介绍了在氧化气氛中把铜箔直接键接到陶瓷上的机理。这就是,在稍低于铜熔点的温度下形成一种铜和氧的共熔体,它促使铜箔和基片紧密接触而形成键接。为了便于比较,对其它金属与陶瓷的键接工艺也进行了简要的评论。能应用这个工艺的金属包括 Cu、Fe、Ni、Co、Ag、Cr、Mo 和 Al。