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给出了一种压阻式冲击硅微机械加速度传感器的温度补偿与实现方法.该方法采用串并联电阻来补偿加速度传感器的零位温度漂移,采用在电源后串联二极管来补偿加速度传感器的灵敏度温度漂移.具体实现时,采用高低温试验机对加速度传感器的环境温度进行变化,通过检测系统测量出4个压敏电阻在高低温时的电阻值,运用软件计算出补偿电阻值、补偿电阻在桥路中的位置以及串联二极管的数量,并根据计算结果构建出了带温度补偿的传感器检测电路.测试结果表明,这一方法能有效补偿加速度传感器的温度漂移. 相似文献
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分析了压力传感器灵敏度温度系数的三极管补偿法原理,从数学的角度提出了定量的补偿公式;在实验中,通过温度周期的调节标定,补偿后灵敏度温度系数绝对值容易达到(10~100)×10-6/℃,从而验证了该技术的可行性和实用性。对实验数据的研究后,讨论了此技术的局限性并在设计中提出了改进办法,具有实用价值,在生产实践中得到了推广应用,反复考察证明补偿后压力传感器的工作性能是稳定可靠的。 相似文献
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运用二元函数的泰勒展开式给出了应变与温度交叉灵敏度大小的公式,阐明了其物理意义,并结合实际测量数据估计了交叉灵敏度;对于实际使用传感器和进行补偿具有一定的指导意义。 相似文献
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文中介绍了Maxim公司的信号调整集成电路芯片MAX1450的引脚含义,功能特点及工作原理.设计和制作了外围补偿电路,对已有的微型压阻式压力传感器进行测试,分析它的信号特性与温度特性,采用了MAX1450信号调理器将微型压阻式传感器的进行校准和温度补偿.对微型压阻式压力传感器的失调、满量程输出、失调温度系数、满量程输出温度系数进行校准和补偿,使信号输出精度提高到1%,满足了实际应用的要求. 相似文献
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本文从原理上论述了称重传感器的温度效应,主要包括零点漂移,灵敏度随温度的改变以及如何进行温度自补偿。对电子衡在冬季和夏季时的误差分析及参数调整有参考价值。 相似文献
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OEM硅压力传感器温度补偿技术研究 总被引:6,自引:2,他引:4
OEM硅压力传感器除具有普通扩散硅压力传感器的灵敏度高、稳定性好等优点外,还具有体积小、人格低廉易于批量生产等特点,成为市场的主导产品,文中对多种OEM硅压力传感器的温度特性曲线及其补偿电路进行测试、比较、分析,对传感器温度曲线可补偿性进行研究,实现了低温度系数厚膜网络温度补偿。 相似文献
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一种压阻式微压力传感器 总被引:8,自引:1,他引:8
微压力传感器是微机电领域最早开始研究并且实用化的微器件之一,它结构简单、用途广。基于压阻效应、惠斯顿电桥等相关知识设计了一种压阻式微压力传感器。为增大灵敏度,设计了一种折弯形的压敏电阻。基于一些相关的微加工工艺制定了制作这种微传感器的工艺流程并且制作成功了传感芯片。设计了一个处理电路去获得此传感器的输出信号,它由两级放大电路和两级巴特沃斯低通滤波电路组成。最后利用这个测试系统检测出了随压力变化而发生变化的微电压信号。 相似文献
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硅压阻式传感器智能数字补偿系统 总被引:1,自引:0,他引:1
为提高硅压阻式传感器在宽温区上的精度,利用传感器高精度智能修补芯片ZMD31050,开发出一套智能化数字补偿系统,将传感器及其外围器件抽象为数学多项式,通过多项式拟合来消除误差,介绍了该系统的硬件组成,通信协议和软件设计。实验结果表明,该系统数据传输稳定,生产效率高,可满足硅压阻式传感器小批量智能修补。 相似文献
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多晶硅纳米薄膜具有优越的应变灵敏特性和稳定的温度特性.为了使这种良好的压阻特性得到实际应用,文中给出了多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器的设计方法.根据多晶硅纳米薄膜压阻特性和硅杯腐蚀技术条件确定弹性膜片结构,并采用有限元分析方法对弹性膜片尺寸以及应变电阻分布进行了优化.依据优化设计结果试制了压力传感器芯片.实验表明该传感器工艺简单、高温特性好、灵敏度高. 相似文献
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介绍了压阻型扩散硅压力传感器的温漂及补偿方法,设计了一种基于USB接口传递的数字压力传感器实现温漂的数字补偿.传感器包括了压力传感器、补偿电路和上位机界面等3部分.对数字补偿的硬件电路进行了详细介绍,数字补偿电路以ATmega8单片机和FT232为核心.传感器通过采集压力传感器的输出信号,再对采集到的信号进行分析处理后将数据打包通过USB接口给上位机,压力值在上位机界面显示出来,可实现对测量压力的数字化补偿和实时传送. 相似文献
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压力传感器厚膜温度补偿技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用厚膜电路制造技术实现硅基压力传感器的温度补偿,不仅可以使传感器的补偿精度高、补偿温区宽,而且可以使传感器的可靠性、抗震动性、耐高低温冲击性以及传感器的外观品质得以全面提升。文中介绍了压力传感器温度补偿电阻网络的原理、厚膜电路的设计和制造技术、网络阻值调整等方面的研究,通过合理的版图、结构和工艺设计,实现了OEM压力传感器的温度补偿,已在压力传感器产品的生产中得到成功应用。 相似文献
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文中设计了一种浅凸台结构的SOI压阻式压力传感器。这种膜片结构解决了由于压力量程扩展导致传感器的灵敏度和线性度无法同时满足使用要求的问题。考虑电阻的设计约束以及浅凸台制作过程中的光刻和刻蚀偏差,采用U型电阻保持高灵敏度和线性度。利用ANSYS软件模拟了膜片结构的力学性能,验证了理论分析的正确性;仿真优化了电阻的形状和位置,预估了传感器的性能。介绍了敏感单元的加工工艺。设计的传感器灵敏度为93.4μV/(V·k Pa),非线性误差小于0.22%,可实现对量程高达10 MPa压力的测量。 相似文献
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Instruments and Experimental Techniques - The measured wall pressure of high-speed train will be affected by train vibration due to the complex test environment. This paper is devoted to the... 相似文献
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耐高温压阻式压力传感器研究与进展 总被引:1,自引:0,他引:1
传统的硅扩散压阻式压力传感器用重掺杂4个P型硅应变电阻构成惠斯顿电桥的力敏检测模式,采用PN结隔离,高温压阻式压力传感器取消了PlN结隔离,与半导体集成电路平面工艺兼容,符合传感器的发展方向。根据力敏材料的分类,分别介绍了多晶硅中高温压力传感器、SiC高温压力传感器和单晶硅SOI(silicon on insulator)高温压力传感器的基本工作原理和国内外的发展现状,重点论述了BESOI(bonding and etch-backSOI)、SMARTCUT和SIMOX(separation by implanted oxygen)技术的SOI晶片加工工艺。以及由此晶片微机械加工成的芯片封装的高温微型压力传感器部分特性,对此领域的发展作了展望。 相似文献