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浅析MOSFET高速驱动器电路设计 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对MOSFET转换过程的分析,得出高速转换过程对驱动电路的要求。通过对转换过程中功率损耗的计算和驱动电流计算的注意事项,得出了在设计高速驱动MOSFET电路过程中的要点。这对用开关电源设计MOSFET的高速驱动电路有参考价值。 相似文献
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介绍了SiC MOSFET驱动电路的设计要求,基于ACPL-355JC光耦驱动模块设计了SiC MOSFET驱动和保护电路。该电路具有驱动能力强、响应迅速和多种保护等优势。另外,针对SiC MOSFET开关过程中存在的瞬态电压尖峰和振荡问题,分析了SiC MOSFET开关过程中产生过电压和振荡的机理,并在此基础上提出一种RC吸收电路参数的计算方法。实验结果表明利用该方法设计的RC吸收电路能够有效解决SiC MOSFET在开关过程中的过电压和振荡问题﹐从硬件电路上有效降低开关噪声,从而保护功率器件。 相似文献
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凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合。传统基于硅(Si)MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术。目前,已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础,为SiC MOSFET驱动电路的设计提供了参考。对现有基于SiC MOSFET的PCB板级设计技术进行了详细说明,并从开关速度、电磁干扰噪声以及能量损耗等方面对其进行了总结和分析,给出了针对SiC MOSFET驱动电路的设计考虑和建议。 相似文献
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在现代雷达控制系统中,伺服系统的转速稳定性和定点精度,直接影响到最终成像品质。文中针对伺服系统常用的永磁同步电机控制器中的功率器件金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)展开研究,主要分析了MOSFET的米勒效应,介绍了MOSFET的电路模型和开通过程,分析了米勒平台电压的振荡原因和米勒效应对驱动电路的危害,并设计两种优化电路来抑制米勒效应。理论分析和实验结果表明,经过改进的驱动电路有效抑制了米勒效应产生的栅源脉冲电压尖峰。所设计电路已应用于20 kHz/1 kW永磁同步电机驱动器,有效提升了雷达伺服系统的环境适应性和稳定性。 相似文献
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碳化硅MOSFET因其材料的特殊性,适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅MOSFET的驱动电路,通过软件PSpice对碳化硅MOSFET以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究,并设计RC缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题。搭建硬件实验电路,在Buck电路中针对碳化硅MOSFET和Si IGBT在不同负载和占空比下进行电路效率分析。实验结果表明碳化硅MOSFET开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小。碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性,适合高频下工作。RC缓冲电路能有效抑制开关产生的尖峰和震荡,在Buck电路中碳化硅MOSFET比Si IGBT在不同负载和占空比下效率要高。 相似文献
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由于MOSFET栅源极和栅漏极间存在着寄生电容,也即Cgs和Crss(统称为输入电容Ciss),而且呈现非线性特性,它的存在在高频时会影响到功率放大器的驱动电路的性能。因此,文中构建了包含输入电容的功率放大器的电路模型,并以ARF461A射频功率MOSFET为例,分析了输入电容Ciss对射频功率放大电路的驱动电路设计的影响。实验结果和理论分析保持了很好的一致性。理论分析和实验均表明,在射频MOSFET功率放大器的设计中,充分考虑输入电容Ciss的影响,可以提高驱动电路的驱动能力和放大器的性能。 相似文献
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为了使BUCK变换器中MOSFET能够浮地工作,采用脉冲变压器构成其栅极驱动电路.分析驱动电路的结构和工作原理,对脉冲变压器进行设计,并给出增大磁化电感和减小漏感的方法,从而有效传输驱动波形,有利于降低MOSFET的损耗,提高BUCK变换器的效率.通过软件和实验对脉冲变压器驱动电路进行电路仿真和实验验证. 相似文献
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《电子技术与软件工程》2016,(24)
提出了一种功率MOSFET驱动电路。首先介绍了MOSFET的驱动要求及驱动不足产生的影响,然后介绍了一种外置式转换驱动电压的驱动电路,最后通过仿真验证了外置式转换驱动电压的驱动电路。 相似文献
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介绍IR2130功率MOSFET驱动器的特点,设计基于功率MOSFET和栅极驱动芯片IR2130的无刷直流电动机功率驱动电路,通过对驱动电路自举元件的合理选择以及寄生效应的正确分析和处理,实现无刷直流电机的电子换向和高效驱动,具有结构简单,工作稳定,保护可靠等优点.另外IR2130驱动芯片内置死区电路,以及过流保护和欠压保护等功能,大大降低了电路设计的复杂度,提高了系统的可靠性. 相似文献
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微型化大电流脉冲激光器驱动电路研究 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种用于与激光二极管芯片进行集成的基于MOSFE场效应管的大电流脉冲驱动电路方案,计算了限流电阻对驱动电路中储能电容性能的影响,分析了MOSFET场效应管峰值驱动电流与开通时间的估算公式,通过仿真软件研究了激光器的寄生电感对驱动电路波形的影响;理论和仿真结果表明,通过驱动电路与激光器芯片的一体化集成,提高了脉冲激光器性能,设计并制作了尺寸为14mm的微型化驱动电路;经测试,27V直流电压源驱动下,驱动信号上升时间小于15ns,脉宽25~150ns,最大占空比0.5%,输出幅值大于22V。 相似文献
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碳化硅器件的优点不仅能提高电力电子装置功率密度,而且使设备体积小型化。文中设计了一种用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路,通过双脉冲电路对SiC MOSFET的动态特性进行测试,验证不同驱动电阻、不同频率对碳化硅功率器件特性的影响。在直流变换器中使用电压等级相同的SiC MOSFET和Si IGBT,对比开通和关断时间,将不同占空比对应的输出电压进行比较。利用PSpice软件仿真,结果显示驱动电路设计合理,验证了SiC MOSFET具有开关速度快、开关损耗小、驱动电阻小、工作频率高等优点,比Si IGBT控制的直流变换器输出电压误差小。 相似文献
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针对MOSFET易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证MOSFET能在高速应用场合的可靠运行.该方法具有实现简单、成本低廉、安全可靠的特点.经过1000W纯正弦波逆变器设计应用,实验波形表明驱动电路的合理性和有效性. 相似文献