梯度硅铝合金在高密度微波组件封装中的应用研究

伴随着微电子封装技术高速发展,单一的封装材料已经难以满足当前高密度集成微波组件封装所需的综合性能需求.在简述了微电子封装技术对材料的需求以及金属基材料存在的不足的基础之上,文中引入了 一种新型微电子封装材料—梯度硅铝合金,开展了全方位的工艺验证,包括多芯连接器与盒体热失配、LTCC电路片与盒体热失配、盒体形变、法兰盘强...     

次亚磷酸钠作还原剂化学镀铜工艺研究

近年来,化学镀铜技术在PCB行业、机械工业、航空航天等各行业有着越来越广泛的应用,有关化学镀铜的机理研究和工艺路线改进等课题已成为当今材料表面处理研究领域的热点之一。然而,以甲醛为还原剂的传统化学镀铜工艺受绿色制造的要求,其使用将受到限制,开发非甲醛体系化学镀具有巨大市场潜力。本文采用RF-4环氧树脂为基材,研究了以次亚磷酸钠为还原剂的化学镀铜工艺的改进,并且讨论了添加剂的加入对镀铜层形貌和性能的影响。     

混合微电子技术用关键材料的新进展

概述了混合微电子技术用关键材料的种类和现状，讨论了混合微电子产品对不同材料的基本要求，分析了各种材料的特点，列出了相关材料的详细数据，指出了这些材料的发展趋势。     

混合微电子技术用关键材料的新进展

概述了混合微电子技术用关键材料的种类和现状，讨论了混合微电子产品对不同材料的要求，分析了各种材料的特点，列出了相关材料的详细数据，指出了这些材料的发展趋势。     

真空微电子器件发射体材料研究概况

改善真空微电子器件发射体材料的性能，有助于大大提高真空微电子器件的性能。本文概述了近年来真空微电子器件发射体材料研究状况，认为目前对金属薄膜材料，合金材料，金刚石薄膜，碳化物，硅化物等的场发射特性的研究工作，将产生一些性能优异的发射体材料。     

电子陶瓷化学镀及应用

电子陶瓷拥有优良的电学，热学和机械性能，是电子工业中使用广泛的高技术材料，采用化学镀方法在电子陶瓷表面可获得多种功能性镀层，满足电子工业的需要，综述了电子陶瓷化学镀工艺以及化学镀层的功能性。     

聚酰亚胺材料在微电子工业中的应用

介绍了高纯度高性能聚酰亚胺材料在集成电路及微电子工业中的应用，包括α粒子的遮挡层膜、微电子器件的钝化层和缓冲内涂层、多层金属互联电路的层间介电材料和多芯片模块多层互联基板的介电材料和接点涂层膜。     

钨粉化学镀铜对压制性能的影响

通过钨粉表面化学镀铜,使其表面包覆一层均匀的诱导铜膜,以此制备W-15Cu电子封装材料。采用扫描电镜和双对数压制方程理论分析,研究钨粉表面化学镀铜含量对钨粉压制性能的影响,结果表明钨粉表面化学镀铜可改善其压制性能,且随化学镀铜含量的增加,压制同等生坯密度的制品压力增大。     

微电子技术在微机械制造中的应用

微电子技术的飞速发展，为微机械系统的制造提供了坚实的基础。本文对微电子材料的机械性能，微电子工艺在微机械制造中的应用进行了阐述。     

微电子器件的抗辐射加固和高可靠技术

介绍了微电子器件的辐射效应和器件制作材料、电路设计、器件结构、制作工艺、元件之间的隔离、预辐射等加固技术，及微电子器件加固水平；并扼要介绍了微电子器件的耐高温和耐冲击与振动等高可靠技术。     

取代化学镍金用于线宽线距小于30μm高密度印制板的新技术

化学镀镰/金具有优良的性能,已在印制电路板上获得广泛应用。但随着线路的线宽线距越来越小耙催化剂会夹杂在线路之间造成化学镀镖经常出现超镀现象,使化学镀腺/金工艺无法应用。为了解决此问题,我们发现用0.2μm厚的微碱性化学镀银层具有化学镀镖/金层相同的可焊性和打线功能,证明微碱性化学镀银工艺可以取代超高密度PCB的化学镀牒/金工艺。     

The principle cause of crack defects in optoelectronic materials with phosphorus-containing underlayer

The principle cause of cracks in laser-welded, Au-coated, optoelectronic materials with a phosphorus (P)-containing underlayer is studied experimentally and numerically modeled. Experimental results find that the crack formation is due to the existence of a P-containing underlayer and is not due to the thickness of the Au plating layer. The P-containing underlayer introduced by a electroless plating process may generate a low melting, P-rich segregation layer during solidification. A finite-element method analysis is performed to evaluate the residual stresses variation of the low melting P-rich segregation layer. Results show that the high residual tensile stresses of the P-rich segregation layer are generated by solidification shrinkage. A crack may be initiated by this residual stress. Both experimental observations and numerical calculations indicate that the crack formation mechanism in laser-welded Au-coated optoelectronic materials is directly related to the low melting P-rich segregation layer and its associated high tensile stresses. Based on these results, a Ni underlayer with P-free electroplating, instead of P-containing electroless plating, should be used prior to plating Au on optoelectronic materials to prevent crack formation in laser welded Au-coated optoelectronic materials.     

Defects in optoelectronic materials due to phosphorus-containing underlayer

We report the new observation that the crack formation mechanism in a laser-welded Au-coated optoelectronic material is due to the existence of P-containing underlayer and is not due to the thickness of the Au plating layer. Therefore, to solve the problem of crack formation in laser-welded Au-coated optoelectronic materials, it is strongly recommended that a Ni underlayer with P-free electroplating instead of P-containing electroless plating should be used prior to plating Au on optoelectronic materials.     

次亚磷酸钠还原化学镀铜工艺研究及展望

化学镀铜是印制电路制作中重要工序,开发新的非甲醛体系化学镀铜工艺是当前化学镀铜领域中的热点。文章根据化学镀铜的基本原理,分析了以次亚磷酸钠为还原剂的化学镀铜工艺的特点、以及该技术的研究情况,并提出了该工艺未来的研究方向。     

化学镀Ni-P镀层状态对引线键合的影响（1）

观测了化学镀Ni/Au工艺中化学镀Ni-P镀层的状态,评估了基底化学镀Ni-P镀层的P含量和Ni析出状态对引线键合性的影响。     

化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响

研究了化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响及其机理。结果表明，化学镀镍以后许多样品因其绝缘电阻严重下降、介电损耗大幅度增加而失效。通过对比实验发现，这些样品的失效不是由于镀液的渗透引起的，而是与化学镀镍过程中的化学反应有关。提出了化学镀镍过程中产生的氢原子还原铌镁酸铅陶瓷的观点。经过一定温度的氧化热处理，失效样品的性能可以得到恢复。     

半导体硅上激光诱导选择性化学镀铜

利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层,由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构。在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行,要对基底表面先进行活化。实验表明,预处理及其后的清洗工艺对选择性镀膜质量影响很大;采用丙酮或硝酸水清洗,有助于获得清晰的微型图元结构。     

在Ag导电胶上化学镀铜工艺

概述了由Ag导电胶形成的Ag导电膜上的化学镀铜工艺,其特征在于采用新的活化工艺取代传统的Pd催化剂,可以在Ag导电膜上形成均匀致密,无镀层扩展和优良附着性的化学镀铜层,特别适用于印制板的Ag导电胶上选择性化学镀铜。     

超声波在陶瓷基片化学镀铜中的作用研究

采用了将超声辅助化学镀铜工艺与传统化学镀铜工艺对比的方法，研究了超声波辅助处理在陶瓷基片化学镀铜（包括前处理）中的作用，结果表明：超声波辅助处理影响化学镀铜的全过程，具体体现为：超声波辅助除油及粗化处理有利于形成致密、表面平整度高的铜层、超声波辅助敏化和活化处理使铜层表面的平整度下降，超声波辅助处理对化学镀中铜的均匀沉积不利。同时分析了超声波辅助处理对沉积速率及铜层显微硬度的影响。