微电子技术中的材料兼容

微电子技术的发展对材料提出了更高的要求。本文评述了硅材料与其它半导体、绝缘物和导体的单片兼容技术及应用。     

铜丝键合工艺在微电子封装中的应用

在铜丝或铜条长期应用于分立器件及大功率器件的同时，近年又出现了晶片的铜金属化工艺。由此，业内人士采用铜作为丝焊键合的一种材料使用，进而开始了一些新工艺的研究。结果证实，铜金属化使电路的线条更细、密度更高。因而铜丝可以作为一种最有发展前景及成本最低的互连材料替换金丝，可进行大量高引出端数及小焊区器件的球形或楔形键合工艺。主要阐述铜丝键合工艺在微电子封装中的现状及未来发展方向。     

微电子工艺中的清洗技术

本文指出了清洗工艺在集成电路制程中的重要性,详细介绍了目前广泛采用的几种清洗方法的清洗原理、特点、存在的问题以及发展的方向。     

聚酰亚胺材料在微电子工业中的应用

介绍了高纯度高性能聚酰亚胺材料在集成电路及微电子工业中的应用，包括α粒子的遮挡层膜、微电子器件的钝化层和缓冲内涂层，多层金属互联电路的层间介电材料和多芯片模块多层互联基板的介电材料和接点涂层膜。     

混合微电子技术用关键材料的新进展

概述了混合微电子技术用关键材料的种类和现状，讨论了混合微电子产品对不同材料的要求，分析了各种材料的特点，列出了相关材料的详细数据，指出了这些材料的发展趋势。     

超细铜粉的化学镀锡及其抗氧化性能研究

以水合肼还原法制备出平均粒径约1μm的超细铜粉,并对其进行化学镀锡。研究了镀锡层对复合粉末微观形貌及抗氧化性能的影响。结果表明:镀覆质量分数50%的锡后,复合粉末平均粒径有所减小,但在空气中的氧化起始温度从120℃提高到220℃,与镀银层相比,镀锡层在较低温度区间对铜粉抗氧化具有优势。     

化学镀层的扫描开尔文力显微术(SKFM)研究

首次在化学镀样品上成功地实现了扫描开尔文力显微镜的测量，得到了化学镀层表面形貌以及与微观组分分布相关的表面电势差信息。该分析方法没有复杂的样品制备过程，不会破坏样品的原始状态，对于宏观上具有确定组分的微观相分离样品，可以由表面电势差得到不同相的微区分布。比其它的常规分析手段有更高的空间分辨率，能获得更多的材料微区结构、组分与性能间关系的信息。     

在沉铜层上镀铜的阴极初始过程研究

针对印制电路板沉铜后进行一次铜电镀时,作为阴极的电路板的电镀初期的过程进行研究并阐明其发生机理。     

PCB高稳定性中速化学镀铜工艺研究

主要研究微量添加剂对化学镀铜镀液沉积速率及镀液稳定性的影响,通过试验筛选合适的微量添加剂,在不改变化学镀铜镀液主反应物质含量的情况下实现镀速提高和镀液稳定性增加。开发出的高稳定性中速化学镀铜工艺,其性能满足PCB工业化生产。     

氧化铝陶瓷基板化学镀铜金属化及镀层结构

通过化学镀铜在氧化铝陶瓷基板表面实现了金属化,采用SEM研究了镀铜层表面微观形貌以及热处理的影响,检测分析了金属化镀层附着力。结果表明:通过控制镀液中铜离子浓度以及铜沉积速率,在基板表面可形成均匀致密的铜金属化层;热处理后进一步提高镀层致密化和导电性,其方阻由3.6 mΩ/□降为2.3 mΩ/□。划痕法测试表明镀铜层与氧化铝陶瓷基板结合紧密无起翘,可以满足敷铜基板的要求。     

化学镀厚铜故障的处理

化学镀厚铜不需要电镀设备和昂贵的阳极材料,沉铜后经防氧化处理即可进入图形转移工序,然后直接进行图形电镀,缩短了生产流程,有着非常广泛的应用。但由于化学镀厚铜沉积时间长,镀层较厚,在生产中如果参数控制不到住,容易出现镀层起皮和结合力差等问题。文中对某厂在化学镀厚铜过程中出现的一次孔口起皮故障进行了原因分析和跟踪,提出了预防出现类似问题的方法。     

高稳定性化学镀铜液的参数优化

采用单因素实验法,以镀液稳定性、镀速及镀层光亮度为指标,优化了化学镀铜液参数以提高镀液稳定性,并研究了添加剂对镀液电化学极化性能的影响。试验结果表明:随着Cu SO4·5H2O和HCHO浓度的增加,镀液稳定性有所下降;适量的络合剂和稳定剂的加入能有效提高镀液稳定性。采用优化后的镀液施镀30 min,镀速为4.93μm/h;施镀后的镀液在80℃水浴中的稳定时间大于2 h;所得铜层为具有金属光泽的淡粉红色,铜颗粒排列紧密;镀铜层电阻率低至3.67×10–8Ω·m,铜层与基体之间的附着强度提高至10 N/mm2。     

铝基板表面氧化铝层分子自组装活化法镀铜

采用分子自组装活化法在铝基板表面氧化铝上实施化学镀铜,镀层有很好的剥离强度,通过SEM、EDS和离子色谱对其进行了表征。研究了硅烷化时间与基体表面硅烷修饰量的关系,浸钯时间对基体表面钯含量的影响,硅烷化时间对镀层剥离强度的影响。通过正交试验得到最佳工艺条件:硅烷化处理用3-氨基丙基三乙氧基硅烷,质量分数为0.4%,硅烷化时间12h、温度50℃、浸钯溶液活化时间30min、30℃;得到的镀铜层剥离强度为1.00。     

以酒石酸钠钾为络合剂的常温化学镀铜液研制

常温化学镀铜溶液具有反应温度低、甲醛自我分解少、维护费用低等优点。为了寻找合适添加剂并确定各组份最佳含量,获得一种反应活性好,维护简单的沉铜液,文中通过设计七因素三水平正交实验的方法,综合研究了沉铜液中各组份对沉积速率、溶液稳定性、镀层外观的影响,确定了一种以酒石酸钠钾为络合剂,甲醛为还原剂,稳定性较好、沉积速率较高、镀层外观较好的常温化学镀铜配方。     

PTCR元件化学镀镍电极的最优工艺条件

采用正交试验法研究了络合剂浓度、镀液 pH值、施镀温度与时间对BaTiO3 陶瓷PTCR元件化学镀镍电极的影响 ,得到制备化学镀镍电极的最优工艺条件。重复试验证明 ,在该工艺条件下获得的以Ni镀层为底层电极的PTCR元件 ,其耐电压和耐工频电流冲击性能良好。