纳米器件的发展动态

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。     

EPLD器件在数字通信中的应用

本文介绍了ＥＰＬＤ器件的开发环境，并以Ｌａｔｔｉｃｅ公司的产品为例介绍了ＥＰＬＤ器件的内部结构。通过实例介绍了ＥＰＬＤ器件应用中的一些问题。     

铁氧体大功率移相器研究

介绍了大功率背脊波导锁式铁氧体移相器的一般设计方法。首先讨论了器件的铁氧体材料参数的选取和器件结构的设计以及提高器件差相移的方法。然后介绍了器件相位的温度补偿的方法。最后给出了Ｓ 波段器件的性能     

电花隙防护器件

本文简述电磁脉冲防护用的电涌放电器件的分类和特性,着重叙述了电涌放电器件中的电花隙防护器件;较为详细地介绍了电花隙器件的基本结构、参数要求、工作机理和特性。最后,介绍了电花隙器件在各个领域中的应用情况。     

MMIC器件在无线收发信机中的应用

文中根据时分双工无线收发信机的框图介绍了放大器、混频器、衰减器和开关等MMIC器件在射频设计中的应用,着重介绍了MMIC放大器,在介绍各种MMIC器件时分别给出了几种器件型号。     

液晶显示器技术及其曝光设备(续)

介绍了LCD器件类型和生产线概况及器件市场与发展现状 ,根据LCD器件对曝光设备的工艺特点 ,重点介绍了几种用于LCD制造的曝光设备 ,结合LCD器件目前的发展趋势 ,讨论了曝光设备面临的新课题。     

RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6)

介绍RTD器件几种主要器件结构及每种器件结构的优、缺点和应用前景,并介绍了RTD通用制造工艺和工艺中的关键问题。     

硅光电探测器

本文以典型器件为例,较详细地介绍了Si-PIN光电二极管和Si雪崩光电二极管,讨论了器件理论和器件结构、制作工艺等一些实际问题。介绍了典型器件参数。     

SOI器件及应用

文章介绍了各种SOI器件的结构及特点,指出了各种器件的优越性能。同时文中还介绍了在SOI结构上制作电路的工艺及需要开发的技术。在此基础上概括介绍了SOI器件的各种应用。     

液晶显示器技术及其曝光设备

介绍了LCD器件市场及发展现状、器件类型和生产线概况。根据LCD器件对曝光设备的工艺特点 ,重点介绍了几种用于LCD制造的曝光设备 ,结合LCD器件目前的发展趋势 ,讨论了曝光设备面临的新课题     

微电子器件的抗辐射加固和高可靠技术

介绍了微电子器件的辐射效应和器件制作材料、电路设计、器件结构、制作工艺、元件之间的隔离、预辐射等加固技术，及微电子器件加固水平；并扼要介绍了微电子器件的耐高温和耐冲击与振动等高可靠技术。     

新一代纳米级器件物理特性仿真工具——SenTaurus Device

介绍了Synopsys Inc.新近推出的新一代纳米层次器件物理特性仿真工具——SenTaurus Device的功能特点以及进行器件物理特性仿真的典型流程。重点介绍了为实现nm级器件物理特性的模拟引入的诸多近代器件物理模型。利用SenTaurus Device对基于Sentaurus Process生成的一个90nm NMOS器件进行了器件物理特性仿真,并给出了相应结果。     

基于C代码的PSpice器件模型的实现方法

介绍了基于C代码的器件建模方法.该方法充分利用了PSpice新提供的器件方程开发包中的源代码,能以简单方便的方式实现仿真速度快、精度高的器件模型.以碳化硅器件模型的开发为例,详细介绍了C代码建模方法的实现过程.     

微波功率器件及其材料的发展和应用前景

本文介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT、MESFET和HEMT微波功率器件的材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InP、SiC、GaN等新型的微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望。     

超结理论的产生与发展

对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。     

基于ISP的可编程DPSK信号发生器

介绍了在系统可编程（ISP）逻辑器件,并探讨了ISP器件的应用。以实例介绍了用EDA技术和ISP器件设计可编程信号发生器的方法。     

功率器件的散热设计方法

在模拟电路设计过程中难免会使用功率器件,如何处理和解决这些功率器件散热问题对于电路设计师来说非常重要,因为这些功率器件的工作温度将直接影响到整个电路的工作稳定性和安全性,文中首先介绍了功率器件的热性能指标,并根据作者的实际工作经验,介绍了功率器件的散热设计方法.     

有机电致发光显示板

本文介绍高性能多层有机电致发光显示器件。该器件可分为三类。多层器件的发光亮度超过１００ｃｄ／ｍ’，驱动电压低于２０Ｖ。文章也介绍了高亮度器件的发光机理和器件的稳定性。     

超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响

对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOS器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。     

《电声器件材料及物性基础》正式出版发行

正由吴宗汉、何鸿钧、徐世和编著的《电声器件材料及物性基础》近日由国防工业出版社正式出版发行。本书以电声器件材料及其物性为主要内容,系统阐述了电声、声电转换的基础知识,电声器件中的功能材料,电声器件中的结构材料,电声器件中的辅助材料,电声器件材料研究及性能标准介绍等内容。目前,国内有关电声器件材料的专著很少,而介绍电声器件材料及