用AFM研究硅基上沉积铜膜生长过程

室温下,利用磁控溅射在P型Si(111)衬底上沉积了铜(Cu)膜.用原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间制备的Cu膜形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时膜在硅衬底上成核和生长方式.Cu膜在Si衬底生长时,Cu的临界核以Volmer-Weber模式生长.溅射时,核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜.随着沉积的进行,Cu膜表面粗糙度由于晶粒凝聚和合并而增大.当形成连续致密的、具有一定晶向的Cu膜时,粗糙度反而减小.     

MPCVD法在氧化铝陶瓷上的金刚石膜沉积及其成核分析

用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）法在氧化铝陶瓷基片上沉积了金刚石薄膜。实验表明，对基片进行适当的预处理，包括用金刚石研磨膏仔细研磨和沉积前原位沉积一层无定形碳层，可显著提高成核密度；对硅衬底和氧化铝基片上金刚石膜的成核过程进行了对比分析，并提出了提高氧化铝基片上沉积金刚石的成核的措施。     

系统压强对微波等离子体化学气相沉积金刚石成核的影响

为了在氧化铝上制备（100）定向织构的金刚石薄膜,必须先提高金刚石的成核密度,在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中,采用低压成核的方法,在氧化铝陶瓷上沉积出高成核密度的金刚石薄膜,扫描电镜显示其成核密度可达10^8cm^-2。在此基础上,沉积出（100）织构的金刚石薄膜。     

有机磷类成核剂作用下聚丙烯结晶行为及其力学性能

研究了含有不同含量成核剂的聚丙烯的结晶行为对其力学性能的影响．结果表明,当成核剂含量从0增至0．8％(质量)时,树脂的拉伸强度和弯曲强度提高了15％,弯曲模量增加了35％,结晶温度提高了10℃,由非线性Volterra积分方程得到的成核密度提高了10^4倍,而且成核聚丙烯的成核密度与其材料的力学性能之间存在着线性关系,即随着成核密度的增大,材料的拉伸和弯曲性能呈线性的增大．     

硬质合金YG8上金刚石薄膜的成核研究

利用调节基底表面碳流量的方法促进了丝ＣＶＤ中硬质合金ＹＧ８上金刚石薄膜的成核，使成核期大为缩短，根据扫描电镜和拉曼光谱对沉积结果的分析，研究了ＹＧ８上金刚石薄膜成核的机理。     

基片表面处理对金刚石成核密度影响的研究

为了研究基片的表面状态对金刚石成核密度的影响，采用了抛光清洁的基片、对样品划痕、基片加热脱附等不同的表面处理方法，对样品表面进行预处理，得到了不同表面处理条件下的金刚石成核密度。尝试了在低真空（10－1Pa量级）条件下，去除表面的氧化硅及吸附活性的含碳原子，以提高金刚石的成被密度，得到了较理想的结果，成核密度为109／cm2。     

CVD金刚石成核的最新研究

研究了化学气相条件下金刚石在非均匀研磨硅基底表面及镜面基底和均匀研磨基底边缘及角域处的成核行为。发现ＣＶＤ金刚石成核不仅依赖于沉积区缺陷，更主要由缺陷的锐度决定，即缺陷加强ＣＶＤ金刚石成核的锐度效应。在对无序碳上ＣＶＤ金刚石成核研究的基础上，讨论了ＣＶＤ金刚石成核的机理，并由此阐明了各种表面预处理及负偏压等增强ＣＶＤ金刚石成核的微观过程。     

多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构

在玻璃基底和四种硅基底上用反应式直流磁控溅射法制备了ＺｎＯ薄膜。用ＡＥＳ和ＸＲＤ对薄膜结构和组分进行测试,结果表明,五种基底上生长的ＺｎＯ薄膜在不同程度上都具有优良的纵均匀性、明显的ｃ轴择优取向和较高的结晶度,而硅基底上薄膜的结构普遍优于玻璃基底上沉积的薄膜。     

离子束辅助沉积碲化铅薄膜的AFM研究

利用原子力显微镜（AFM）研究了离子束辅助沉积碲化铅（Pblle）薄膜的微观结构和表面形貌。结果表明,传统热蒸发方法制备的碲化铅薄膜呈现出明显的柱状结构,离子束轰击可以显著改变薄膜的微观结构,导致柱状结构的逐渐消失和晶粒的长大。     

制备参数对磁控溅射CoSi2薄膜织构的影响

采用射频磁控溅射法溅射CoSi2合金靶材制备CoSi2薄膜,研究了制备参数对薄膜织构的影响。结果表明,CoSi2薄膜中存在(111)或(220)织构。织构的形成受溅射参数的影响。溅射功率越大,溅射气压越低,(111)织构越强烈。当基底温度增加时,织构经历了先增强后减弱的过程。     

射频溅射Y-ZrO_2薄膜的研究

采用射频磁控溅射法制成含钇的二氧化锆薄膜,借助背散射分析(RBS)、透射电子显微镜(TEM)和X光衍射(XRD)方法研究了薄膜的化学剂量比、微观结构和相结构。同时研究了微观结构与机械性能(显微硬度、韧性、抗磨损性)之间的关系,以及退火对相稳定性的影响。     

硅靶低温射频磁控溅射沉积氧化硅薄膜的电击穿场强

采用磁控射频溅射法制备了氧化硅（SiOx）薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜电击穿场强的影响。结果表明：薄膜的主要成分是氧化硅（SiOx）;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增加后减小,在400W左右时最大;薄膜的电击穿概率与衬底的选择有关,在单面抛光的单晶硅片与在不锈钢衬底上制备的氧化硅相比电击穿场强高且概率集中。     

化学汽相沉积金刚石薄膜的生长

利用热丝化学汽相沉积法生长出优异的金刚石薄膜，研究表明，金刚石的成核依赖于沉积点的尖锐度，薄膜的生长包括晶粒长大和薄膜上的二次成核及其生长，可用分层生长来描述，金刚石晶粒的生长由外延生长和二次成核及其生长组成。也是分层进行的，结果导致了金刚石晶体和薄膜的层状结构。     

新型工艺制备ZnO薄膜的结构与形貌研究

采用了一种新型工艺制备ZnO薄膜。新工艺采用二步法,首先在N型Si(100)衬底上用离子束沉积溅射一层金属Zn膜,然后通过热氧化金属Zn膜制备ZnO薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜对不同制备工艺下的ZnO薄膜进行结构与形貌的分析比较。研究表明,Zn膜的离子束溅射沉积时间、热氧化时间和辅助枪的离子束对热氧化后的ZnO薄膜再轰击处理对ZnO薄膜的结构与形貌都会产生影响。     

BOPP薄膜的凝聚态结构研究进展

介绍了近年来国内外有关BOPP薄膜结晶行为、取向行为和取向机理等凝聚态结构方面的研究进展,并就近年来国内这方面研究中的一些问题进行了分析讨论,展望了进一步深入研究的前景。     

双靶磁控溅射制备掺W氧化钒薄膜的研究

用双靶磁控溅射制备了掺钨氧化钒薄膜。Ｘ射线电子谱（ＸＰＳ）对所沉积的薄膜进行了分析,发现掺Ｗ氧化钒薄膜的相结构比较复杂。通过特征峰标定了这些相。用面积灵敏度因子方法得到Ｗ掺杂量的结果。原子力显微镜给出了薄膜的表面形貌。其表面形貌特征随沉积条件的不同有一定的变化。