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考虑用激光器与调制器直接耦合以及耦合槽的影响,用散射矩阵法及二步等效反射率法,对沟槽耦合腔激光器的波长调谐和频率调制特性的分析表明,数学处理简单,物理图像清晰。 相似文献
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报道了一种采用单个增益芯片实现双波长输出的光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)。VECSEL所用的增益芯片发光区由两组不同发光波长的量子阱组成,其中一组发光波长较短的量子阱采用吸收区泵浦的方式,另一组发光波长较长的量子阱采用阱内泵浦方式。在VECSEL工作时,吸收区泵浦的短波长量子阱率先激射,由于发光波长较长的量子阱对短波长量子阱的强度调制效应,此时可以观察到两种波长的光谱峰值强度随时间周期性振荡,采用高灵敏探测器观察到VECSEL此时的输出激光呈现出脉冲输出形式。随着泵浦功率进一步增加,VECSEL的输出激光呈现稳定的双波长输出,激光波长峰位分别位于967.5 nm和969.8 nm。VECSEL双波长稳定输出时的最大激光功率可以达到560 mW,光斑在正交方向呈现对称高斯形貌,正交方向发散角分别为6.68°和6.87°。 相似文献
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本文将激光射器与调制器的直接耦合和耦合槽的影响综合考虑,用散射矩阵法及两步等效反射率法,对沟槽耦合腔激光器的波长调谐和频率调制特性进行了分析,数学处理简单,物理图象清晰。 相似文献
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