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随着大规模集成电路工艺技术的发展,针对越来越小的加工尺寸,在半导体刻蚀工艺中对亚微米及以下尺寸首选的蚀刻方式就是反应离子刻蚀,以其各向异性实现细微图形的转换。鉴于工艺上的要求,须将整个硅片表面的高低起伏全部抛光打磨成理想厚度,即平坦化工艺,这就需要研究反应离子蚀刻中二氧化硅刻蚀速率和均匀性的影响。通过反应离子刻蚀速率研究相关实验得出数据,再对薄膜厚度进行测量,最终定量计算出刻蚀速率和均匀性等参数,确定最佳的工艺条件。 相似文献
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等离子体和反应离子刻蚀硅的各向异性
及均匀性实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在反应离子刻蚀(RIE)及等离子体刻蚀(PE)设备中,分别采用CF_4,SF_6,NF_3和C_7F_(14),腐蚀剂气体,对(100)Si进行刻蚀.研究了工艺条件对刻蚀各向异性及均匀性的影响.结果表明,RIE的各向异性与均匀性均优于PE.RIE的各向异性值A与刻蚀气体中的添加剂成份有关,添加20%Ar时A最大值为5.4;添加20%C_2F_5Cl时,A值可高达10以上.在RIE中,CF_4和NF_3,的刻蚀均匀性优于SF_6,最佳刻蚀均匀性平均值优于5%,添加剂对刻蚀均匀性没有明显的影响.而PE显示各向同性的刻蚀特征,均匀性约为16.5%.并对各向异性及均匀性的起因作了解释. 相似文献
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利用SF6/C2ClF5,SF6/CCl2F2,SF6/CCL2F2/O2等氟氯族混合气体,在普通的平板型反应离子刻蚀系统上,进行了反应离子深刻蚀硅的研究。在Cr膜的掩护下,SF6/C2ClF5刻蚀硅的速度,但刻蚀的方向性差;SF6/CC12F2和SF6/CCl2F2/O2都可获得各向异性的刻蚀工艺,刻蚀速率在200-500nm/min之间。 相似文献
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石英传感器刻蚀工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
化学刻蚀是石英传感器制造中常用的工艺方法。化学刻蚀必须解决腐蚀液和保护膜两大问题,腐蚀液浓度,温度,石英材料的质量,抛光质量等对传感器表质量,尺寸精度,性能有影响。 相似文献
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SnO_2/SiO_2双层薄膜的湿敏特性 总被引:2,自引:0,他引:2
本实验是在单晶硅片上热生长一层SiO2,然后用真空淀积的方法获得一层超微粒SnO2薄膜,通过对SnO2/SiO2薄膜电阻与相对湿度关系的测试,发现阻湿的线性特性和灵敏度明显优于SnO2薄膜和SiO2薄膜,测湿范围明显展宽。 相似文献
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本文通过溶胶-凝胶法制备了介孔SiO2粉体,比表面积为1 148.02 m2/g,孔径约2.7 nm。通过丝网印刷的方法在SnO2气体传感器表面制备了介孔SiO2改性层,研究了改性层厚度对其气敏性能的影响。通过对500×10^-6和1 000×10^-6氢气、10×10^-6乙醇、10×10^-6丙酮和10×10^-6苯的测量,改性层对乙醇和丙酮的响应有抑制作用,对氢气的响应有显著的提高。当SiO2改性层厚度为15μm时,在250℃下,对1 000×10^-6氢气的响应值相对改性前传感器最大可提高到6.35倍。本文同时对选择性提高的机理进行了探讨。 相似文献
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Lau H.C.W. Tang C.X.H. Leung B.P.K. Lee C.K.M. Ho G.T.S. 《IEEE transactions on systems, man, and cybernetics. Part A, Systems and humans : a publication of the IEEE Systems, Man, and Cybernetics Society》2009,39(4):933-938
Reactive ion etching (RIE) is a process in the fabrication of semiconductor devices. The ability to predict the influence of the process parameters of RIE is crucial in terms of machine performance as they may have a serious impact on product quality as well as on the probability of machine failure. To address this issue, this correspondence paper presents a novel performance tradeoff function for evaluating the overall suitability of adopting the predicted control parameters suggested by domain experts, taking into full consideration their impact on the performance of the machine involved. An experiment using the RIE machine is provided to validate the practicability of the proposed approach. 相似文献