金属氧化物晶体管

最近国外介绍了一种新型场效应晶体管.静电场在半导体表面感应所生的载流子起了导电的作用.半导体硅表面有一层氧化硅绝缘层,然后再是蒸发铝膜;使用时电压加在与半导体硅互相绝缘的铝膜上.工作时载流子就在硅的两个扩散区间流动.所得的晶体管输入阻抗为10~(13)欧电阻并联25微微法电容,跨导在1到5毫安/伏之间.     

半导体和超导体混合晶体管的研究进展

半导体和超导体混合晶体管是指以超导体为源极和漏极,半导体为沟道而构成的超导体一半导体混合场效应晶体管(简称混合型场效应晶体管或超导场效应晶体管)和以超导体为基区,半导体为发射区、集电区而构成的超导体-半导体混合结型晶体管(常称超导基区晶体管或超导基区热电子晶体管)。本文将讨论这     

采用砷化镓场效应晶体管的18千兆赫前置放大器

引言砷化镓金属半导体场效应晶体管(MESFET)比双极晶体管噪声低,增益高,适用于高至20千兆赫左右频率下的低噪声前置放大器。金属半导体场效应晶体管的特性金属半导体场效应晶体管由高阻衬底上的薄导电层构成。N 型导电层包括源和漏两个欧姆接触以及栅的整流接触。图1示出的砷化镓金属半导体场效应晶体管中,1×200微米的栅     

卫星广播电视地球站固态高功率放大器性能分析

随着微波半导体晶体管技术、新型材料的发展,固态高功率放大器的功率模块也从砷化镓场效应晶体管发展为氮化镓场效应晶体管,本文介绍了固态高功率放大器的基本原理,对采用砷化镓和氮化镓技术的两类固态高功率放大器的主要技术指标进行了比较.     

运算放大器可实现带宽增倍与噪声减半

场效应晶体管简称FET，其主要利用场效应原理工作。场效应即改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。与双极型晶体管相比，FET的特点是输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小、温度性能好、抗辐照能力强、多功能和制造工艺简单等。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等，     

微波场效应晶体管及其电路应用(综述)

一引言 1965年,RCA公司的Becke成功地制造了第一个微波场效应晶体管,使场效应晶体管开始进入微波领域。但是,在其后一段很长的时间进展较为缓慢。随着半导体材料和工艺技术的进步,从1974年开始又有了新的突破。最近几年进展迅速,现在已从实验室阶段走向实用阶段。目前,各国半导体厂家和研究部门纷纷成立微波场效应晶体管的研制机构开展研制工作。有关微波场效应晶体管及其应用的文章亦大量发表,似乎大有微波场效应晶体管热之趋势。     

C波段场效应晶体管放大器

本文叙述的固体微波放大器所用的基本元件是肖特基势垒场效应晶体管,称为金属—半导体场效应晶体管(MESFET),在高达12千兆赫的频率下具有稳定功率增益。本文主要讨论了 G 波段放大器的电路分析、设计参数和测试结果。     

匹配反馈放大器:砷化镓金属半导体埸效应晶体管的超宽带微波放大

一种从350兆赫至14千兆赫频率范围的超宽带放大器组件已经研制成功。在整个这一40:1带宽范围内最小增益为4分贝,输出功率有13分贝毫瓦。该放大器用负反馈和正反馈回路与一个砷化镓金属半导体场效应晶体管做在一起,该砷化镓金属半导体场效应晶体管的主要特性在于寄生参数低。该晶体管栅极尺寸为800×1微米。文中讨论了砷化镓金属半导体场效应管的工艺和射频性能,也讨论了单端反馈放大器的设计考虑和性能。     

元器件快览——Component Update

本栏目将不定期地向读者报道国内外优秀、新型的元器件产品信息。除特殊说明外,本栏目中的美元价格均为美国本土价。产品特 性型号 . 价格 联系方法砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)光耦合金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率MOSFET射频双极晶体管一种3W MESFET(金属半导体场效应晶体管)和一种HJFET(异质结场效应晶体管)供L频带和S频带应用,在设计上适于Class—AB工作;在1.9GHz分别提供lOdB和14dB增益;3.8 x 4.Omm SMT封装.单极常开光耦合MOSFET以350V峰值和120mA的负载工作;在120mA提供25 Q导通电阻、3750Vrms(均…     

软印刷法便捷制备非晶Zn-Sn-O场效应晶体管

在柔性透明电子学领域,非晶氧化物半导体是场效应晶体管的关键材料.采用了一种简单、低成本的方法,即软印刷技术制备高性能的锌锡氧化物Zn-Sn-O(ZTO)底栅型场效应晶体管(FETs).利用自组装单分子膜(SAM)进行微接触印刷,制备了铟锡氧化物(ITO)源漏电极和ZTO晶体管沟道材料.柔性聚合物印章被用于SAMs的图形...     

DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型

总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOI MOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。由于背栅端口的存在,SOI器件存在新的总剂量效应加固途径,对于全耗尽SOI器件,利用正背栅耦合效应,可通过施加背栅偏置电压补偿辐照导致的器件参数退化。本文研究了总剂量辐照对双埋氧层绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOI MOSFET)总剂量损伤规律及背栅偏置调控规律,分析了辐射导致晶体管电参数退化机理,建立了DSOI晶体管总剂量效应模拟电路仿真器(SPICE)模型。模型仿真晶体管阈值电压与实测结果≤6 mV,同时根据总剂量效应模型给出了相应的背栅偏置补偿模型,通过晶体管背偏调控总剂量效应SPICE模型仿真输出的补偿电压与试验测试结果对比,N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的背偏调控模型误差为9.65%, P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)为5.24%,该模型可以准确反映DSOI器件辐照前后阈值特性变化,为器件的背栅加固提供参考依据。     

无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展

迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所面临的许多问题都与PN结相关,传统的按比例缩小将不再足以继续通过制造更小的晶体管而获得器件性能的提高。半导体工业界正在努力从器件几何形状,结构以及材料方面寻求新的解决方案。文中研究了无结场效应器件制备工艺技术及其进展,这些器件包括半导体无结场效应晶体管、量子阱场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管、石墨烯场效应晶体管、硅烯场效应晶体管、二维半导体材料沟道场效应晶体管和真空沟道场效应管等。这些器件有可能成为适用于10nm及以下技术节点乃至按比例缩小的终极器件。     

聚合物薄膜场效应晶体管研究进展

有机薄膜场效应晶体管（OFET）在电子报纸、智能识别卡、大面积平板及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中．聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点．而使聚合物薄膜场效应晶体管（PFET）近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展，最后讨论PFET器件未来的研究方向。     

无针孔砷化镓表面的LB膜钝化技术

本文评述了一种获得无针孔 GaAs 表面的钝化新技术——LB 膜光化学钝化技术。这种技术可望改善 MIS 场效应晶体管的性能,制造出稳定的高性能的 GaAs基质 MIS 器件。     

聚合物薄膜场效应晶体管研究进展

有机薄膜场效应晶体管（OFET）在电子报纸、智能识别卡、大面积平板显示及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中，聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点，而使聚合物薄膜场效应晶体管（PFET）近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展，最后讨论PFET器件未来的研究方向。     

三代半导体功率器件的特点与应用分析

以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题。文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨。     

MOS集成电路及其发展状况

一、MOS集成电路的发展过程及其特点 半导体场效应器件的发展历史远比双极晶体管为早（双极晶体管于四十年代末出现）,大约在二十年代后期,人们就发现了“场效应”,并在三十年代初期出现了应用场效应原理工作的原始的场效应器件。     

VMOS管推挽变换器设计

本文讨论如何利用VMOS(V形槽金属氧化物半导体)功率场效应晶体管来改善开关电源的性能。     

宽长比对CMOS反相器开关时间影响的分析

互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器是集成电路的基本单元,其开关时间影响集成电路的传输延迟。文章针对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS）的宽长比对CMOS反相器开关时间tr和tf的影响,分析N型金属氧化物半导体晶体管（NMOS）和P沟道耗尽型场效应晶体管（PMOS）宽长比对开关时间的影响,通过多次模拟分析,得出对称开关时间对宽长比的要求。     

半导体存储器件及其制造方法

本专利发明的一种半导体存储器包含有SOI衬底,在SOI衬底上,半导薄膜制作在半导体衬底上,在它们之间插入一绝缘物膜。由制作在SOI衬底上的MOS开关晶体管形成存储单元结构,江崎二极管制作在MOS晶体管上。这种存储器件还包含由复杂隧道二极管提供的存储单元和由江崎二极管提供的另外存储单元,隧道二极管与半导体衬底上构成场效应晶体管的掺杂区之一连接,而江崎二极管则是