真空灭弧室触头和屏蔽筒

真空灭弧室有一铜铬触头和铜铁屏蔽筒。触头包括铜铁非邻接部分（１６）和厚度为触头５０％的铜铬邻接部分（１８），该铜铬层（１８）可能亦含铋、锂、镁。屏蔽筒（２０）由铜、铁、０－３０％铬（屏蔽筒成份中铁铬总量低于６０％）组成。触头可烧结或挤压成形。屏蔽筒可烧结、挤压、铸造而成形或者用等离子溅射法或激光等离子溅射法在管道内表面沉积而形成。     

屏蔽罩对真空灭弧室性能影响的研究

分析了屏蔽罩对真空灭弧室耐压及燃弧后介质特性恢复的影响 ,以及屏蔽罩厚度及材料对真空灭弧室的性能影响。最后研究了屏蔽罩大小对真空灭弧室电弧电压、屏蔽罩电位及屏蔽罩电流的影响     

真空灭弧室触头熔焊的研究

完成了用于真空灭弧室的铬铜触头材料熔焊的研究。具体研究了五种含铜量50%及70%及添加W-2%或Bi-0.3%及2.5%合金。为便于比较,还研究了铜含金Cu-Bi(0.3%)-B(0.008%)所得有关熔焊力的数据可以用于不同触头材料的比较。触头熔焊力的克服问题可用断路器传动机构牵引力对灭弧室动导杆的冲击作用来解决。     

有助于把电弧转变成扩散型的纵向磁场真空灭弧室

一个能产生强径向磁场的真空灭弧在其真空外壳内有一对面对面的触头，它们能在分断电路位置和闭合电路位置之间作相对移动。螺旋臂型或杯槽型触头由管状金属蒸气屏蔽筒围绕着。在触头处于分断电路位置时，该屏蔽筒与至少一个触头是电绝缘的。每个触头是与线圈和载流导电杆相串联的。这个位于触头背面的线圈可由灭弧室的开断电流所激励。导电杆则延到真空外壳之外。线圈中的电流在触头间区域内产生一个径向磁场。该磁场迫使触头间的开     

真空灭弧室的设计

真空灭弧室是真空开关的最重要的部件，被誉为真空开关的心脏，因此，真空灭板室的设计至为重要，本文介绍真空灭板室的最新设计，其中包括真空灭弧室的基本要求，触头材料及几何形状，波纹管，屏蔽，真空壳体的设计以及真空灭弧室的总体设计等。真空灭板室用于真空断路器，真空接触器以及真空负荷开关等，它对整机的机电性能影响很大，因此，精心设计和制造性能优异的真空灭弧室以满足各种使用场合不同用户要求，这是摆在设计和制造     

对弧后真空灭弧室触头间燃弧电压的研究

本文从理论和试验两个方面研究了真空灭弧室内燃弧和介质恢复现象，测量了大电流电弧之后的放电燃弧电压。     

对普通触头材料和低浪涌触头材料的真空电弧不稳定性能的实验研究

小电流真空电弧中大量存在着比正常弧压着１０倍的短时（小于５００ｎｅ）峰值弧压（“不稳定性”ＡｇＷＣ（低浪涌）和ＣｕＣｒ（普通）触头材料的真空工关管中出现许多不稳定的参数在变流电路中进行了统计分析，发现中等上升速率（ＣｕＣｒ为２．８ｋＶ／μｓ，ＡｇＷＣ为０．６３ｋＶ／μｓ）和高幅值（ＣｕＣｒ为１３４Ｖ，ＡｇＷＣ为５４Ｖ）上有明显的差异。这些参数很可能反映了象恢复和截流水平这样重要的开断特性。它表明截     

大电流真空电弧的模拟

如今，真空技术已在中压领域(12～52kV)的灭弧室中广泛应用，并且优点明显，如可靠性高、使用寿命长、环保等。这些都是持续改进的成果，这些成果的取得得益于对大电流开断性能的研究。这些研究使我们对开断现象的某些基本方面有更加深入的理解。     

真空电弧特性对螺旋触头电流开断极限的影响

我们用一个高速视频摄象机来观察螺旋触头上的电弧特性，发现电弧的运动有三个阶段，第一阶段为电弧产生后立即出现的电弧缓慢运动期，在这个阶段，电弧渐渐开始运动，运动速度小于10m/s，第二阶段为加速期，第三阶段为电弧高速运动期，此时，电弧的旋转速度大于50m/s。我们可以看出，电弧缓慢运动期的持续时间和电弧高速运动期的速度与触头的形状有关。研究结果如下：（1）螺旋触头的电弧缓慢运动期越短。它的开断能力越大。（2）在电弧缓慢运动期，在电荷转移到开断触头上时，成功开断与失败开断之间有一个界限。（3）这个开断界限与触头材料有关，从以上研究结果我们可以得出结论：在电弧缓慢运动期内，转移电荷会影响电流零点的触头间隙。     

真空灭弧室内部屏蔽罩间隙雷电冲击击穿特性的面积效应

随着真空灭弧室电压等级的提升,其内部屏蔽罩间隙的尺寸增加将产生击穿面积效应,这将成为制约真空灭弧室绝缘性能的关键因素之一。本文研究了真空屏蔽罩间隙在不同间距条件下雷电冲击击穿特性的面积效应,实验中采用了三种直径的典型屏蔽罩结构,直径分别为40、60和80 mm,电极材料为不锈钢。结果表明,在恒定间距条件下,随着有效面积的增加,真空屏蔽罩间隙的绝缘强度呈下降趋势,并且下降速度逐渐增大。当间距增大时,一方面任意有效面积下屏蔽罩间隙的击穿电压显著提升;另一方面,由于有效面积的增大对击穿电压的削弱作用逐渐降低。本文的研究结果不仅可以指导真空灭弧室内部屏蔽罩间隙的绝缘设计,也可以为具有不同电极结构真空间隙的绝缘评估提供理论依据。     

真空灭弧室各种触头材料在开合负载条件下的性能

在过去几年里,真空开关原理在中压系统中得到了广泛的认可。当控制大电路电流的真空断路器几乎都采用ＣｕＣｒ２５（重量％）至ＣｕＣｒ５０作为触头材料时,用于开合较低负载电流（如接触器）的真空灭弧室所选用的触头材料还未确定,这种材料也必须满足多次开合操作下的低烧蚀、低截流值、产生高频瞬态电压的可能性以及灭弧能力好等要求。人们不仅经常采用以难溶成份为基本组分的材料,如ＷＣｕ、ＭｏＣｕ、ＷＣＡｇ等,而且似乎也在使用ＣｕＣｒ材料。本文的目的是研究这些材料在负载及超负载条件下的开断性能。实验是在合成试验电路中利用一个真空试验室进行的。试验室的触头处于有效值达７ｋＡ的燃弧电流,峰值为２３ｋＶ的瞬态恢复电压的作用下。利用扫描电子显微镜,我们比较了各种触头材料的开断能力和燃弧后的触头表面状况。     

真空灭弧室横向磁场触头间磁吹力的计算分析

对螺旋槽型和杯状型两种横磁触头进行了研究,仿真分析了不同电弧位置和触头结构参数下触头间磁场的分布,同时计算分析了触头间电弧所受的磁吹力,可为横向磁场触头的研究与应用提供参考。     

真空灭弧室触头材料的多孔骨架烧结工艺分析

本文主要分析和探讨了用于浸渍法制造真空灭弧空触头材料的多孔骨架烧结工艺。文中首先阐述了多孔骨架烧结过程的特点，其次论述了多孔骨架烧结的方法和工艺，最后还介绍了几种典型金属的多孔骨架烧结，并例举了目前常用的ＣｕＣｒ触头材料Ｃｒ粉颗粒烧结多孔骨架直至ＣｕＣｒ合金触头材料的制成过程。     

电流零点时双极性和四极性纵磁触头的特性差别

在真空断路器中利用纵磁触头，可以开断较大的短路电流。与电孤孤柱中的电流平行的磁场可以影响电孤的模式，并进而提高开断容量。无论触头的设计为何种结构，这种磁场在触头表面上是朝向各个方向的。在本文中，我们介绍的是双极性和四极性纵磁触头的特性测量结果。对于双极性触头来讲，磁场的极性变化了一次，对于四极性触头，磁场的极性变化了两次。由于涡流的路径不同，因此，四极性触头在电流零点时的残余磁场就要强得多。我们通过测量孤后电流，研究了这两种触头结构的开断容量。