电子发射材料组成对Ba-W阴极性能的影响

利用TGA-DSC和XRD对阴极铝酸盐添加氧化钪(Sc2O3)前后的合成工艺、产物物相等进行了研究,对合成后铝酸盐与钨基的浸渍工艺、阴极的发射性能及蒸发速率进行了分析。结果表明:铝酸盐主晶相为Ba5CaAl4O12,添加w(Sc2O3)3%后,主晶相改变为Ba3CaAl2O7,熔点下降了48.5℃,铝酸盐的浸渍温度降低了130℃,浸渍度略有升高,保温时间缩短了0.5min。在阴极工作温度(1000～1100℃)范围之内,添加Sc2O3后制备的铝酸盐阴极直流发射密度是普通铝酸盐阴极的2倍以上;1100℃时平均蒸发速率是普通铝酸盐的61.5%,性能明显优于普通铝酸盐。     

新型三元混合基钡钨阴极的发射性能研究

研究了三元混合基底的制备及对钡钨阴极发射性能影响,结果表明所研究的W-Ir-Rh、W-Ir-Ru、W-Ir-Re三元混合基钡钨阴极的发射与传统的覆膜纯W基钡钨阴极的发射水平近于相当,但其制备工艺更简单,排气和激活时出气更少,能够加速管子的处理工艺.     

新型二元混合基钡钨阴极的发射性能研究

研究了二元混合基底的制备及对钡钨阴极发射性能影响,结果表明所研究的W-Ir（MMM）、W-Re（CMM）二元混合基钡钨阴极有比传统覆膜纯W基钡钨阴极更低的逸出功,具备更好的发射性能;从所研究的两种混合基钡钨阴极发射来看,覆膜阴极和未覆膜阴极发射效果没有明显差异。     

铁电阴极电子发射实验研究

为提高铁电阴极材料的电子发射电流密度及电子束品质,采用等静压成型工艺制备PZT铁电阴极样品,研究了真空度、温度、极间距、收集极和极间铜网等测试条件对其电子发射性能的影响。结果表明:利用等静压成型工艺制备样品,并进行硅橡胶绝缘层保护,在真空度高于10–3Pa,极间距为2.5mm,并在极间添加铜网,采用石墨收集极情况下进行电子发射实验,可获得铁电阴极样品测试最佳效果。     

紧凑型荧光灯阴极电子发射性能的探讨

一、前言紧凑型荧光灯阴极的构成,包括基金属和电子发射层两部份。电子层又由碱土金属碳酸盐等按一定比例涂覆在基金属上。基金属不仅是氧化物涂层的支撑体,以传导热量将涂层加热到所需温度,而且在分解激活和使用过程中,储存并不断提供激活剂,使阴极能够持续得到“超额钡”的补给。     

大电流阴极的发射性能研究

研究了新型钡钨阴极发射性能，并且分别用扫描电子显微镜(SEM)和工业CT微焦点系统来分析所研制的新型钡钨阴极的表面形貌和内部微细结构。该阴极不仅简化了传统浸渍钡钨阴极生产工艺，而且发射性能要优于传统工艺阴极。     

铁电阴极的电子发射及应用

本文介绍了铁电极极的电子发射现象以及铁电阴极的一些应用。     

钡钨阴极与钪系阴极的表面研究

利用表面分析技术对 Ba-W 阴极和钪系阴极激活前、后和遭受离子轰击后表面元素及其化学态的变化以及它们与发射性能的相互关系进行了分析研究。分析结果有助于对阴极性能、它们对不同器件的适用性以及工作机理的进一步认识。     

场致电子发射阴极及其制备方法的研究

文章对石墨、金刚石、非晶碳及碳纳米管等常用场发射冷阴极材料的结构、在场发射方面的应用和发展进行了介绍和分析,认为碳纳米管是场发射冷阴极的首选材料。并结合其原理和性能对电弧放电法、脉冲激光熔蒸法、化学气相沉积法、等离子增强化学气相沉积法等场发射阴极制备方法进行了探讨,认为等离子增强化学气相沉积法因可以实现低温原位生长而具有较好的发展趋势。     

覆膜浸渍扩散阴极表面微区电子发射像研究

覆膜对浸渍扩散热阴极表面电子发射的影响一直是热阴极研究领域的重点课题。该文采用最新研制的深紫外激光光发射电子显微镜/热发射电子显微镜(DUV-PEEM/TEEM),对一半覆膜、另一半未覆膜的浸渍扩散阴极试样作了1150 ℃×2 h激活,并对其表面微区的热电子发射像及其随温度的变化作了比较。结果发现,两种阴极的热电子发射均主要位于孔隙及其邻近颗粒边缘;随温度升高,未覆膜阴极发射主要集中于孔隙内及周边有限区域内,发射面积增量较小,覆膜则使阴极有效发射区域得以由孔隙及其边缘向距孔隙更远的区域延伸,发射面积大幅增加。上述结果首次给出了覆膜浸渍扩散阴极微区的电子发射特征,对于理解该类型阴极发射机理有一定参考价值。     

栅控枪中阴极发射电流密度的调节

分析了栅控枪中阴极面发射不均匀的原因,特别是栅极的加入对阴极发射的影响。模拟了栅极尺寸改变对阴极发射电流的调节作用,得到了栅网的几个主要尺寸变化对阴极发射影响的规律。在设计时,可以根据其对栅网进行优化处理,以得到比较均匀的阴极电流发射,从而延长阴极的使用寿命。     

铁电冷阴极材料电子发射实验研究

铁电冷阴极材料是一种在脉冲电压激励下从铁电表面获得很强的脉冲电子发射的新型功能材料。如何提高该材料的发射电流密度、束发射度和束亮度,是其研究的一个热点。本实验采用硅橡胶,清漆作为底电极表面及栅电极边缘的绝缘保护层,避免了表面放电现象,使得激励场强增大,从而极大地提高了铁电冷阴极材料的发射电流密度,最高达187 A/cm2,从归一化均方根发射度εn(m·rad)和归一化峰值亮度βn(A/m2·rad2)理论计算值来看,也大大改善了材料的束发射度和束亮度。     

彩色显像管阴极发射参数测试的物理原理

讨论了彩色显像管阴极发射参数测试的物理原理和不良品分析。掌握这些概念有助于正确评价显像管的质量。     

铁电材料用于阴极发射的研究

铁电材料作为一种新型的阴极材料，具有真空要求低、制作简单、功函数低、响应速度快等特点。本文讨论了铁电阴极发射的机理，回顾了主要铁电阴极材料的发射实验，包括低电压铁电发射实验，最后对铁电阴极材料的应用做了讨论和展望。     

新型无铅阴极的电子发射性能研究

采用NBT基铁电陶瓷,获得了20 A/cm2的电流发射密度。与PZT的发射性能相比,NBT发射电流密度稍低,但NBT具有更低的发射起始阈值,更高的耐压强度和更好的退极化性能。NBT表现出来的较PZT良好的耐压和退极化性能是与其结构有关的,由于A位阳离子与八面体间较PZT有更强的耦合作用,因此,NBT的铁电电畴较PZT稳定,在反复施加电场进行电子发射后表现出来的退极化性能更好,这与电性能参数介电常数ε、压电常数d33值的测试结果是一致的。正是这些特点使得NBT基陶瓷成为一种新型的极有前途的电子发射源。     

微焦点工业CT在钡钨阴极分析中的应用

介绍了计算机断层扫描（CT）成像的基本原理和设备基本组成，并用微焦点工业CT系统来分析钡钨阴极的内部微细结构，充分证明了微焦点工业CT系统在对钡钨阴极的分析中有着良好的应用。     

阴极性能参数的一种新的测试方法

本文给出了考虑阴极表面发射不均勾性后，阴极几种参数和发射电流之间的关系式，由此可得到阴极几个性能参数一种测试方法。     

电子跳跃结构场发射阴极的电子通过率研究

针对一种基于二次电子发射的跳跃电子阴极三极管结构进行了研究,这种特殊结构可以有效地提高了电子注电流密度。并减小受残余气体离子的对阴极轰击造成的阴极发射跌落。对应用碳纳米管场发射的跳跃电子阴极的三极管结构的电子通过率的研究,提出了的栅网上蒸镀高二次电子发射系数的介质膜的方法,可以有效地解决栅网的截获问题,提高电子通过率。