添加氮化硅对莫来石碳化硅材料性能的影响

以莫来石、红柱石为主要原料,加入不同含量的氮化硅、碳化硅细粉,探讨了添加氮化硅对莫来石碳化硅材料性能的影响。结果表明:在1 450℃下制备的材料的显气孔率基本维持在15%左右,体积密度在2.45 g/cm~3左右,烧后线变化率相差不大,高温抗折强度和荷重软化温度也分别能够达到29.8 MPa和1 560℃,都表现出了较高的水准,且基本不受氮化硅加入量的影响;添加氮化硅能够提高材料的抗热震性能,但材料的常温耐压强度随着氮化硅含量的增加呈降低趋势;材料在烧结过程中,氮化硅和碳化硅均发生了氧化并在材料表面形成一层黄褐色氧化产物,其主要为玻璃相;在材料的截面出现致密层,且致密层的厚度随着氮化硅含量的增加而减小。     

原料种类对氮化物结合碳化硅砖用泥浆性能的影响

以碳化硅、氮化硅和氮化硅结合碳化硅废砖为主要原料,以树脂为结合剂,对比研究了原料种类对氮化物结合碳化硅砖用泥浆性能的影响.结果表明:以合成原料制作的泥浆的锥入度随时间延长衰减较小,以废砖粉为原料的泥浆的锥入度随时间延长大幅衰减,且不稳定;三组泥浆180℃烘干试样的抗折粘结强度接近,约为22 MPa.但经中高温热处理后的...     

Si_3N_4-SiC复相陶瓷材料的制备及性能研究

以薄带连铸用陶瓷侧封板为研究对象,探讨了以氮化硅和碳化硅为主要原料,采用陶瓷制备工艺,烧成中进行埋粉处理,制备了试验用Si_3N_4-SiC复相陶瓷样品,并对烧成样品的抗折强度、抗热震性能以及组成和结构进行了测试和分析。结果表明,最佳试样中氮化硅质量分数为50%,碳化硅质量分数为30%,1 480℃进行烧成,室温抗折强度为53.20 MPa,经30次热震后抗折强度增加65.15%。样品内部主要为碳化硅、氮化硅及莫来石相,样品显微结构显示其内部孔隙较多,主要以玻璃相和莫来石相为结合相。     

碳化硅侧块在电解过程中的性能分析

本文对碳化硅侧部碳块的性能进行了研究。结果表明:碳化硅侧块的体积密度、耐压强度和电阻率较常规侧块有较大幅度的提高,抗熔盐冲刷性能有较大幅度的提高,抗钠侵蚀性能和抗吸钠膨胀能力较差,原因是碳化硅原料钠含量过高。碳化硅原料铝含量高,可改善碳化硅侧块的散热性。     

Si_3N_4结合SiC高炉风口组合砖的应用和发展

阐述了氮化硅结合碳化硅风口组合砖材料性能、结构特点和应用状况,指出优化结构和开发新组装技术提高现场砌筑效率是Si_3N_4结合SiC风口组合砖的技术发展方向。     

氮化硅结合碳化硅浇注碳化硅耐火材料

氮化硅结合碳化硅浇注碳化硅耐火材料解决磨损及腐蚀问题的耐火材料氮化硅结合碳化硅浇注碳化硅耐火材料是一种特殊耐火材料，其物理性能及化学性能优良（见表１），能在各种极端条件下使用。它可广泛用于其它普通耐火材料及金属制品不能满足使用要求的工业生产中．工业生...     

高炉用氮化硅结合碳化硅砖技术成果鉴定和推广应用会

1987年3月8～11日,冶金部在鞍钢召开了高炉用氮化硅结合碳化硅砖技术成果鉴定和推广应用会,除参加研究、生产、应用的北京钢铁研究总院、山东八三厂和鞍钢外,还邀请了各大型钢铁企业、部属设计院及有关钢铁、耐火材料研究院所和碳化硅生产厂家等36个单位共130余人参加。到会代表对北京钢铁研究总院、山东八三厂和鞍钢三家密切结合,成功地研制出了可行的碳化硅砖生产工艺及其产品理化性能达到国外同类产品(refrax-20)的水平给予充分肯定。鞍钢6号高炉应用氮化硅结合     

碳化硅在高炉铁沟料中的实验及应用

高炉铁水沟浇注料的抗渣性及耐冲刷性是延长铁水沟使用寿命的重要手段。以刚玉、Si C、α-Al2O3微粉和球状沥青为主要原料,制备了铁水沟浇注料,主要研究碳化硅对浇注料物理性能,尤其是抗渣性的影响。结果表明:在碳化硅加入量不变的情况下,粒度越小,材料的抗氧化性能和烧后强度均提高,认为320目的碳化硅较为合适;粒度相同时,碳化硅加入量不同对材料性能产生影响,认为加入10%的碳化硅能够得到适宜的物理性能和良好的抗渣性能。     

氮化物结合碳化硅耐火材料的研制及其现状

概述了以氮化硅、赛隆和氧氮化硅作为结合相的SiC材料的结构特点、理化性能、生产工艺和应用情况。介绍了国内外这三种材料的研究现状。并对今后氮化物结合SiC材料的研究内容提出了自己的观点。     

莫来石-碳化硅-堇青石复合材料的制备

以莫来石、堇青石、碳化硅、矾土为主要原料,铝酸钙水泥、硅微粉为结合系统,制备了莫来石-碳化硅-堇青石复合材料,并与莫来石-碳化硅材料进行了对比。试样自然干燥24h脱模后,再经110℃烘干24h,分别在空气气氛下于1000℃、1300℃和1500℃热处理3h,检测各温度热处理后试样的体积密度、常温抗折强度、常温耐压强度以及试样的热膨胀系数、常温耐磨性能和抗热震性能。结果表明,莫来石-碳化硅-堇青石材料的体积密度小于莫来石-碳化硅材料的体积密度;常温抗折强度和耐压强度小于莫来石-碳化硅材料的常温抗折强度和耐压强度,只有经过1500℃热处理后的常温抗折强度大于莫来石-碳化硅材料的常温抗折强度。在莫来石-碳化硅材料中添加堇青石会降低材料的常温耐磨性能。莫来石-碳化硅-堇青石材料试样的热膨胀系数小于莫来石-碳化硅材料试样的热膨胀系数,抗热震性优于莫来石-碳化硅材料。     

长颗粒(柱状晶)Si3N4陶瓷的研究及进展

Si3N4陶瓷材料由于具有很好的高温性能及高的力学性能，而被广泛地用于结构陶瓷，如切削刀具等。然而，因为其对缺陷很敏感，故易受灾难性的失效。人们发展了多种Si3N4增韧陶瓷，其中自增韧由于一些优异的性能越来越受到人们的重视。在此文中，着重介绍了影响Si3N4陶瓷长颗粒(柱状晶)晶粒生成的因素，并介绍了国内外对长颗粒Si3N4晶的控制研究。     

Effect of Rare Earths on Mechanical Properties and Microstructures of Si3N4-based Ceramics

Si3N4-hased ceramics exhibit excellentproperties such as high strength, high corro..sion resistance, high fire resisting property andhigh thermal shock resistance. However, up tonow, the application of St3N4-based ceramicsis still limited by their poor ductility, lowtoughness and stability. Adding fiber or whisher into ceramic matrix is a useful tougheningmethod, but fiber and whisker are costly and itis difficult to homogenize them in ceramic matrix. Furthermore, ceramic powders can not fill…     

制备工艺对氮化硅泡沫陶瓷组织和性能的影响

采用泡沫塑料浸渍法成形、常压烧结法制备出氮化硅骨架体积分数从15％－70％范围的泡沫陶瓷。无包套热等静压处理（HIP）可以高泡沫陶瓷筋的致密度,其原理为HIP压力促进了烧结残余α氮化硅向β氮化硅的转变,从而提高了氮化硅中原子手扩散活性。     

添加ZrO2对Si3N4复合陶瓷材料力学性能的影响

通过无压烧结制备了ZrO2-Si3N4复合陶瓷材料,并以排水法、SEM和DDL100型万能拉伸机进行表征。研究了ZrO2含量对Si3N4陶瓷的致密度、显微结构和力学性能的影响。结果表明,随着ZrO2含量的增加,Si3N4陶瓷致密度增加;抗弯强度和断裂韧性先增大后减小,当ZrO2含量达到10%时,Si3N4的抗弯强度和断裂韧性同时达到最大值,分别为362MPa和7.0MPa.m1/2。ZrO2增韧Si3N4陶瓷的机制为应力诱导相变。     

Si3N4结合SiC材料在稀土电解槽中的应用及效果

采用Si3N4结合SiC板作为3kA液态下阴极稀土金属电解槽的侧壁材料,进行了实际电解工艺试验,考察了Si3N4结合SiC材料在稀土熔盐电解槽上的使用效果,研究表明,Si3N4结合SiC材料在稀土熔盐中腐蚀较严重,尤其是靠近电解槽阴极位置,由于弥散在电解质中的金属雾和阳极产生的气体加剧了Si3N4结合SiC材料受腐蚀破坏;板材由于受热不均产生了开裂现象,且开裂位置会加剧材料的腐蚀破坏,进一步的分析表明,Si3N4结合SiC材料在稀土熔盐中主要受腐蚀的是含Si3N4的结合相。     

Preparation,structure and luminescence properties of deep red phosphors SrSiN2:Eu2+

This paper reported a novel synthetic route to Eu2+ doped SrSiN2 deep red phosphors for white light-emitting diodes. A series of single-phased and high-efficiency Sr Si N2:Eu2+ red phosphors were synthesized based on this method. Their structure, morphology, luminescence, quantum efficiency(QE) and thermal quenching properties were investigated and compared with those of Sr Si N2: Eu2+ prepared by the conventional route. It was found that the addition of a small amount of Si3N4 could promote the formation of Sr Si N2 from Sr2Si5N8 phase. A highly uniform rod-shaped morphology was obtained based on this method. The X-ray powder diffraction and the Rietveld refinement analysis identified the preferential crystalline orientation growth. Under the blue light excitation, Eu2+ doped Sr Si N2 phosphors showed excellent optical properties. Compared with those prepared by the conventional approaches, the external QE of Sr Si N2:Eu2+ phosphor was greatly improved, allowing it a promising phosphor for white LEDs.     

碳热还原氮化制备氮化硅粉体反应条件研究

对二氧化硅碳热还原氮化合成氮化硅的反应体系进行了热力学和动力学分析,主要研究了反应温度和氮气流量对Si3N4、Si2N2O和SiC生成的影响。热力学研究表明,Si3N4的生成需要足够高的温度(高于1800K)和充足的氮气气氛;Si2N2O的生成条件是较低的温度(低于1700K)和不充足的氮气气氛;SiC的生成条件是更高的温度(高于2000K)和不充足的氮气气氛。试验研究验证了热力学的分析,并确定了碳热还原氮化合成氮化硅的主要工艺条件(氮气流量为3L/min、煅烧温度为1500℃)。在以上工艺条件下,可制备出纯的Si3N4粉体。     

Si3N4/金属扩散焊接头的残余热应力有限元分析

采用弹塑性有限元方法，计算了以纯铝为中间层材料，通过真空热压扩散焊获得的Ｓｉ３Ｎ４／金属接头中的残余热应力分布。接头中Ｓｉ３Ｎ４一侧外表面、特别是四条棱边处具有比其内部高的张应力，在所计算试样中距焊缝０７５ｍｍ处张应力值最大。接头断裂应首先产生在这些位置。     

溶胶凝胶-碳热还原法制备Si_3N_4纳米粉末

以硅溶胶为硅源,有机碳为碳源,有机氮和氮气为氮源,先采用溶胶-凝胶法制备前驱体,然后进行碳热还原制备Si3N4陶瓷纳米粉体.主要研究了硅碳比、反应温度、氮气流量、保温时间等工艺因素对氮化硅粉体生成的影响.碳热还原制备Si3N4纳米粉体的最佳工艺条件为:碳硅比(摩尔比)为3.5: 1,氮气流量为3L/min,煅烧温度为1 500℃,保温时间2h.在以上最佳工艺条件下,可制备出纯的Si3N4纳米粉体,其中α-氮化硅为90.8%,β-氮化硅为9.2%,平均粒径为43.82nm.     

Surface Adsorption of Si_3N_4 Ultrafine Powder at Room Temperature

ＳｕｒｆａｃｅＡｄｓｏｒｐｔｉｏｎｏｆＳｉ３Ｎ４ＵｌｔｒａｆｉｎｅＰｏｗｄｅｒａｔＲｏｏｍＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＡｉＸｉｎｇｔａｏ，ＣｈｅｎＭｉｎｇｈａｏ①ＡＢＳＴＲＡＣＴＩｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ＰｙｒｏｌｙｓｉｓＧａｓＣｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ...