S波段固态功放的研究

本文比较了微波S波段固态放大器的两种类型,即硅(Si)双极型晶体管放大器(以下简称晶放)和砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)放大器(以下简称场放)的优缺点。指出在L波段及更低波段的功率放大器多采用晶放,在C波段及更高波段的功放采用场放。而在S波段两种型式功放均有所见。最后给出国产双极型晶体管和国产GaAs FET的S波段功放的应用实例。     

微波场效应功率放大器的CAD技术

微波场效应晶体管功率放大器的计算机辅助设计与分析技术关键是微波非线性电路的分析方法和功率场效应管器件模型的建立。本文在概述微波ＧａＡｓ ＦＥＴ ＣＡＤ、ＣＡＡ基本原理基础上，着重阐述了分析微波非线性电路的频域谐波平衡法，接着介绍了一个直接从ＧａＡｓＦＥＴ小信号Ｓ参数建立其大信号模型的新方法，上述技术可望在微波功率场效应放大器的批量研制中得到应用。     

脉冲固态源的CAD

本文介绍了优化设计脉冲固态源的全过程,阐述了优化设计脉冲固态源的原理和方法,分别从小信号和大信号两方面阐述了设计和分析的过程,并对脉冲固态源输出信号进行了数学分析,把仿真的结果与分析的结果进行对照,从而阐明了包络仿真脉冲固态源的优化设计和仿真中的作用。另外,根据优化设计的结果对振荡器进行了生产和试验,试验结果较好地符合仿真的结果,满足设计的要求,这也表明微波ＣＡＤ对微波电路的设计是非常有用的。     

Ku频段微波宽频带固态功率放大器

本文对用微波宽带功率单片集成电路的功率合成技术和实现方法进行了讨论,并用 Ku 波段宽带微波功率单片集成电路合成出功率大于 200W、频带宽度大于 30%Ku 波段固态放大器。对合成中的关键技术进行了分析。     

X波段固态功放设计

本文主要结合一种新研制的固态功率放大器,介绍了X波段中固态功率放大器的设计理论和方法。     

S波段1kW固态功率放大组件

设计了一种工作在S波段,频带宽度为400MHz,平均占空比≤10%,脉冲宽度≤200μs的1kW固态功率放大组件。组件采用四级放大结构,将5mW左右的激励信号放大到1kW,通过优化晶体管输入/输出匹配电路,应用三级Wilkinson功分/合成器,改善了组件增益平坦度和效率。测试结果表明,该组件在工作频率范围内输出功率≥1.2kW,效率≥30%,增益平坦度≤1.2dB。     

星用固放电磁兼容设计

介绍了星用固放的电磁兼容设计, 主要从结构设计角度分析和解决了电磁兼容性问题, 并给出试验结果。     

L波段3kW固态功率放大组件

设计了一种工作在L波段,带宽为100MHz,占空比为8%,脉冲宽度为100μs的3kW固态功率放大组件。组件采用两级放大,末级采用低插损的Wilkinson合成器合并4个850W高功率放大模块。通过优化匹配电路设计、合理选择储能电容和优化电路热设计,改善了组件增益平坦度和脉冲顶降,提高了组件热可靠性。测试结果表明,该功放在工作频率范围内输出功率>3kW,效率>30%,增益平坦度为0.3dB,脉冲顶降<0.8dB。     

基于TD-LTE 和GSM 双频功率放大器设计与实现

通过对传输线理论和阻抗变换原理的深入研究,分析推导了三枝节微带传输线级联结构和具有开路 枝节的三节微带传输线结构两种双频匹配网络。基于该公式推导,设计并实现了同时工作在TD-LTE 网络和GSM 网络的双频功率放大器。仿真与实测结果表明在设计的两个工作频段内,增益为16dB 左右且增益平坦度小于依 1dB,饱和输出功率点的功率附加效率接近70%,输出功率及小信号测试均满足设计要求,验证理论正确性的同时, 也为双频功率放大器的研究与推广提供了设计参考。     

S波段超宽带固态功率放大器的研制

本文结合一款新研制的S波段超宽带固态功率放大器,介绍了超宽带固态功率放大器的设计理论和方法,根据砷化镓场效应晶体管的小信号S参数和I-V曲线,用微波仿真软件对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化仿真设计.通过制作并测试此放大器,验证了该设计方法的可行性.最后,给出了测试数据,它在2GHz～4GHz的频带范围内,输入功率为40mW时,输出功率大于20W,带内功率起伏小于1.5dB.     

基于固体激光器的光纤型MOPA的研究

报道了以Cr4 :YAG被动调Q固体激光器为主振荡级的光纤型主振荡功率放大器(MOPA),主振荡级通过SMA-905接头实现光纤耦合输出,选用975 nm的半导体光纤耦合模块作为抽运源,通过多模光纤合束嚣和锥度光纤将抽运光和信号光耦合进掺Yb3 双包层光纤,利用包层抽运技术,使主振荡器的脉冲种子源在掺Yb3 双包层光纤得到增益放大.当主振荡器的重复频率为20 kHz,双包层光纤的抽运光入纤功率为6.9 W时,放大器输出的光脉冲平均功率为0.598 W,整个装置实现了全光纤连接.     

X频段1000W连续波固态高功放研制

X频段1 000 W连续波高功放采用了全固态方案。但受到单个固态器件输出功率量级的限制,必须采用功率合成的技术途径实现。方案采用模块化设计技术、独立散热技术、分散滤波技术、灵活的调幅调相技术和模块化合成技术等多种先进措施,使设备各项技术指标都达到了设计指标,满足了实验要求,合成效率达到80%以上。由于采用模块化方案,因此较易实现设备的维护和维修。其稳定性和可靠性也已历经了2年多的实验验证,未出现问题。     

S波段高功率固态发射机

介绍了一种Ｓ波段高功率固态发射机。采用２４个千瓦量级的末级功放组件进行功率合成．获得１８ｋＷ以上的峰值功率,其脉冲宽度为１００μｓ,最大占空比可达１０％,瞬时带宽３００ＭＨｚ。     

全固态电视发射机功放单元及合成电路的现状

本文重点介绍了NEC、东芝、哈里斯、Larcan等生产的功放单元的组成、特点和功放管的特性,同时介绍了合成电路的几种构成形式和特点。     

一种基于双级支线功分／功合网络的毫米波固态功率放大器

本文综合考虑影响合成效率的因素以及毫米波段的工艺精度，设计了一种改进型的双级支线功分／功合网络，改善了驻波比和幅相特性，保证了良好的合成效率．并在此基础上，研制了一种高性能的毫米波固态功率放大器，在38～40GH：的通带内，实现34．8dBm输出功率，55dB增益的良好电性能，具有结构简单、加工简易等特点.