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微束斑X射线源的边界元法分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文详细的讨论了边界元法在处理微束斑X射线源的电子束发射系统是,LaB6阴极电子枪内部结构的剖分、计算公式的推导;为提高精度,并讨论了在求解间接边界元方程时,采用二次等参元插值方法等,在此基础上,通过Gauss消元法和三次样条插值法等解得了系统对称轴上电位分布以及内部场强分布,并利用四阶Runge-Kutta法追踪了电子从阴极开始到阳极入口处的运动轨迹且得到了合适的束斑大小。 相似文献
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首先给出了采用场致发射阴极的微束斑X射线源电子光学系统结构,然后利用数值模拟的方法对该系统进行了计算与分析,最终获得了一发射电流约为80μA,束斑半径约为3.2μm的微束斑X射线源电子光学系统优化结构。该结构制作简单、体积小,可供制作微束斑X射线源时选用。 相似文献
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脉冲软X射线源及光刻的初步研究 总被引:2,自引:1,他引:1
喷气式Z箍缩等离子体装置产生的软X射线,波长大约在0.2~0.6um之间,一次放电产生的软X射线能量约50J。本文利用此软X射线源,用金属丝网作为掩模,对CSM光刻胶进行了曝光的初步实验研究,得到了较为清晰的曝光图形。 相似文献
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采用Al助熔剂法成功制备出高质量LaB6单晶,系统地研究了不同升降温速率对LaB6单晶生长的影响,确定了升降温速率对于LaB6单晶形状及尺寸的调控规律:在100℃/h升温,110℃/h降温速率条件下生长出的针状LaB6单晶比例最大;而在100℃/h升温,90℃/h降温速率条件下生长出的针状LaB6单晶尺寸最大,可达7 mm×0.133 mm×0.133 mm。同时,热电子发射性能测试表明制备的LaB6单晶具有良好的热电子发射性能。 相似文献
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本文给出了考虑阴极表面发射不均勾性后,阴极几种参数和发射电流之间的关系式,由此可得到阴极几个性能参数一种测试方法。 相似文献
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覆膜对浸渍扩散热阴极表面电子发射的影响一直是热阴极研究领域的重点课题。该文采用最新研制的深紫外激光光发射电子显微镜/热发射电子显微镜(DUV-PEEM/TEEM),对一半覆膜、另一半未覆膜的浸渍扩散阴极试样作了1150 ℃×2 h激活,并对其表面微区的热电子发射像及其随温度的变化作了比较。结果发现,两种阴极的热电子发射均主要位于孔隙及其邻近颗粒边缘;随温度升高,未覆膜阴极发射主要集中于孔隙内及周边有限区域内,发射面积增量较小,覆膜则使阴极有效发射区域得以由孔隙及其边缘向距孔隙更远的区域延伸,发射面积大幅增加。上述结果首次给出了覆膜浸渍扩散阴极微区的电子发射特征,对于理解该类型阴极发射机理有一定参考价值。 相似文献
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对于准分子激光器这样的高气压脉冲放电器件,为保证放电的均匀性,预电离是必不可少的。本文详细介绍了X光预电离的产生机理及实验装置,并进行了深入的实验研究及理论分析,对实际工作有较大的参考意义。 相似文献
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本文综述作者在长脉冲高效率HPM源新技术方面的研究成果。对强流相对论电子学的若干前沿领域进行了分析与评述,研究腔振荡器的主从锁相、互耦振荡器的等同锁相以及环形串接互耦振荡器、中心联结网状互耦振荡器的等同锁相的原理与方法,分析毫米波虚阴极器件的主从锁相与等同锁相,所进行的数值计算与分析相当吻合;研究一种新型的长脉冲空心阴极等离子体电子枪及其特性,该电子枪可产生长脉冲(》1μs)高电流密度(≥50A/cm2)电子注;分析一类新型的长脉冲、高效率HPM源──等离子体辅助慢波振荡器的作用机理,关键技术及其实现途径,它不需外加磁场,具有长脉冲(》1μs)高效率(15%~25%)和高平均功率(>1kW)的能力。 相似文献
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对超短强激光抽运波长为355nm,脉冲宽度为10ps的CsLiB6O10。光参量放大器(OPA)的最佳晶体长度、能量转换效率和输出信号光脉宽进行了理论分析和数值模拟。得到了在IP(0)=300MW/cm^2,Is(0)=5MW/cm^2,Ii(0)=0的情况下,最佳晶体长度为27.0mm。随着抽运功率和信号光功率增大时,CsLiB6O10晶体作为光参量放大器的非线性晶体时,其作用的晶体长度变得更短。高转换效率的信号光输出取决于抽运光和初始信号光的强度及晶体长度的最佳优化值。 相似文献
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场发射冷阴极的稳定性和可靠性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了清洁处理(CP)对FEC电子发射的影响。实验结果表明:CP能有效激活长时间存放于恶劣环境的FEC的电子发射;还研究了场热成形(FHF)对提高FEC电子发射稳定性和可靠性和作用。实验发现,正确选择阳性工进行必要的真裕除气,对防止尖由于真空电弧而造成的破坏有破坏有重要意义。FHF对尖端表面的微观状态具有强烈的影响,具体表面尖端有效功函数ψ才尖端场增强因子β的改变上,经过CT和FHF处理,得到了发 相似文献
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