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折射衬度是衍射增强成像(diffraction enhanced imaging,DEI)中的一种重要衬度,在弱吸收物质的成像中,折射衬度远超过吸收衬度.折射衬度应用的关键是提取出样品的折射信息,折射信息由相应的折射图像表示.根据生物样品和材料样品的特点,研究和比较了两种折射信息提取方法.利用样品的折射图像,对聚苯乙烯样品进行了简单的定量分析,比较了正常肝组织和肝血管瘤组织.实验结果表明,折射衬度清楚地描述了肝组织的微细结构和血管瘤损伤,精确地显示了无法在传统X射线成像技术中获得的聚苯乙烯样品的清晰结构. 相似文献
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高分辨二次电子像中的成份衬度徐军陈文雄张会珍(北京大学电镜实验室,北京100871)在传统的扫描电子显微学的概念中,二次电子像中包含的是形貌衬度,而背散射电子像中包含的是成份衬度。但实际上二次电子的产额是和样品的成份有关的,不过样品表面极易玷污,样品... 相似文献
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用高功率Nd~(3+):YAG脉冲激光轰击石墨靶,成功地制备出无氢的类金刚石碳膜(DLC)。用吸收光谱分析法研究了不同制备条件下样品的光学带隙。发现在衬底温度不变时,样品的光学带隙随生长室内靶衬之间的加速电压而变化,公700~1000 V的加速电压下制备的薄膜具有较大的光学带隙。 相似文献
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应用扫描电子显微镜电压衬度法观察分析半导体器件样品,对它进行失效分析或观察它的工作状态等,都有很明显的效果.电压衬度图象是在扫描电镜二次电子图象的基础上形成的,它通过对样品室中的半导体样品的某一部分施加电压,以便在样品的二次电子图象中的相应部位获得反差.由于所施加的电压会在样品表面形成一个小的局部电场,这个小电场对样品该部分的二次电子发射会起抑制作用,因此当电子束 相似文献
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本工作将赝弱相位物体近似像衬理论延伸至球差校正高分辨电子显微像,分析了球差校正像的衬度随样品厚度的变化规律。指出非Schemer聚焦条件下球差校正电镜拍摄的高分辨像仍未必反映晶体结构,讨论了解卷处理方法应用于球差校正像的有效性,并以有12型层错的GaN晶体为例,借助像模拟肯定了解卷处理能用于复原原子分辨率晶体缺陷的结构像。 相似文献
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本文描述在KYKY—A—1000B扫描电镜上观察I型磁衬度的方法。在本方法中,使用了我们自制的一个附件,以增强磁衬度。实验结果表明,KYKY—A—1000B扫描电镜可以成功地用于磁衬度观察。 相似文献
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扫描电子显微学中二次电子发射过程的蒙特卡洛模拟 总被引:8,自引:7,他引:1
利用蒙特卡洛模拟固体中电子散射轨迹的计算方法,系统地研究了扫描电镜中二次电子信号的发射过程。该模拟电子与固体相互作用的蒙特卡洛模型包含了级联二次电子产生的过程,并且采用光学介电函数方法描述电子的能量损失和相伴的二次电子激发。由于模拟计算可以给出背散射电子和二次电子的绝对产额,以及它们随加速电压和样品的原子序数的变化关系,因此可以用于模拟元素衬度和形貌衬度像。还计算得到了关于二次电子产生和发射的其它分布,并与实验结果作了比较。 相似文献
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高角环形暗场(HAADF)像的衬度与样品中平均原子序数的平方成正比,并且具有原子尺度的分辨率,因此可以有效地区分贵金属颗粒和催化剂载体,非常适于测量负载型纳米贵金属催化剂中活性中心颗粒的粒径.本文以Pd/ZnO催化剂为例,介绍利用HAADF成像法测定负载型纳米贵金属催化剂中贵金属粒径的方法. 相似文献
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透射电镜样品的厚度是透射电镜(TEM)表征中一个重要参数,快速准确地判断样品厚度是制备高质量样品的前提.本文通过使用聚焦离子束(FIB)制备了带有厚度梯度的透射电镜样品(Si、SrTiO3和LaAlO3),并提出两种制样过程中快速判断厚度的方法.第一种通过扫描电子显微镜(SEM)的衬度变化经验地判断样品的厚度;第二种是用FIB在样品边缘切一个斜边,通过SEM测量斜边侧面的宽度用几何方法推断样品的厚度.这两种方法都通过会聚束电子衍射(CBED)和电子能量损失谱(EELS)测量的厚度作为检验标准.对比认为,样品较薄时用SEM衬度测厚比较合适;样品比较厚时用几何方法测量比较直接. 相似文献
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光发射显微分析、光致电阻变化技术两种电失效定位方法在精确定位缺陷上存在局限性,为此提出了基于SEM电压衬度的联用方法用于精确定位集成电路缺陷。首先根据电特性测试进行光发射显微分析或者光致电阻变化分析,结合电路原理和版图,提出失效区域的假设,再进行电压衬度像分析,通过衬度翻转可精确和快速确定缺陷位置,最后通过FIB或者TEM对缺陷进行表征。案例研究显示,有源电压衬度可定位双极型电路铝金属化开路失效,无源电压衬度定位CMOS电路多晶硅栅刻蚀异常引起的漏电流失效,结合形貌和材料分析得出缺陷形成机理和根本原因。 相似文献
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电子束的穿透能力很弱(仅X射线的10~(-3)以下).对一般加速电压力50—100千伏的透射电子显微镜,只能透过1000埃以下的薄样品.制取这种厚度小于10~(-4)毫米的薄膜样品是一件十分困难的工作.目前广泛使用的制样技术为复型法. 相似文献
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小位错圈电子衍衬象的微扰法计算 总被引:1,自引:1,他引:0
本文按微扰法的思想采用一种简化的方法计算厚膜中的小位错圈在双光束动力学条件下的衍射衬度,得到了一个简洁的一般表达式。利用此式以及衍衬象的对称性原理,可以定性地解释实验观察到的关于小位错圈衍衬象随位错圈的特征、在膜中的位置和观察条件而变化的规律。把各向同性弹性介质中小位错圈的位移场的表达式代入此式后,可得到很简洁的关于小位错圈衍衬象的定量计算公式。当把弹性各向异性立方系晶体中小位错圈的位移场的表达式代入此式后,得到的关于衍射衬度的公式相当复杂。为此我们编写了计算机程序并用笔绘仪绘出小位错圈的衍衬象的等衬度轮廓图。计算结果表明,晶体的弹性各向异性对其小位错圈衍衬象影响很大,使沿弹性软方向的衬度增强,沿弹性硬方向的衬度减弱。 相似文献
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当激光束照射到半导体材料或器件的表层时,光子将激发出电子—空穴对,进而产生光束感生电流(OBIC),通过激光束在样品表面进行扫描,同时将微弱的OBIC电流放大并记录在计算机图象记忆系统中,可以得到样品的一幅OBIC衬度的图象。 相似文献