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针对Si3N4陶瓷的高温活性钎焊要求,设计了高温Ti-Zr-Ni-Cu非晶钎料成分,并采用单辊急冷法成功制备了Ti-Zr-Ni-Cu非晶钎料.对比分析了相同成分的Ti-Zr-Ni-Cu非晶和晶态钎料在Si3N4陶瓷表面的润湿情况.结果表明:在低真空条件下,晶态钎料能够润湿Si3N4陶瓷,非晶钎料却因完全氧化而失效.在5×10-3Pa高真空条件下,非晶钎料的润湿性优于晶态钎料,在研究的Ti-Zr-Ni-Cu非晶钎料中,Ti40Zr25Ni15Cu20非晶钎料对Si3N4陶瓷的润湿性最佳. 相似文献
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Ti-Zr-Ni-Cu非晶钎料钎焊Si3N4陶瓷的连接强度 总被引:4,自引:1,他引:4
采用Ti40Zr25Ni15Cu20非晶钎料钎焊Si3N4陶瓷,研究钎焊工艺参数对界面反应层和接头连接强度的影响。结果表明:随着钎焊时间的增加和钎焊温度的提高,接头弯曲强度都表现出先上升后下降的趋势;钎焊工艺参数对连接强度的影响主要是由于影响反应层厚度所致;在相同钎焊工艺条件下,采用Ti40Zr25Ni15Cu20非晶态钎料和晶态钎料相比,其接头连接强度提高了84%。 相似文献
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主要采用不同的中间层材料进行Si3N4陶瓷/Inconel 600连接试验,通过剪切试验测定连接接头的抗剪强度,采用扫描电镜、电子探针等分析手段分析由不同材料组成的复合中间层对Si3N4陶瓷/Inconel 600高温合金连接性的影响。研究表明,当中间层材料在连接温度下与紧邻陶瓷连接面的位置能形成含活性元素的局部液相时,可以实现Si3N4陶瓷/Inconel 600的连接。当中间层含有连接过程不熔化的软金属层时,接头强度明显提高。 相似文献
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熊华平 《中国有色金属学报》1999,9(4):764-768
经过急冷处理的Cu(5 ~25)Ni(16 ~28) TiB 钎料的组织比未经急冷处理的钎料更加均匀,有利于提高Si3N4/Si3N4 接头的强度。当选用的钎料层厚度为40 μm 和80 μm 时, 接头的三点弯曲强度值分别达到402 MPa 和380 MPa 。分析了接头中元素Cu , Ni, Ti 的面分布。钎料层厚度大小影响接头的强度, 对其原因进行了探讨。 相似文献
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分别以Yb2O3和MgO为添加剂,通过对原始α-Si3N4粉热处理的方法,分别在1700℃和1650℃的温度下,制备出了具有柱状形貌的β-Si3N4晶体颗粒。并将这2种β-Si3N4晶粒在未经酸或碱处理的情况下,作为晶种添加到原始α-Si3N4粉中,采用热压烧结工艺,以Yb2O3作为烧结添加剂,在1800℃下制备了自增韧Si3N4陶瓷材料。研究结果表明,以Yb2O3和MgO为添加剂都可以在较低的温度下获得适合于作晶种的β-Si3N4晶体颗粒。2种晶种引入到Si3N4陶瓷中都可以有效地改善材料的断裂韧性,但晶种中的残留相对自增韧Si3N4陶瓷的高温强度产生了强烈的影响。XRD和TEM分析结果表明,含Mg相的存在是导致Si3N4陶瓷高温强度的剧烈降低和促进晶间相析晶的主要原因。 相似文献
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研究了CuSiAlTi钎料对SiC陶瓷的润湿性。发现元素Ti显著影响钎料对SiC陶瓷的润湿性。采用SEM,XRD对润湿界面进行了观察分析,发现在界面上存在1个含TiC的很薄的界面层和含Cu较多、含Ti元素较少的较厚的界面过渡层。分析表明,在润湿过程中钎料中的元素与SiC陶瓷中的Si,C相互扩散,Cu元素在SiC陶瓷一侧是主要的扩散元素,Cu的扩散在SiC陶瓷一侧形成了较厚的扩散层。 相似文献
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系统研究了加载方式(静载荷、循环载荷、动载荷)对Si3N4陶瓷疲劳特性的影响。结果发现,加载方式不同,材料的应力腐蚀指数n亦不相同,其中,静载下n最大,动载荷次之,循环载荷下n最小,并分析了循环载荷及动载荷对材料造成的附加损伤。 相似文献
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采用单辊急冷装置成功制备了3种成分的Ag-Cu-Ti箔带钎料,分析了其熔化特性和结构及其在Si3N4陶瓷上的润湿性.试验结果表明:上述急冷箔带钎料与常规钎料相比,熔化温度更低,熔化温度区间更窄,但其结构并不是非晶;在相同的工艺条件下,(Ag72Cu28)96Ti4在Si3N4陶瓷上的润湿性最佳;随钎焊温度和保温时间的增加,Ag-Cu-Ti急冷和常规钎料在Si3N4陶瓷上的浸润面积均增大;在相同钎焊工艺条件下,同成分急冷钎料在Si3N4陶瓷上的铺展面积明显大于常规钎料,这是由于急冷钎料的熔化特性和结构不同所导致的. 相似文献
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提出混杂结构设计的构思,并成功地制备了具有混杂结构的Si3N4/BN层状复合陶瓷,同时研究了材料的抗穿甲燃烧弹冲击的能力。研究发现,具有混杂结构的Si3N4/BN层状复合陶瓷的防护系数为10.50,略低于Si3N4块体陶瓷,但明显高于多层Si3N4/BN层状复合陶瓷,而且具有较高的抵抗整体破坏的能力。研究表明通过适当的防弹结构设计,可以获得抗穿甲燃烧弹冲击能力较高的Si3N4/BN层状复合陶瓷。 相似文献
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将制备的β-Si3N4晶种(添加剂为Yb2O3)加入到α-Si3N4起始原料中,经热压烧结获得试样.在相同的烧结条件下,与未添加晶种时的氮化硅相比,加入8%的晶种后氮化硅的热导率在各温度点高出3 W.m-1.K-1~5 W.m-1.K-1.随着温度的升高,两者的热导率均明显降低.当温度从室温升至1 200℃时,未添加晶种的氮化硅的热导率从36.2W.m-1.K-1下降到7.74 W.m-1.K-1;添加了晶种的氮化硅热导率从40.1 W.m-1.K-1下降到10.4 W.m-1.K-1.同时,利用XRD和SEM分别对热压试样的相组成和显微结构进行了分析. 相似文献
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采用部分烧结工艺,利用复合助剂A作为烧结助剂,成功的制备出了材质比较均匀且有较高强度、高气孔氮化硅陶瓷.借助XRD、SEM等仪器对其物相组成和微观结构进行了研究.实验结果表明:在适当的工艺下可以制得弯曲强度大于160MPa,气孔率>50%的多孔氮化硅陶瓷.气孔主要是由长柱状β-Si3N4晶粒搭接而成的,均匀的气孔分布和高的长径比结构是获得高强度的主要原因. 相似文献
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分析研究了电火花线切割加工Si3N4/TiN纳米复相陶瓷材料时,影响加工速度和表面粗糙度值的主要因素,得出了各加工参数对加工工艺指标的影响规律,为加工时参数的选择提供了依据. 相似文献