InSb光伏红外探测器分谱量子效率η(λ)温度关系的研究

InSb红外探测器的光谱响应范围在短波端与光电倍增管相衔接并恰能覆盖1至5微米大气窗口,因此一直受到普遍的重视。InSb(PV)探测器通常在液氮温度(77K)下工作,关于进一步降低工作温度的利弊,国外公认的看法是,当波长λ<2.5μm时,由于受热噪声限制,降温将提高D~(?)值,而在λ>2.5μm后,由于器件进入背景噪声限,加之量子效率随温     

近红外可见光光子计数器

在以前的可见光光子计数器中,本征杂质带探测器是根据硅的本征吸收原理制作的,它在0．4μm-1．0μm波长范围内具有较高的量子效率。而以前用硅掺砷材料制作的固态光电倍增管则是通过非本征吸收来实现2μm-28μm红外光谱范围的高量子效率的。虽然这两种器件都是高速光子计数器件,但是它们在1μm-2μm谱区的光吸收都很弱。     

紫外-真空紫外光电倍增管量子效率定标

为了考察光电倍增管的性能,以使其满足空间遥感仪器在轨应用需求,利用氘灯、真空紫外单色仪、光电倍增管等构建了一套基于标准真空光电管的量子效率定标系统,依据光电倍增管的阴极量子效率测量原理,将光电倍增管改造成无电子束倍增的光电管,实现了由标准真空光电管到光电管R2078的标准传递;并在此基础上,在国内首次实现了150~300nm紫外-真空紫外波段光电管量子效率的直接测量。测量结果表明:由于光电管R2078的窗口材料为融石英,其在155nm处的透过率最小,因此在155nm处获取的量子效率最小,在230nm波长处量子效率最大。最后对测量结果进行不确定度分析与估计,得到总的合成不确定度为3.4%。     

APD-1型硅雪崩光电二极管的激光测距实验

雪崩光电二极管具有较高的量子效率和倍增因子,在对1.06微米波长的探测方面,具有比光电倍增管和硅光电二极管高的灵敏度,正日益广泛地在激光测距机中被采用。使用雪崩光电二极管时,窄带干涉滤光片是不可缺少的元件,因为这时背景辐射的干扰成了限制激光测距系统接收灵敏度的主要因素,必须用窄带干涉滤光片予以抑制。     

1.3μm波长范围的锗雪崩光电二极管

作为光纤通信系统用的探测器,日本富士通实验室研制了一种1.3μm波长下具有最佳P~ -n结构的Ge雪崩光电二极管。采用全离子注入和低温退火工艺制造了这种光电二极管。 在0.9V_B的偏压下暗电流低至0.15μA。倍增因子为10的条件下,得到8～9很低的噪声因子。在1.3μm波长下平坦频率响应的范围可达500MHz。当有Si_3N_4防反射涂层时量子效率高达84％。     

Cc光电器件

Cc1 0.4～1.1μm台式达通型雪崩光电探测器杨晴福文雪冬浦树德(西南技术物理所)用磷硼扩散的平面达通型硅雪崩光电二极管以及外延-离子注入的平面达通型硅雪崩光电二极管已在美国RCA公司及英国Centro-nic公司研制成功。本文介绍的是西南技术物理所光电实验室去年研制成功的镓扩散台式达通型硅雪崩光电探测器。类似此类报导这还是第一次。该探测器的响应波长为0.4～1.1μm,在1.06μm及0.9μm的量子效率分别为20％和80％左右。在这两个波长上,其电流响应度不低于20A/W(最高可达30A/W以上)和     

长波长光纤通讯用的InGaAs/InP PIN光电二极管

<正>由于石英光纤在λ=1.0～1.7μm范围有低损耗和低色散的优点,因此长波长光通讯技术是近年来发展较快的领域.InGaAs/InP PIN光电二极管的研制成功,克服了Ge光电二极管的暗电流大和温度特性差的缺点,为光通讯的长中继传输和多重波长传输技术提供了一个质量良好的关键器件.     

长波长光纤系统的改进型雪崩光电二极管

本文评述了长波长光纤系统的改进型Ge雪崩光电二极管(Ge-APD)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InP-APD)。P~ -n型和n~ -n-p~ 型锗雪崩光电二极管在1.0～1.5μm波长区比通常的n~ -p型Ge-APD的倍增噪声低。吸收区和倍增区分开的InGaAs/InP—APD在1.0～1.6μm波长区比Ge—APD有较低的暗电流和较低的倍增噪声。这种雪崩光电二极管与Ge雪崩光电二极管相比能改进3～4dB的最小可探测功率。     

产品放送

Hamamatsu公司研制出一种能同时探测多波长的高灵敏度、快速光电倍增管。R5900F-L16型光电倍增管配有干涉滤波器阵列,贴附在输入窗口处,能很快地探测到     

光电倍增管

美国Burle工业公司的85104型微道板光电倍增管具有很高的灵敏度、极高的红光响应率、大的阴极面积和突出的光子计数能力。这些特性使其非常适用于红光和近红外光谱的探测。这种光电倍增管采用一种半透明的砷化镓光电阴极,在370nm至850nm谱区内可提供大于20％的量子效率,在600nm波长处的峰值量子效率为30％。这样的响应率是在直径为18mm的光电     

长波长PIN管连接器耦合分析

一、前言由于长波长更利于实现长距离、大容量的传输,所以长波长光纤通信特别引人注目,而长波长PIN管连接器是长波长通信中不可缺少的主要组件。我们对它进行了试验分析,得出了光纤与长波长PIN管较为实际的耦合方式的连接器。二、长波长PIN管连接器的主要组件分析 1.光纤在以石英玻璃为基础的光导纤维光谱曲线中存在三个对光通信技术有益“窗口”,即0.85μm、1.3μm和1.55μm三个波长。第二、三个窗口损耗较低,称作长波长低损耗区,见图1。     

国外研制的几种1.06微米红外探测器

遵照伟大领袖毛主席关于“洋为中用”的教导,最近我们搜集了一些国外发表的有关1.06微米波长用的红外探测器的资料。现就几种具有代表性的器件的主要性能等问题作一简单介绍,以供参考。近十年来,激光技术的发展对快速、灵敏的光电器件,尤其是对探测1.06微米的辐射,即对探测掺钕激光的辐射提出了许多要求,如量子效率高、响应时间快、噪声低、面积较大及工作电压较低等。现扼要叙述一下可供1.06微米用的光电倍增管、光电二极管、雪崩光电二极管及磷砷铟光电器件等。     

NEA GaN基双色集成光电阴极的理论模型与结构优化

本文设计了一种负电子亲和势Ga N基光电阴极量子级联结构的紫外-红外双色集成探测器模型,通过Nextnano与Silvaco TCAD软件研究光电阴极的量子级联层周期数、势阱层厚度、传输层Al组分、光照角度以及光进入阴极方向等。优化后的仿真结果表明：量子级联层10～20周期,p-GaN势阱层厚度为2nm,传输层Al组分为0.4,红外波段光照角度范围为120°～130°时器件探测性能好。紫外波段响应峰值波长300nm,响应度约为52.97mA/w;红外波段响应峰值波长在1.4μm～1.6μm之间,响应度约为3.92～3.96mA/w。同时仿真显示该光电阴极反射式性能优于透射式。     

用于可见光到1.06微米的一种高效率低噪声雪崩光电二极管

前言近几年来激光技术的发展,对快速而灵敏的光电二极管提出了许多新的要求,尤其对在用于1.06微米的掺钕激光波长。本文描述的是硅雪崩光电二极管。这种管子在1.06微米范围中的量子效率大约有30%,同时这种管子也适用于可见光和近红外光的其他波长。     

SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真

通过理论模拟CMOS工艺兼容的SiGe/Si 单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06 m单光子技术雪崩光电二极管。器件采用分离吸收倍增区结构,其中Si材料作为倍增区、SiGe材料作为吸收区,这充分利用了硅材料较高的载流子离化比差异,降低了器件噪声;在1.06 m波长下,SiGe探测器的量子效率为4.2%,相比于Si探测器的效率提高了4 倍。仿真表明优化掺杂条件可以优化电场分布,从而在APD击穿电压处获得更好的带宽特性。     

SOI近红外Si0.8Ge0.2／Si横向pin探测器的研制

给出了SOI近红外Si0.8Ge0.2／Si横向pin光电探测器的设计和制作过程。对制得的样管进行了典型光电参数的测试。测试结果表明，探测器的响应波长范围为0．4～1．3μm，峰值响应波长在0．93～0．97μm，峰值波长下响应度达0．38μA／μW，与Si光电探测器相比，出现明显的响应波长范围和响应峰值波长红移，光电性能达到了预先的设计目标。     

InAsPSb/InAs中红外光电探测器

本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×10~9cmHz~(1/2)/W,瞬态响应时间为1.2ns(FWHM).     

共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟

设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GalnAsSb／GaSb光电探测器结构。在这种结构中,上反射镜是由9．5～15．5个周期的InAs／GaSb QWS组成,下反射镜由3个周期的SiO2/Si QWS组成。器件上表面镀有一层高透射率的抗反射层。计算表明,在设计的工作波长2．4μm,器件可以获得大约(91～88)％的量子效率。在2～2．9μm波长范围器件的量子效率有两个峰,这使得器件可以作为双色探测器来工作。     

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.     

垂直入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.