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1.
该文提出了一种用中芯国际0.18μm工艺设计的自偏置预失真AB类功率放大电路电路结构。电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置电路,在第二级电路中采用预失真电路。该次设计采用Agilent的ADS软件对电路进行模拟,在2.4GHz频率下,1dB压缩点的输出功率为22.5dBm,此时的PAE是25.1%。 相似文献
2.
《西安邮电学院学报》2016,(4)
基于0.13μm CMOS工艺,设计13~15GHz带有分布式有源变压器的集成功率放大器。利用分布式有源变压器功率合成的特点,将其作为负载去匹配功放单元,采用共源共栅级与共源级级联的功放单元结构来提高功放单元的增益和输出功率;采用浮栅结构来减小分布式有源变压器和片上巴伦的插入损耗;功分器采用带栅格参考地的结构提高电路的性能。仿真结果表明,在13~15GHz频段,该功放的饱和输出功率为20dBm,功率附加效率为10%,功率增益为12.5dB,输出功率和功率增益有所提高,减小了插入损耗。 相似文献
3.
0.6μm CMOS工艺折叠共源共栅运算放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
折叠共源共栅结构改进了传统的两级运算放大器的输入范围和电源电压抑制特性,优化了二阶性能指标。利用mosis 0.6μm CMOS工艺模型参数,设计了折叠共源共栅结构的运算放大器,对各性能参数的仿真结果表明:该电路的开环增益为80 dB,单位增益带宽为20 MHz,相位裕度73°,功耗仅为3 mW。 相似文献
4.
基于0.15μm砷化镓(GaAs)工艺建立一种电感模型,并用高频结构模拟器(High Frequency Structure Simulator,HFSS)仿真验证,并在此基础上设计一种微波功率放大器,并用高级系统设计软件(Advanced Design System,ADS)进行仿真。仿真结果显示在812GHz频率范围内,饱和输出功率大于21.9dBm,1dB压缩点输出功率大于20dBm,功率增益大于26dB,功率附加效率大于34%,稳定系数大于1。 相似文献
5.
介绍了CMOS低噪声放大器的几种结构,研究了该放大器的噪声性能和相关制约因素,分析了电感反馈共源共栅结构,并在此基础上,讨论了在低功耗技术中采用的电流偏置复用结构,最后展望了CMOS低噪声放大器的发展趋势. 相似文献
6.
该文介绍了基于SMIC 0.18μm CMOS工艺工作于2.4GHz功率放大器的设计方法,并给出了仿真结果.电路采用两级放大的结构,驱动级采用自偏置Cascode结构,为了保证驱动级有足够的线性度,偏置电压采用了自适应结构,使偏置电压随着输入功率的不同而变化,保证了放大器的线性度并提高了功率附加效率,功率级采用共源结构... 相似文献
7.
针对永磁悬浮偏置混合式磁悬浮轴承所采用的功率放大器需要其输出电流能双向流动的问题,提出了一种功率放大器电路结构,其主电路仍采用普通桥式电路,但其控制信号是通过控制器输出的PWM信号和换向信号经逻辑变换而来的,从而可大大节省控制器资源,降低设备成本,且性能稳定,适用于混合磁悬浮轴承,同时还具有较好的通用性. 相似文献
8.
采用0.18 μm CMOS工艺设计实现适用于高速背板通信的2抽头模拟自适应判决反馈均衡器(DFE). 采用半速率结构提高电路工作速度, 降低功耗, 并设计由乘法器和积分器构成的模拟最小均方(LMS)自适应电路. 为了改善自适应算法的效果, 对模拟LMS电路进行优化设计, 使其既满足自适应算法的收敛性和稳定性要求, 又能获得较小的积分误差, 并且积分器能够输出稳定的偏置电压. 包括整个焊盘在内的芯片面积为0.378 mm2. 测试结果表明:电路自适应开启时能够对4 GHz损耗为12 dB的信道进行有效补偿, 且垂直张开度和水平张开度分别达到275.5 mV和72 ps, 均衡效果明显优于自适应关闭状态. 当电源电压为1.8 V、工作速度为8 Gb/s时,电路的功耗为49.9 mW. 所设计的模拟自适应DFE电路更适用于25 G及以上的高速通信链路系统. 相似文献
9.
设计了一个应用于超宽带(UWB)系统的3~5 GHz超宽带低噪声放大器.电路由二阶切比雪夫滤波器,电阻并联反馈,两级共源共栅结构,源级跟随器组成.低噪声放大器采用0.18 mCMOS工艺进行设计,利用ADS 2006 A进行仿真.结果表明,低噪声放大器在3~5 GHz带宽范围内噪声系数(NF)小于2dB,功率增益在23.9~24.8 dB之间,输入端口反射系数小于-10dB,输出端口反射系数小于-15dB,IIP3为-11dBm在1.8 V的电源电压下,核心电路功耗为10 mW. 相似文献
10.
在通信收发系统中,功率放大器位于发射机末端,其作用是将高频已调波信号进行功率放大,以满足发射机发送功率的要求,然后经过天线将高频功率信号辐射到空间,保证在一定区域内的接收机可以接收到满意的信号电平,并且不干扰相邻信道的通信。本文叙述了功率放大器的特性及发展历程,着重分析了射频功放的非线性及功放线性化的几种常用技术。 相似文献
11.
为了优化设计的5.8 GHz低噪声放大器(LNA)后仿真的各项性能指标,分析了LNA各部分寄生效应对整个电路噪声系数和增益的影响,提出了电路设计和版图设计中应采取的各种措施,使优化后的后仿真结果与前仿真结果基本一致.在考虑MOS管栅电阻和栅感应噪声电流的情况下,后仿真噪声系数为1.6 dB,前向增益为13.7 dB,功耗为8.3 mW,达到了802.11a系统集成的要求.最后给出了LNA版图和后仿真结果. 相似文献
12.
设计了一款470~510 MHz波段的功率放大器电路,给出了功率放大器的设计方法和过程,使用负反馈技术提高电路的稳定性并改善了电路部分性能,采用集总元件及微带传输线混合方式实现了电路匹配。使用ADS对电路进行了仿真,对电路加工后进行测试,测试结果表明增益大于11.2 dB,二次谐波抑制能力优于-24 dB,P1dB输出功率大于11 dBm,测试结果与仿真结果接近。 相似文献
13.
当对非线性失真有一定要求时,低频功率放大器的实际最大输出功率和效率均低于理想状态时的理论分析值,特别在电源电压较低时,其影响更为明显.依据自举电路可扩大放大器的动态输出范围的原理,提出了一种双自举电路的OCL低功率放大器,以提高电路的输出电压,从而提高最大输出功率和效率.仿真结果表明:电源电压较低时,在非线性失真系数低于2%的条件下,与OCL电路相比,双自举OCL电路的最大输出电压提高了约1倍,最大不失真输出功率提高了约3倍,效率提高了近20%. 相似文献
14.
提出一种采用新型开关电容网络的可变增益放大器,其主要电路分为两级,由开关电容阵列和运算放大器电路组成.通过对整体电路进行仿真,结果表明本文所设计的可变增益放大器可以实现0~24dB,每步长0.094dB的增益变化,具有大的动态范围、高精度和高线性度的优点,可用于模拟电路前端,提高了系统的动态范围和稳定性. 相似文献
15.
提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9°,低频下输出噪声频谱密度为1.5μV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近。 相似文献
16.
介绍制作具有小信号放大能力的低频功率放大器的基本原理、内容、技术路线.整个电路主要由稳压电源、前置放大器、功率放大器、波形变换电路共4个部分构成,电路结构简单,所选器件价格便宜,并给出了测试结果.实验结果表明该功率放大器在带宽、失真度、效率等方面具有较好的指标、较高的实用性,为功率放大器的设计提供了广阔的思路. 相似文献
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用于CDMA2000的射频功率放大器仿真实现 总被引:1,自引:0,他引:1
该文给出了一个适用于CMDA2000系统的射频功率放大器单片集成电路的实现。放大器采用了具有高线性度、高增益和高效率的砷化镓异质结双极型晶体管,包括驱动级和功率级两级。为了同时实现CDMA2000系统所要求的最大输出功率时的良好线性度和改善中等输出功率时的效率,使功率放大器工作在近乙类,并采用了自适应性无源基极电阻偏置技术来抑制由于近乙类工作造成的增益失真。考虑了寄生效应的后仿真结果表明。该功率放大器在1850MHz。码片速率为1.2288Mcps的混合移相键控调制信号的激励下,在CDMA2000系统要求的最大输出功率28dBm处PAE达到44.8%,增益为27.4dB,偏离中心频率1.25MHz处的ACPR为-47.9dBc。 相似文献
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黎雱 《常州信息职业技术学院学报》2005,4(4):25-27
介绍了单电源运算放大器的设计方法。这种运算放大器具有较高的动态范围,并解决了偏置电压引起的信号摆幅受限的问题,而且具有更高的带宽。用线性方程描述放大器传输特性,根据方程将放大器分为同相放大正偏移、同相放大负偏移、反相放大正偏移、反相放大负偏移4种不同的配置方式,并给出了每种配置方式下的设计方法和设计电路,具有一定的通用性。 相似文献
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本设计的低频功率放大器基于甲乙类互补对称功率放大电路原理,采用集成运放NE5532构成三级前置放大电路有效放大弱信号.末级功放管采用大功率MOS晶体管IRF9640和IRF640对管,构成推挽式输出电路,有效减少非线性失真.采用集成滤波器MAX261消除工频信号干扰,放大器输出功率、直流电源的供给功率和整机效率等参数的检测及显示由单片机AT89C51控制实现,另外还针对本系统制做了自带的直流电源,可保证对负载的功率输出. 相似文献