高密度高性能电子封装技术

本文简要概述了电子封装的发展过程及其结构形式，全面系统地介绍了近几年国外高密度高性能电子封装的最新进展，对当前电子封装的国际发展水平作一综述。     

高密度高性能电子封装技术的新发展

从系统集成的观点出发，简要介绍电子封装技术的发展历史及其封装级别，概述电子封装技术的发展趋势即高密度、高性能封装技术，最后比较详细地介绍各种封装技术的现状、优劣及潜力，包括ＳＭＴ、ＣＯＢ、ＭＣＭ、ＷＳＩ，试图说明从表面封装到立体封装是电子封装发展的总趋势；ＷＳＩ可能是实现高密度、高性能电子封装———系统集成的最佳选择。     

高密度高性能电子封装技术的现状与发展

本文从系统集成的观点出发，首先介绍电子封装技术的发展历程，各个“封装”级别的主要特征，然后着重描述微电子封装的代表性技术，包括SMT、COB、MCM、WSI。最后概述高密度高性能电子封装技术的发展趋势──单芯片系统或系统级集成的前景。     

电子元器件高密度封装技术

概述了电子设备行业为了实现小型、轻量化与高速、大容量的信息传输,对电子元器件及装置实施小型化、高密度组装、微细导线、最短连线所需的三维组装和立体电路成形技术.论述了电子元器件组装中所采用的高分子材料及对其高性能的期望、金属与高分子材料的连接所应用的界面控制技术.讨论了界面控制技术的具体应用,如多层线路板、半导体密封材料、异向性导电连接材料、半导体制造工程用粘结带等.     

2009电子封装技术和高密度封装国际会议

2009年6月25日,我国著名自动化电子制造装备研发、制造、销售与服务的高科技企业日联科技,在北京宣布和清华大学基础工业训练中心签订合作协议,并举办了X—RAY检测技术报告会。     

2009电子封装技术和高密度封装国际会议

由中国电子学会生产技术学分会（CEPS）主办的电子封装技术国际会议（ICEPT）将迎来第十届庆典。1994年清华大学、复旦大学、中国电子科学院、电子13所与电子58所五个单位共同发起,由清华大学承办了首届电子封装国际会议。到2008年该会议已经由国内著名高校轮流承办了九届,其中清华大学承办了三届,其余六届分别由复旦大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学和上海交通大学承办。     

2012电子封装技术与高密度封装国际会议征稿通知

<正>(ICEPT-HDP 2012)2012年8月13日-16日,桂林,中国第十三届电子封装技术和高密度封装国际会议(ICEPT-HDP2012)将于2012年8月13日16日在中国桂林举行。会议由中国电子学会电子制造与封装技术分会(EMPT)主办,由桂林电子科技大学承办。ICEPT-HDP系列会议多年来得到了IEEE-CPMT的全     

2012电子封装技术与高密度封装国际会议征稿通知

第十三届电子封装技术和高密度封装国际会议（ICEPT-HDP2012）将于2012年8月13日16日在中国桂林举行。会议由中国电子学会电子制造与封装技术分会（EMPT）主办,     

2010电子封装技术与高密度封装国际会议在西安召开

<正>在中国电子学会、中华人民共和国教育部、中华人民共和国工业和信息化部、中国国际文化交流中心、陕西省工业和信息化厅的指导下,经中国科协批准,由中国电子学会电子制造与封装技术分会(EMPT)     

2010国际电子封装技术和高密度封装会议在西安举行

<正>由中国电子学会电子制造与封装技术分会(EMPT)、国际电气电子工程师学会电子元件封装和生产制造技术分会(IEEE-CMPT)、西安电子科技     

2008电子封装技术与高密度集成技术国际会议

<正>(ICEPT—HDP)2008年7月28日--31日上海·中国征文通知关于ICEPT-HDP2008在过去十多年间,由中国电子学会生产技术学分会(CEPS)主办的电子封装技术(ICEPT)和上海大学主办的高密度封装(HDP)两个国际会议为来自海内外学术界和工业界的专家、学者和研究人员提供     

高密度微电子封装技术

多芯片组件(MCM)是从混合集成电路(HIC)发展而来的。HIC的发展已经有三十多年的历史了,它是把IC芯片与微型元件组装在用某种工艺制作布线的同一个基板上,封装起来,从而实现一定的功能。这种方式在系统的小型化和提高系统可靠性方面发挥了积极的作用。但是,人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,无论是金丝球焊还是BGA,在封装后裸芯片的性能总是比未封装时要差一些。进入八     

高密度三维封装技术

简要介绍为满足日益增长的低功耗、轻重量、小体积系统的应用需求而涌现出的多种裸芯片封装一多芯片叠层封装技术。详细讨论三维封装的垂直互连工艺。主要分析三维封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题。     

高密度三维封装技术

简要介绍为满足日益增长的低功耗、轻重量、小体积系统的应用需求而涌现出的多种裸芯片封装与多芯片叠层封装技术。详细讨论三维封装的垂直互连工艺。主要分析三维封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题。     

高密度微电子封装技术

多芯片组件(MCM)是从混合集成电路(HIC)发展而来的。HIC的发展已经有三十多年的历史了,它是把IC芯片与微型元件组装在用某种工艺制作布线的同一个基板上,封装起来,从而实现一定的功能。这种方式在系统的小型化和提高系统可靠性方面发挥了积极的作用。但是,人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,无论是金丝球焊还是BGA,在封装后裸芯片的性能总是比未封装时要差一些。进入八